专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]二维剪切空间调制快拍全偏振成像测偏自定标方法-CN202310729131.2在审
  • 张晶;刘应开;易庭丰 - 云南师范大学
  • 2023-06-20 - 2023-08-25 - G01J4/00
  • 本发明公开了一种二维剪切空间调制快拍全偏振成像测偏自定标方法,包括:步骤一、基于二维剪切空间调制快拍全偏振成像测偏光学系统MSPSIP,根据斯托克斯参量和穆勒矩阵关系式得到MSPSIP输出的干涉图像的光强表达式;步骤二、对光强I(xi,yi)进行傅里叶变换获得干涉图像频域的七个峰,七个峰中包含不同的斯托克斯参量,基于傅里叶变换的对称性,只对峰C0、C1和C2采用二维滤波器进行滤波再进行反傅里叶变换,来重构S0~S3的偏振信息;步骤三、解调调制相位因子;步骤四、求解出全部的斯托克斯参量S0~S3。本发明基于自身参数完成定标,能有效减少动态环境变化对测量精度的影响。
  • 二维剪切空间调制快拍全偏振成像定标方法
  • [发明专利]一种基于杂化材料的光电探测器及其制备方法-CN202210763117.X在审
  • 王前进;任文萍;谭秋红;刘应开 - 云南师范大学
  • 2022-06-29 - 2023-01-03 - H10K85/50
  • 本发明公开了一种基于杂化材料的光电探测器及其制备方法,具体为CH3NH3PbI3NAs/CdSe NBs光电探测器及其制备方法,先是将CdSeNBs分散在有300nm后的二氧化硅的硅衬底,再在光学显微镜下寻找出分散好的CdSe NBs;接着在带有分散好的CdSe NBs衬底上滴上已经制备好的CH3NH3PbI3NAs;然后在60℃烘箱中烘烤2h,再在光学显微镜寻找是否有CH3NH3PbI3NAs/CdSe NAs杂化材料的形成;最后在此基础上蒸镀Au电极,即制备得到CH3NH3PbI3NAs/CdSe NAs光电探测器;CH3NH3PbI3NAs/CdSe NAs光电探测器与纯的CdSe NAs光电探测器相比,光电流提高了1670%,暗电流提高了倍55%,光暗电流之比提高了300%。
  • 一种基于材料光电探测器及其制备方法
  • [发明专利]CsPbBr3-CN202210858668.4在审
  • 谭秋红;王前进;任丽;刘应开 - 云南师范大学
  • 2022-07-20 - 2023-01-03 - H01L31/032
  • 本发明公开了CsPbBr3基半导体材料、制备方法及其应用,涉及半导体光电探测器技术领域,包括以下步骤,将制备好的CsPbBr3前驱体溶液滴在等离子仪处理过的Si/SiO2衬底上,盖上一层光滑平整的PDMS膜,进行干燥;完成干燥后揭掉PDMS膜,利用光学显微镜观察,选择衬底上CsPbBr3MWs生长得较好衬底备用;用移液枪吸取50μL的CdSeNB分散液,将其滴在挑选出的CsPbBr3MWs衬底上,待溶液完全蒸发;利用光学显微镜观察并选出CsPbBr3MWs和CdSeNB复合在一起的样品;用蒸发系统给其蒸镀Au(80nm)电极。CsPbBr3MW/CdSeNB结构有利于提高器件的光电性能,充分发挥了全无机钙钛矿吸收系数大和量子效率高等优点以及二维材料的优异性能,并可能为未来新型高性能光电子器件提供参考和借鉴价值。
  • cspbbrbasesub
  • [发明专利]一种基于伪表面等离激元的太赫兹透镜-CN202210853985.7在审
  • 张莹;顾胜昊;孙鸣鸣;刘应开;韩家广 - 云南师范大学
  • 2022-07-13 - 2022-10-18 - G02B5/00
  • 本发明公开了一种基于伪表面等离激元的太赫兹透镜,由金属衬底上的周期性金属长方体结构排列构成;通过电阻率大于1000Ω/cm的高阻硅制成,采用深度反应离子刻蚀和光刻技术在硅基底上刻蚀得到边长不一的周期性长方体结构,然后利用蒸镀手段在完整结构上覆盖一层厚度大于200nm的金;完整透镜器件分为两个部分,第一部分为器件提供表面太赫兹信号,第二部分对表面太赫兹波进行处理。通过改变第二部分金属长方体结构的边长尺寸使其具有不同等效折射率,依据转换光学理论将其按照梯度折射率分布进行排列,实现表面等离激元鱼眼透镜、表面等离激元伦伯透镜、表面等离激元径向折射率分布透镜三种功能不同的器件。
  • 一种基于表面离激元赫兹透镜
  • [实用新型]一种防错位型嵌入式单片机-CN202220453077.4有效
  • 吕宪魁;周绍红;刘应开;姜涛 - 云南师范大学
  • 2022-03-03 - 2022-07-29 - G06F1/18
  • 本实用新型公开了一种防错位型嵌入式单片机,包括单片机和安装板,单片机安装于安装板上,安装板的上端于单片机的四个拐角处设有固定机构,固定机构包括挡板、限位板、按压板、螺钉和复位弹簧,挡板固定于安装板上,挡板靠近单片机的拐角处,挡板的一侧与单片机相贴合,限位板通过螺钉转动连接于挡板的一端,限位板的一侧可转动至与单片机相互贴合,按压板设于限位板的上端,按压板朝向按压板与单片机相互贴合的一侧,复位弹簧套设于螺钉上,复位弹簧设于挡板和限位板之间,螺钉螺纹连接于挡板。本实用新型在使用时,将单片机嵌于挡板之间,再转动限位板和按压板并固定,将单片机稳定牢固的安装在安装板上,结构简单,固定方便。
