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[发明专利]硅锭的制备装置-CN201080043366.7无效
发明人：李根宅;朴锺薰 -专利权人： 半导体材料有限公司
申请日： 2010-09-20 - 公布日： 2012-09-12 - 主分类号： C30B21/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种硅锭的制备装置。该硅锭的制备装置的特征在于，包括：腔室，坩埚，其设置于腔室内，加热部，其加热坩埚，坩埚搭载部，其供坩埚放置，两个以上的水冷杆组，形成于坩埚搭载部的下方；两个以上的水冷杆组设置成从坩埚搭载部的中心向外侧相互隔离，且与互不相同的供水管连接。
制备装置

[发明专利]多晶硅沉积装置-CN200980100446.9有效
发明人：柳浩正;朴成殷 -专利权人： 半导体材料有限公司
申请日： 2009-11-25 - 公布日： 2011-07-20 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：根据本发明的多晶硅沉积装置包括：电极单元，包括设置在反应器的底部、且以预定距离隔开设置的第1电极和第2电极，反应器形成有加入原料气的气体加入口、向外部排出气体的气体排出口以及加入发热物质的发热物质加入口；硅芯棒单元，从电极单元的第1电极输入电流，使电流流通至电极单元的第2电极，使自身发热；硅芯棒加热单元，包括发热体，发热体与硅芯棒隔开预定间隔而围绕硅芯棒，并通过反应器的发热物质加入口加入发热物质；气体供应管，设置在发热体与硅芯棒之间，将通过反应器的气体加入口加入的原料气向硅芯棒供应；以及气体喷射单元，包括多个喷嘴，该多个喷嘴以使原料气向硅芯棒流动的方式形成在气体供应管的表面。
多晶沉积装置