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- [发明专利]半导体器件及其制作方法-CN202210416514.X在审
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徐振亚;刘轶群
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上海集成电路研发中心有限公司
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2022-04-20
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2023-10-27
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H01L21/8234
- 本发明提供了一种半导体器件及其制作方法，所述方法包括：提供衬底，衬底上形成有包括交替层叠的牺牲层与沟道层的堆叠层，堆叠层两侧的衬底内还形成有BDI结构；侧向刻蚀牺牲层并填充形成第一间隔物；侧向刻蚀部分第一间隔物形成第二凹槽；在沟道层上形成外延层；刻蚀去除剩余的第一间隔物形成第三凹槽；第三凹槽内形成带有空气间隙的第二间隔物；形成源/漏极。由于外延层的存在，源/漏极外延生长的基底面积比没有所述外延层时的基底面积更大，并且外延生长初期即可向各方向进行生长，由各个独立生长基底生长的外延层可以较早的融合，从而改善在BDI结构存在的情况下源/漏极外延难以融合的情况，提高器件的性能。
- 半导体器件及其制作方法
- [发明专利]半导体器件及其制作方法-CN202210396022.9在审
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李俊;刘轶群
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上海集成电路研发中心有限公司
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2022-04-15
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2023-10-27
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H01L21/336
- 本发明提供了一种半导体器件及其制作方法，所述方法包括：提供一衬底，在衬底上依次形成硅锗层与硅层交替层叠的层叠结构，其中每层硅锗层中锗的浓度从硅锗层的底部到顶部先降低再升高；侧向刻蚀去除边缘的部分硅锗层以在剩余硅锗层两侧形成空洞；在空洞内填充绝缘材料形成侧墙；形成源/漏极在层叠结构的两侧；去除硅锗层。在刻蚀形成空洞时，由于硅锗层中底部与顶部的锗的浓度高，刻蚀量较大，在硅锗层中间位置处锗的浓度低，刻蚀量较小，在形貌上实现硅锗层整体向内刻蚀，减小空洞的尖角圆化现象，后续形成侧墙时能够避免裂缝的产生，从而在最后去除硅锗层时不会对源/漏极造成影响，避免源/漏极损失，从而提高器件性能。
- 半导体器件及其制作方法
- [发明专利]半导体器件及其制作方法-CN202210416505.0在审
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徐振亚;刘轶群
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上海集成电路研发中心有限公司
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2022-04-20
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2023-10-27
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H01L21/336
- 本发明提供了一种半导体器件及其制作方法，所述方法包括：提供一衬底，衬底上形成有堆叠层，堆叠层包括交替层叠的牺牲层与沟道层；侧向刻蚀去除部分牺牲层并填充形成第一间隔物；侧向刻蚀去除部分第一间隔物形成第二凹槽；在沟道层上形成外延层；刻蚀去除剩余的第一间隔物形成第三凹槽，第三凹槽暴露出沟道层的部分顶部与底部；刻蚀部分暴露出的沟道层的顶部与底部形成第四凹槽，第四凹槽顶部的截面宽度小于所述第四凹槽底部的截面宽度；沉积第二隔离材料在第四凹槽形成带有空气间隙的第二间隔物。空气的介电常数为1，是良好的电介质，在第二间隔物中形成的空气间隙可有效降低第二间隔物带来的电容，提高器件性能。
- 半导体器件及其制作方法
- [实用新型]一种水塔水箱的固定结构-CN202321016217.2有效
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黄毅华;张晓佳;刘轶群
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中冶京诚工程技术有限公司
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2023-04-28
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2023-10-03
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E03B11/12
- 本实用新型提出一种水塔水箱的固定结构，用于连接水塔环托梁和水箱下环梁，涉及水处理技术领域，该水塔水箱的固定结构包括第一预埋件、第二预埋件和插销件，第一预埋件埋设于水箱下环梁中并具有露出于水箱下环梁的第一连接部，第二预埋件埋设于水塔环托梁中并具有露出于水塔环托梁的第二连接部，第一连接部和第二连接部固定连接，插销件贯穿第二预埋件，插销件的一端伸入水塔环托梁内并与水塔环托梁固定连接，插销件的另一端伸入第一预埋件内并与第一预埋件固定连接。本实用新型提出的水塔水箱的固定结构能够有效提高水塔环托梁与水箱之间连接节点的受力性能。
- 一种水塔水箱固定结构
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