  • 一种错位嵌入式单片机
  • [实用新型]一种大容量电子信息存储设备-CN202121617441.8有效
  • 周绍红;刘应开;姜涛 - 云南师范大学
  • 2021-07-16 - 2021-12-03 - G06K19/077
  • 本实用新型公开了一种大容量电子信息存储设备,包括壳体,所述壳体的左侧内壁上固定连接有支撑板,所述支撑板的左侧面固定连接有螺纹筒的一端,所述螺纹筒的另一端固定连接在壳体的内壁上,所述螺纹筒内螺纹连接有螺纹杆,所述螺纹杆与存储本体相连接,所述螺纹杆的一端伸出壳体并与转动把手固定连接,所述存储本体的前后两侧均固定连接有限位块,所述壳体前后两侧的内壁设有限位槽,所述存储本体的右侧设有USB接口,通过壳体、支撑板、螺纹筒、螺纹杆、存储本体、转动把手、限位块和限位槽之间的配合,可实现存储本体上USB接口的伸出与收回,便于对USB接口进行保护,避免受到损坏,减少经济成本。
  • 一种容量电子信息存储设备
  • [实用新型]一种新型多功能电子信息技术专业综合实训教学装置-CN202121574435.9有效
  • 姜涛;刘应开;周绍红 - 云南师范大学
  • 2021-07-12 - 2021-11-26 - A47B37/00
  • 本实用新型公开了一种新型多功能电子信息技术专业综合实训教学装置,包括主箱体和实训台板,所述主箱体的内部左右两侧壁分别设有支撑板,两个所述支撑板的上表面分别设有导向柱,两个所述导向柱之间滑动连接有升降板,所述升降板上设有旋转机构,所述旋转机构的上端连接有教学显示器,所述主箱体的下侧壁左右两侧分别设有竖板,两个所述竖板之间转动连接有双向丝杠,所述双向丝杠的左右两侧分别螺纹连接有两个移动块,两个所述移动块的上侧分别转动连接有支撑杆,所述双向丝杠的中央设有第一齿轮,所述主箱体的下侧壁设有第一电机,所述第一电机的输出端连接有第二齿轮,本装置不使用时主箱体可以对教学显示器起到良好的保护作用。
  • 一种新型多功能电子信息技术专业综合教学装置
  • [实用新型]一种计算机电子信息显示装置-CN201922401045.0有效
  • 周绍红;刘应开;姜涛 - 云南师范大学
  • 2019-12-27 - 2020-09-11 - G06F1/16
  • 本实用新型公开了一种计算机电子信息显示装置,包括显示屏,所述显示屏外壁与紧固圈内壁采用过盈配合方式活动连接,且两者互相贴合,之间不存在空隙,所述紧固圈外壁与支撑外框表面中部设有的方槽内壁嵌合连接,所述支撑外框表面顶部中央设有圆孔与摄像头固定连接,所述摄像头侧面设有感应孔,所述角度调节支架侧面与支撑外框底部两侧固定连接,所述支撑外框底端内壁与底部架固定连接,所述播音孔设在支撑外框底端表面中部,由多个圆孔组成,且每者互相平行;所述角度调节支架由紧固螺母、固定扳手、固定支架、支撑杆、连接齿纹、转杆组成;所述显示屏上部设有卷式布帘装置,包括按钮、悬挂箱、卷帘辊、电池和布帘。
  • 一种计算机电子信息显示装置
  • [实用新型]基于Au修饰MoS2-CN201821864048.7有效
  • 谭秋红;任文萍;王前进;刘应开 - 云南师范大学
  • 2018-11-13 - 2020-04-14 - H01L51/42
  • 本实用新型属于光电探测器领域,具体设计基于Au修饰MoS2电极的钙钛矿/石墨烯杂化光电探测器,至下而上包括包括栅电极,栅极绝缘层,垂直石墨烯纳米墙/钙钛矿结构,Au修饰MoS2源电极和Au修饰MoS2漏电极。本实用新型中钙钛矿/垂直石墨烯纳米墙杂化结果能够很好的将光子诱导的空穴从钙钛矿转移到石墨烯,使激发的电子在导带上不衰减,无法回到价带与空穴进行复合,从而增强了光激发载流子的寿命,进一步增加了光响应。MoS2不仅能够作为电极而且还能与垂直石墨烯纳米墙/钙钛矿结构形成异质结,也能够更好的利用MoS2高的光吸收系数以及载流子迁移率的特点。而Au修饰的MoS2更加提高MoS2在这两方面的能力。
  • 基于au修饰mosbasesub
  • [实用新型]一种利用金颗粒旋涂在MoS2-CN201821864044.9有效
  • 任文萍;谭秋红;王前进;刘应开 - 云南师范大学
  • 2018-11-13 - 2020-03-24 - H01L31/113
  • 本实用新型属于光电探测器领域,具体设计一种利用金颗粒旋涂在MoS2/石墨烯异质结表面获得等离子增强的MoS2/石墨烯光电探测器,自下而上包括栅电极,铁电绝缘层,利用金颗粒旋涂在MoS2/石墨烯异质结表面获得等离子增强的MoS2/石墨烯垂直异质结,Pt源电极和Pt漏电极。本实用新型中MoS2层的强选择性光吸收产生电荷,电荷通过内置电场转移到石墨烯层,并且由于石墨烯的高载流子流动性,电荷能够进行多次循环到石墨烯层。而在MoS2/石墨烯垂直异质结上面用金颗粒旋涂可以利用表面等离子体激发产生的光场增强有效的增加局部电场强度,提高光电转化效率,增加光电流。入射光被吸收后可以被有效的转化成表面等离子体,增强入射光的吸收。
  • 一种利用颗粒mosbasesub

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