专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种果胶纤维及其制备方法-CN201510454197.0有效
  • 胡俊丽;刘益春;崔思思;周义发;姚冰;孙雪;张昕彤;彭晓夏 - 东北师范大学
  • 2015-07-29 - 2017-02-01 - D01F9/00
  • 本发明提供一种果胶纤维及其制备方法,属于高分子纤维领域。解决现有的果胶与PEO的混合纤维中PEO含量过高的问题。该果胶纤维按照质量百分比,包括80%~100%的果胶和0~20%的聚氧化乙烯。本发明还提供一种果胶纤维的制备方法,该方法先将果胶水溶液和聚氧化乙烯水溶液混合,然后加入表面活性剂和共溶剂,得到混合溶液,将混合溶液进行纺丝,得到电纺纳米纤维;然后将得到的电纺纳米纤维溶于选择性溶剂中进行洗涤,得到果胶纤维。本发明的果胶纤维中聚氧化乙烯的含量低于20%,且果胶纤维具有优异的生物相容性和机械性能。
  • 一种果胶纤维及其制备方法
  • [发明专利]一种检测NO2的气敏材料及其气敏元件的制作方法-CN201510978559.6在审
  • 邵长路;刘益春;赵英倩;沈腾;李兴华 - 东北师范大学
  • 2015-12-24 - 2016-05-25 - G01N27/12
  • 本发明公开了一种检测NO2的气敏材料及其气敏元件的制作方法,所述气敏材料采用静电纺丝法以及高温处理制备了表面粗糙并具有中空管状结构的SnO2纳米纤维,SnO2中空纳米纤维为金红石结构,其纤维直径约为250nm~300nm,颗粒层的厚度在40nm左右。利用原位还原的方式对其表面进行了Au颗粒修饰,其晶体结构并未改变。该气敏材料的一维中空纳米结构特征增加了材料的比表面积,通过贵金属修饰显著提高了SnO2的气敏性能,展现出了对NO2更高的灵敏度和较大的测量范围。将所得的材料涂在陶瓷管表面,退火,煅烧过的陶瓷管芯及镍-铬加热丝焊接在底座上,即制成气敏元件。
  • 一种检测nosub材料及其元件制作方法
  • [发明专利]一种叠层透明电极及其制备方法-CN201410673595.7在审
  • 马剑钢;李鹏;闫兴振;徐海阳;张昕彤;刘益春 - 东北师范大学
  • 2014-11-19 - 2015-04-08 - H01B5/14
  • 本发明提供一种叠层透明电极及其制备。自下而上依次包括:透明衬底、透明衬底上的第一层金属氧化物薄膜、第一层金属氧化物薄膜上的金属纳米线网络层以及覆盖于金属纳米线网络层和未被金属纳米线网络层遮盖的第一层金属氧化物之上的第二层金属氧化物薄膜。金属纳米线网络层的制备包括:在第一层金属氧化物薄膜上制备金属薄膜层;采用静电纺丝在金属薄膜层上制备高聚物纳米纤维网络;以高聚物纳米纤维为掩模,蚀刻去除未被高聚物纳米纤维网络掩盖的金属薄膜;去除高聚物纳米纤维网络。本发明的叠层透明电极具有光透过率高、电阻率低、与衬底接触牢固、表面平整、制备和生长温度低、成本低廉等优点,可广泛应用于各种有机和无机光电器件。
  • 一种透明电极及其制备方法
  • [发明专利]基于二氧化硅纳米粒子的红外吸收性质的免疫分析方法-CN201210163971.9有效
  • 洪霞;刘益春;丁亚丹 - 东北师范大学
  • 2012-05-24 - 2012-09-12 - G01N33/53
  • 本发明属于纳米生物技术领域,特别涉及一种利用二氧化硅纳米粒子的红外指纹信号进行免疫分析的方法。其检测步骤如下:首先,制备二氧化硅红外纳米探针;然后,将生物分子固定到金基底上;待二氧化硅纳米探针俘获目标分析物后,与金基底上固定的生物分子进行免疫识别,形成三明治结构的免疫组装芯片;最后,测试免疫组装芯片的傅里叶变换红外反射吸收光谱,根据二氧化硅的TO和LO声子信号来确定目标分析物的存在与否。本发明涉及的纳米探针制备工艺简单,成本低,免疫检测方法简便、快捷、灵敏度高,不仅可实现抗原、蛋白、DNA等生物分子的检测,而且有望用于药物筛选、司法鉴定、食品和环境监督等领域。
  • 基于二氧化硅纳米粒子红外吸收性质免疫分析方法
  • [发明专利]基于氧化石墨制备纳米线阵列LED顶电极的方法-CN201110190065.3无效
  • 徐海阳;王伟;李兴华;张昕彤;刘益春 - 东北师范大学
  • 2011-07-08 - 2011-12-14 - H01L33/00
  • 本发明属于光电子器件制作领域,涉及一种纳米线阵列LED顶电极的制备方法,首先,在纳米线LED器件阵列上形成氧化石墨支撑膜,然后利用合适的薄膜生长技术,在已经被氧化石墨封装起来的阵列上沉积透明电极材料,最后通过高温退火处理,使氧化石墨在有氧环境中高温分解,从而使导电薄膜与阵列中的纳米线形成良好接触,制备出纳米线阵列LED的顶电极。本发明针对现有纳米线阵列LED顶电极制备工艺的缺乏,提出一种实用的新方法,具有导电薄膜与纳米线阵列接触良好、载流子注入效率高、器件发光效率高、热稳定性好、制备成本低、工艺简单、无毒、无污染等优点,可广泛用于含有纳米线(棒)阵列的发光器件的顶电极制备。
  • 基于氧化石墨制备纳米阵列led电极方法

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