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[发明专利]高、低温环境中材料二次电子特性参数的测量装置和方法-CN201811197282.3有效
发明人：王鹏程;刘瑜冬;刘盛画;孙晓阳 -专利权人：中国科学院高能物理研究所;东莞中子科学中心
申请日： 2018-10-15 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： G01N23/2202 文献下载
摘要：本发明公开了一种高、低温环境中材料二次电子特性参数的测量装置和方法，测量装置中二次电子探测器设置在真空室内，包括由外向内依次设置、均大于等于3/4球体的球壳收集极、球壳栅极和球壳接地极，且相互之间绝缘；二次电子探测器内还设置有样品台及其温度调节系统和角分布测量系统，电子枪所发出的电子束贯穿二次电子探测器入射至样品台。本装置可以测量高低温环境下金属材料及介质材料的二次电子发射系数、二次电子角分布特性、以及二次电子能谱分布，还可以测量不同入射角度下的二次电子特性参数，通过对介质材料的快速加热可以有效中和介质表面所累积的电荷，节约了测量时间；并且通过引入校验机制，保证了测量结果的准确性、可靠性。
低温环境材料二次电子特性参数测量装置方法

[实用新型]高、低温环境中材料二次电子特性参数的测量装置-CN201821672485.9有效
发明人：王鹏程;刘瑜冬;刘盛画;孙晓阳 -专利权人：中国科学院高能物理研究所;东莞中子科学中心
申请日： 2018-10-15 - 公布日： 2019-06-18 - 主分类号： G01N23/2202 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种高、低温环境中材料二次电子特性参数的测量装置，该测量装置中二次电子探测器设置在真空室内，包括由外向内依次设置、均大于等于3/4球体的球壳收集极、球壳栅极和球壳接地极，且相互之间绝缘；二次电子探测器内还设置有样品台及其温度调节系统和角分布测量系统，电子枪所发出的电子束贯穿二次电子探测器入射至样品台。本装置可以测量高低温环境下金属材料及介质材料的二次电子发射系数、二次电子空间分布特性、以及二次电子能谱分布，还可以测量不同入射角度下的二次电子特性参数，通过对介质材料的快速加热可以有效中和介质表面所累积的电荷，节约了测量时间；并且通过引入校验机制，保证了测量结果的准确性、可靠性。
二次电子二次电子探测器测量装置特性参数球壳低温环境介质材料测量样品台电子束二次电子发射系数空间分布特性温度调节系统本实用新型高低温环境金属材料测量系统快速加热能谱分布依次设置由外向内中和介质电荷校验电子枪角分布接地极入射角收集极球体入射绝缘室内贯穿节约引入保证

[发明专利]二次电子特性参数的测量装置和方法-CN201510409157.4有效
发明人：王鹏程;刘瑜冬 -专利权人：中国科学院高能物理研究所;东莞中子科学中心
申请日： 2015-07-13 - 公布日： 2017-11-21 - 主分类号： G01N23/225 文献下载
摘要：一种二次电子特性参数的测量装置和方法，测量装置的二次电子探测器设置在真空室内，包括用于收集二次电子的侧壁收集极和顶部收集极，侧壁收集极和顶部收集极围合成筒状，侧壁收集极和顶部收集极通过绝缘环隔离，电子枪贯穿顶部收集极伸入二次电子探测器内部。本申请提出了通过二次电子的空间分布特性、二次电子产额与入射角度的关系、二次电子的能谱分布特性来对二次电子特性进行分析，为材料在二次电子发射特性方面的研究提供了新的方向，为更好地认识材料的二次电子发射特性奠定了基础。本申请实施例提供的测量装置和方法不仅具有较优的操作性，而且通过其校验机制，能够较好地保证测量结果的准确性。
二次电子特性参数测量装置方法

[实用新型]二次电子特性参数的测量装置-CN201520504454.2有效
发明人：王鹏程;刘瑜冬 -专利权人：中国科学院高能物理研究所;东莞中子科学中心
申请日： 2015-07-13 - 公布日： 2015-11-25 - 主分类号： G01N23/225 文献下载
摘要：一种二次电子特性参数的测量装置，测量装置的二次电子探测器设置在真空室内，包括用于收集二次电子的侧部收集极和顶部收集极，侧壁收集极和顶部收集极围合成筒状，侧壁收集极和顶部收集极通过绝缘环隔离，电子枪贯穿顶部收集极伸入二次电子探测器内部。本申请提出了通过二次电子的空间分布特性、二次电子产额与入射角度的关系、二次电子的能谱分布特性来对二次电子特性进行分析，为材料在二次电子发射特性方面的研究提供了新的方向，为更好地认识材料的二次电子发射特性奠定了基础。本申请实施例提供的测量装置和方法不仅具有较优的操作性，而且通过其校验机制，能够较好地保证测量结果的准确性。
二次电子特性参数测量装置

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