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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]负离子生成装置-CN202310323521.X在审
发明人： 北见尚久 -专利权人：住友重机械工业株式会社
申请日： 2023-03-29 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： H01T23/00 文献下载
摘要：本发明提供一种能够在适当的时刻向对象物照射负离子的负离子生成装置。负离子生成装置(1)具备负离子生成部(4)，该负离子生成部通过在腔室(2)内生成等离子体(P)而生成负离子。因此，能够在负离子生成部(4)停止等离子体(P)之后，对基板(11)照射负离子。在此，负离子生成装置(1)具备检测部(40)，该检测部检测等离子体(P)的消失。因此，负离子生成装置(1)能够在通过检测部(40)确认等离子体(P)的消失之后，对基板(11)照射负离子。由此，能够在适当的时刻进行负离子照射。由此，能够在适当的时刻对基板(11)照射负离子。
负离子生成装置

[发明专利]负离子生成装置-CN202010216059.X有效
发明人： 北见尚久;酒见俊之;山本哲也;野本淳一 -专利权人：住友重机械工业株式会社
申请日： 2016-07-21 - 公布日： 2023-02-17 - 主分类号： C23C14/32 文献下载
摘要：本发明提供一种负离子生成装置，用于向对象物照射负离子，具备：等离子体源，向真空腔室内供给等离子体；以及使所述真空腔室内的等离子体的电子温度下降的单元。
负离子生成装置

[发明专利]成膜装置-CN202210328654.1在审
发明人： 北见尚久;酒见俊之 -专利权人：住友重机械工业株式会社
申请日： 2022-03-30 - 公布日： 2022-10-04 - 主分类号： C23C14/24 文献下载
摘要：本发明提供一种能够提高膜质量的成膜装置。在成膜装置(1)中，气体供给部(40)从主炉缸(17)侧朝向被引导至该主炉缸(17)的等离子体(P)供给包含构成膜的元素的气体。此时，气体供给部(40)能够向等离子体密度高的区域供给气体。由于被供给至该区域的气体的活性度提高，因此能够抑制基板(11)中的膜的元素的缺陷。综上所述，能够提高膜质量。
装置

[发明专利]负离子生成装置-CN202110284702.7有效
发明人： 北见尚久;前原诚;木下公男 -专利权人：住友重机械工业株式会社
申请日： 2021-03-17 - 公布日： 2022-10-04 - 主分类号： H01T23/00 文献下载
摘要：本发明提供一种负离子生成装置，能够抑制对于对象物的损伤。负离子生成装置(1)在负离子生成部(4)与对象物配置部(3)之间设置有抑制对于对象物配置部(3)的紫外光(UV)的紫外光抑制机构(60)。在负离子生成部(4)为了生成负离子而生成等离子体(P)的情况下，包含紫外光(UV)的等离子体光朝向配置于对象物配置部(3)的基板(11)的方向。此时，通过紫外光抑制机构(60)抑制对于基板(11)的紫外光(UV)，能够减少或阻断照射到基板(11)上的紫外光(UV)。
负离子生成装置

[发明专利]负离子生成装置及负离子生成方法-CN202080090711.6在审
发明人： 北见尚久;前原诚;木下公男 -专利权人：住友重机械工业株式会社
申请日： 2020-12-23 - 公布日： 2022-08-12 - 主分类号： H01J27/02 文献下载
摘要：本发明的负离子生成装置是生成负离子并照射到对象物的负离子生成装置，其具备：腔室，在内部进行负离子的生成；负离子生成部，通过在腔室内生成等离子体来生成负离子；以及电压施加部，能够对对象物施加偏压，电压施加部具有能够施加高频的电压信号的电源。
负离子生成装置方法

[发明专利]成膜装置-CN202011572989.5在审
发明人： 北见尚久;山本哲也 -专利权人：住友重机械工业株式会社
申请日： 2020-12-24 - 公布日： 2021-06-29 - 主分类号： C23C14/24 文献下载
摘要：本发明提供一种成膜装置，为了得到所希望的膜而能够在更适当的条件下进行成膜。成膜装置(1)中，监视部(52)能够监视用于形成规定物质的膜的粒子的能量分布中的多个特征部(FP1、FP2、FP3)的能量。监视部(52)并非监视能量分布的单个特征部(例如仅监视特征部(FP3)等)而是监视多个特征部(FP1、FP2、FP3)的能量，由此能够更准确地掌握能量分布的状况。因此，成膜控制部(54)能够在准确地掌握能量分布的状况的基础上，调整用于得到所希望的膜的成膜条件。根据以上所述，为了得到所希望的膜而能够在更适当的条件下进行成膜。
装置

[发明专利]负离子生成装置-CN201910634859.0在审
发明人： 北见尚久 -专利权人：住友重机械工业株式会社
申请日： 2019-07-15 - 公布日： 2021-01-15 - 主分类号： C23C14/32 文献下载
摘要：本发明提供一种负离子生成装置，能够在适当的时机向对象物照射负离子。控制部(50)在停止了等离子体枪(7)的等离子体(P)的生成之后，根据电位测定部(110)的测定结果来控制基于电压施加部(90)的电压的施加。由此，控制部(50)能够在能够避免大量的电子照射到对象物的时机向成膜对象物(11)照射负离子。
负离子生成装置

