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- [发明专利]一种磁传感器及其制作方法-CN202111386714.7在审
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刘恩隆;何世坤
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浙江驰拓科技有限公司
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2021-11-22
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2023-05-23
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H10N50/10
- 本申请公开了一种磁传感器,包括设有底电极的芯片和设于芯片上的器件组,器件组包括与底电极电连接的第一磁隧道结器件;设于第一磁隧道结器件上方的导线层;设于导线层上表面、依次层叠的第二磁隧道结器件和第二掩膜层,第一磁隧道结器件和第二磁隧道结器件中参考层的磁矩方向平行且相反;设于第二掩膜层上表面的顶电极;与导线层连接的信号引出部。第一磁隧道结器件和第二磁隧道结器件在垂直方向上分布,可以减小磁传感器的面积,且两个磁隧道结器件中参考层的磁矩方向平行且相反,使得两个器件的电阻在相同磁场作用下的变化相反,即通过在同一芯片上形成第一磁隧道结器件和第二磁隧道结器件,即可形成惠斯通半桥,不需要特殊工艺,非常简单。
- 一种传感器及其制作方法
- [发明专利]一种磁传感器及其制作方法-CN202111385063.X在审
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刘恩隆;何世坤
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浙江驰拓科技有限公司
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2021-11-22
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2023-05-23
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G01R33/06
- 本申请公开了一种磁传感器,包括设有底电极的芯片,和设于所述芯片上的器件组,所述器件组包括:与所述底电极电连接的双磁隧道结,所述双磁隧道结包括由下至上堆叠的第一磁隧道结器件和第二磁隧道结器件,所述第一磁隧道结器件的宽度大于所述第二磁隧道结器件的宽度,且所述第一磁隧道结器件和所述第二磁隧道结器件中参考层的磁矩方向平行且相反;设于所述第二磁隧道结器件上方的顶电极;与所述双磁隧道结中的自由层连接的信号引出部。本申请可以直接在芯片上形成惠斯通半桥,不需进行多个芯片的封装,可以减小磁传感器面积,简化工艺流程。此外,本申请还提供一种具有上述优点的磁传感器制作方法。
- 一种传感器及其制作方法
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