专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种低杂散DDS扩频装置及方法-CN202211120866.7有效
  • 吴穹;张文峰;刘武广;陈昌锐;陈睿;王枫;王燕;邱一峰 - 中国电子科技集团公司第二十九研究所
  • 2022-09-15 - 2022-12-20 - H03L7/00
  • 本发明提供了一种低杂散DDS扩频装置及方法,包括:频率发生器、M路功分器、DDS电路、M‑1个混频分频电路、混频电路,频率发生器输出端与M路功分器连接,M路功分器的M路输出端分别和M‑1级混频分频电路、混频电路的LO输入端连接,DDS电路的输出端连接至第一级混频分频电路的IF输入端,每一级混频分频电路的输出端依次连接到下一级混频分频电路的IF输入端,第M‑1级混频分频电路的输出端接至混频电路的IF输入端,混频电路输出端输出最终的扩频输出信号。本发明能够将DDS频率扩展到更高频段,同时利用分频器的特性优化DDS杂散,使扩展后的DDS电路具有高频段、低杂散同时兼具固有的细布进、捷变频等优点。
  • 一种低杂散dds装置方法
  • [发明专利]一种宽带低相噪频率合成电路-CN202210047034.0有效
  • 赵翔;陈昌锐;张文锋;刘武广;吴永伦;曹瑞;吴穹;宋翔宇;周明祺;唐晶晶 - 中国电子科技集团公司第二十九研究所
  • 2022-01-17 - 2022-11-22 - H03L7/18
  • 本发明公开了一种宽带低相噪频率合成电路,包括参考单元、本振单元、中频单元、扩频单元和电源单元。参考单元放大功分参考信号,输出端连接中频单元输入端和本振单元输入端。中频单元、本振单元分别产生中频信号和本振信号,输出端均连接扩频单元输入端。中频信号与本振信号在扩频单元混频,扩频单元输出即本发明电路输出。电源单元与参考单元、中频单元、本振单元、扩频单元供电端连接。本发明采用取样锁相介质振荡器搭建低相噪本振框架;采用独立电源配合射频开关实现本振信号电源‑射频双隔离,提高杂散抑制;采用混频拼接配合可变分频二次扩展频谱,并优化输出信号相噪、杂散抑制。本发明有效扩展工作带宽,同时具备低相噪、低杂散特性。
  • 一种宽带低相噪频率合成电路

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