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专利名称

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申请人
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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]光学模式分路器-CN202180036713.1在审
发明人： 刘阳旸;A·特里塔 -专利权人：洛克利光子有限公司
申请日： 2021-05-21 - 公布日： 2023-02-24 - 主分类号： G02B6/122 文献下载
摘要：一种分路器。在一些实施方案中，所述分路器包括：输入波导；第一输出波导；第二输出波导；第一内部波导，所述第一内部波导连接到所述输入波导和所述第一输出波导；以及第二内部波导，所述第二内部波导耦合到所述第一内部波导并且连接到所述第二输出波导。所述分路器可被配置成当在所述输入波导处在所述输入波导的基本模式下被馈送电力或在所述输入波导的一阶空间模式下被馈送电力时：将所述基本模式下的所述电力的至少80％传输到所述第一输出波导，并且将所述一阶空间模式下的所述电力的至少80％传输到所述第二输出波导。
光学模式分路

[发明专利]在光子芯片上用于滤波光偏振状态的结构-CN202111157210.8在审
发明人：泰蒙·巴维奇;刘阳旸 -专利权人：格芯（美国）集成电路科技有限公司
申请日： 2021-09-30 - 公布日： 2022-06-03 - 主分类号： G02B6/10 文献下载
摘要：本申请涉及在光子芯片上用于滤波光偏振状态的结构，揭示了一种用于偏振滤波的结构和形成用于偏振滤波的结构的方法。一种波导结构，具有包括第一多个弯曲的第一波导核心区、包括与第一多个弯曲侧向间隔一间隙的第二多个弯曲的第二波导核心区以及包括位于间隙下方的第三多个弯曲的第三波导核心区。第一波导核心区和第二波导核心区包含第一材料。第三波导核心区包含成分不同于第一材料的第二材料。
光子芯片用于滤波偏振状态结构

[发明专利]用于管理光子芯片上的光偏振状态的结构-CN202111094110.5在审
发明人：泰蒙·巴维奇;刘阳旸 -专利权人：格芯（美国）集成电路科技有限公司
申请日： 2021-09-17 - 公布日： 2022-04-22 - 主分类号： G02B6/126 文献下载
摘要：本发明涉及用于管理光子芯片上的光偏振状态的结构，揭示了用于管理光子芯片上的光偏振的结构和形成用于管理光子芯片上的光偏振的结构的方法。形成一种单模波导结构，包括第一波导芯区域和位于第一波导芯区域之上的第二波导芯区域。第二波导芯区域包括第一区段、连接到第一区段的第二区段和连接到第二区段的第三区段。第二区段在与第一区段的交叉处具有第一宽度，并且在与第三区段的交叉处具有第二宽度。第二个宽度大于第一个宽度。第一和第二波导芯区域包含不同成分的材料。
用于管理光子芯片偏振状态结构

[发明专利]光子掩埋中介层-CN202080006247.8在审
发明人： 刘阳旸 -专利权人：洛克利光子有限公司
申请日： 2020-03-31 - 公布日： 2021-07-23 - 主分类号： G02B6/122 文献下载
摘要：一种用于在第一光学组件的第一光学模式与第二光学组件的第二光学模式之间转换光的光子掩埋中介层，所述第二光学组件大于所述第一光学组件；所述掩埋中介层包括双层锥，所述双层锥包括：顶部装置层，所述顶部装置层包括上部锥形波导；以及底部装置层，所述底部装置层包括下部锥形波导。其中所述上部锥形波导从用于耦合至所述第一光学组件的第一端延伸到用于耦合至所述第二光学组件的第二端；并且所述下部锥形波导从所述第一端与所述第二端之间的中间位置开始，并从所述中间位置延伸到所述第二端。
光子掩埋中介

[实用新型]一种扫描式离子枪-CN200620040265.5无效
发明人： 刘阳旸 -专利权人：上海市七宝中学
申请日： 2006-03-17 - 公布日： 2007-03-14 - 主分类号： H01J37/08 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种扫描式离子枪，包括放电室，置于放电室内的栅极组件以及围绕放电室的会聚磁场装置，其中，栅极组件由中心均有圆孔的源极、栅极和加速极绝缘构成，会聚磁场覆盖源极和栅极，其特征在于：放电室的位于加速极一侧的端口设有扫描磁场装置。该扫描式离子枪通过磁场装置使将离子束在X－Y方向上扫描的方式，实现了大面积的均匀的薄膜蚀刻。并且具有结构简单，制造成本低廉的优点。
一种扫描离子

[发明专利]一种扫描式离子枪-CN200610024805.5无效
发明人： 刘阳旸 -专利权人：上海市七宝中学
申请日： 2006-03-17 - 公布日： 2006-09-06 - 主分类号： H01J37/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种扫描式离子枪，包括放电室，置于放电室内的栅极组件以及围绕放电室的会聚磁场装置，其中，栅极组件由中心均有圆孔的源极、栅极和加速极绝缘构成，会聚磁场覆盖源极和栅极，其特征在于：放电室的位于加速极一侧的端口设有扫描磁场装置。该扫描式离子枪通过磁场装置使将离子束在X－Y方向上扫描的方式，实现了大面积的均匀的薄膜蚀刻。并且具有结构简单，制造成本低廉的优点。
一种扫描离子

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