[发明专利]负离子照射装置-CN202010587965.0在审
发明人： 北见尚久;酒见俊之;山本哲也 -专利权人：住友重机械工业株式会社
申请日： 2020-06-24 - 公布日： 2020-12-29 - 主分类号： C23C14/32 文献下载
摘要：本发明提供一种能够容易进行退火处理的负离子照射装置。控制部(50)控制电压施加部(90)在等离子体(P)生成期间开始向基板(11)施加偏置电压，并在等离子体(P)停止之后也持续向基板(11)施加偏置电压。如此，若在等离子体(P)生成期间开始向基板(11)施加偏置电压，则存在于真空腔室(10)中的电子因施加的电压的影响而照射于基板(11)。由此，电子照射于基板(11)的表面，由此基板(11)的表面通过电子冲击而被加热。在等离子体(P)停止之后也持续向基板(11)施加电压，因此生成的负离子照射于基板(11)的表面，并注入于该基板(11)。
负离子照射装置

[发明专利]成膜方法及成膜装置-CN202010589897.1在审
发明人： 北见尚久;山本哲也 -专利权人：住友重机械工业株式会社;高知县公立大学法人
申请日： 2020-06-24 - 公布日： 2020-12-29 - 主分类号： C23C14/54 文献下载
摘要：本发明提供一种能够根据用途在适当的条件下进行氧化锌膜的成膜的成膜方法及成膜装置。成膜方法具备设定氧化锌膜的晶界散射贡献率与成膜时的中性氧的比率之间的相关性发生变化的拐点的工序(拐点设定工序S10)。此时，在中性氧的比率比拐点高的区域和中性氧的比率比拐点低的区域，相对于中性氧的比率的变化的规定特性的变化形态不同。成膜方法具备确定是采用中性氧的比率比拐点高的区域的条件还是采用中性氧的比率比拐点低的区域的条件的工序(条件设定工序S20)。由此，能够设定在中性氧的比率比拐点高的条件及中性氧的比率比拐点低的条件中更适合氧化锌膜的用途的条件。
方法装置

[发明专利]成膜装置-CN201680045499.5有效
发明人： 北见尚久;酒见俊之;山本哲也;野本淳一 -专利权人：住友重机械工业株式会社
申请日： 2016-07-21 - 公布日： 2020-02-18 - 主分类号： C23C14/48 文献下载
摘要：本发明提供一种成膜装置，将成膜材料成膜于成膜对象物，该成膜装置具备：真空腔室，容纳所述成膜对象物并进行成膜处理；成膜部，在所述真空腔室内使所述成膜材料的粒子附着于所述成膜对象物；及负离子生成部，在所述真空腔室内生成负离子。
装置

[发明专利]负离子照射装置及负离子照射装置的控制方法-CN201910648876.X在审
发明人： 北见尚久;酒见俊之;山本哲也 -专利权人：住友重机械工业株式会社
申请日： 2019-07-18 - 公布日： 2020-01-31 - 主分类号： C23C14/32 文献下载
摘要：本发明提供一种能够提高化合物半导体的制造效率及品质的负离子照射装置及负离子照射装置的控制方法。控制部(50)控制气体供给部(40)而向真空腔室(10)内供给气体。气体供给部(40)供给包含与形成化合物半导体(11)的离子相同的元素的气体。因此，在真空腔室(10)内存在与形成化合物半导体(11)的离子相同的元素。而且，控制部(50)通过控制等离子体生成部(14)而在真空腔室(10)内生成等离子体(P)及电子，并且，通过停止等离子体(P)的生成，由电子和气体生成负离子，并将该负离子照射到化合物半导体(11)上。
化合物半导体负离子真空腔室等离子体气体供给部照射装置离子等离子体生成部供给气体气体生成照射制造

[发明专利]成膜装置-CN201410162793.7有效
发明人：酒见俊之;宫下大;北见尚久;牧野博之 -专利权人：住友重机械工业株式会社
申请日： 2014-04-22 - 公布日： 2017-06-13 - 主分类号： C23C14/32 文献下载
摘要：本发明提供一种能够提高成膜材料的材料利用率的成膜装置。本发明的成膜装置(1)具备调整来自蒸发源(2)的成膜材料粒子(Mb)的扩散宽度的扩散宽度调整部(50)。该扩散宽度调整部(50)能够使与短边方向D1正交的长边方向D2上的扩散宽度大于短边方向D1上的扩散宽度。即，扩散宽度调整部(50)能够使短边方向D1上的扩散宽度小于长边方向D2上的扩散宽度。因此，能够以抑制附着于在短边方向D1上对置的真空腔室(10)的侧壁(10i)及侧壁(10h)的方式，减小短边方向D1上的扩散宽度变小。由此，能够使附着于真空腔室(10)的壁面上的成膜材料粒子(Mb)减少，且能够提高成膜材料(Ma)的材料利用率。
装置

[发明专利]成膜装置-CN201410160005.0在审
发明人：酒见俊之;宫下大;北见尚久 -专利权人：住友重机械工业株式会社
申请日： 2014-04-21 - 公布日： 2014-12-03 - 主分类号： C23C14/32 文献下载
摘要：本发明提供一种成膜装置，其能够实现在成膜对象物的成膜面内的膜质分布的均匀化。本发明的成膜装置，在真空腔室（10）内通过等离子束（P）对成膜材料（Ma）进行加热而使其蒸发，并且使成膜材料的蒸发粒子（Mb）附着于成膜对象物（11）上，其构成为具备以下：等离子源（7），在真空腔室（10）内生成等离子束；作为主阳极的主炉缸（17），被填充成为蒸发源的成膜材料，并且向成膜材料导入等离子束或者被导入等离子束；作为辅助阳极的环炉缸（6），配置于主炉缸的周围，并且引导等离子束；及蒸发方向调整部（21），以规定时间间隔改变从蒸发源蒸发的蒸发粒子的方向。
装置

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