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[发明专利]一种具有高温度稳定性的磁调谐滤波器-CN202310808883.8在审
发明人： 冯辉煜;王津丰;聂勇;赵梓芃 -专利权人：西南应用磁学研究所（中国电子科技集团公司第九研究所）
申请日： 2023-07-04 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： H01P1/217 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有高温度稳定性的磁调谐滤波器，属于滤波器领域，包括励磁线圈、PTC加热器、工作气隙、磁路、介质腔和谐振小球，所述励磁线圈与磁路之间的一部分灌封有胶粘剂，另一部分不灌封胶粘剂形成空隙，并进一步优选减小PTC加热器的尺寸、提高内阻，本发明明显改善了高低温下磁调谐滤波器的频率漂移，实现了S‑K波段磁调谐滤波器在‑20～65℃范围频率漂移约25MHz，解决了磁调谐滤波器实现高温度稳定性的技术问题，从而提高了磁调谐滤波器在全温下的高温度稳定性能。
一种具有温度稳定性调谐滤波器

[发明专利]一种旋磁滤波器组件温度补偿方法-CN202210830148.2在审
发明人：王津丰;冯辉煜;何大鹏;荣建海;魏路 -专利权人：西南应用磁学研究所（中国电子科技集团公司第九研究所）
申请日： 2022-07-15 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： H01P1/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种旋磁滤波器组件温度补偿方法，属于旋磁滤波器领域，在所述旋磁滤波器的磁场线圈位置、所述激励电路的电压电流转换位置以及所述组件腔体位置三个位置设置热敏采集点，进行热敏采集，优选在所述旋磁滤波器的磁场位置的热敏采集点和激励电路的电压电流转换位置热敏采集点，均采用电阻网络的模拟补偿；在所述组件腔体位置的热敏采集点采用数字补偿方式，通过对旋磁滤波器的软磁磁路的温度模拟补偿及激励电路的电压电流转换的激励电流模拟补偿、旋磁滤波器组件的整体数字补偿，实现旋磁滤波器组件的温度补偿，提高旋磁滤波器组件的频率温度漂移指标。
一种滤波器组件温度补偿方法

[实用新型]一种YIG滤波器的加热结构-CN202120905771.0有效
发明人：王源;蓝江河;荣建海;张卫;冯辉煜 -专利权人：中国电子科技集团公司第九研究所
申请日： 2021-04-29 - 公布日： 2021-10-29 - 主分类号： H05B3/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种YIG滤波器的加热结构，所述YIG滤波器包括介质腔和位于其内部的数个YIG小球，介质腔两侧设有贯穿至YIG小球的通孔，所述通孔与YIG小球一一对应；通孔内设有PTC加热器，介质腔外设有为PTC加热器供电的恒定电压源；所述PTC加热器中嵌入有一铍陶瓷杆，所述铍陶瓷杆一端连接YIG小球，另一端连接一聚酰亚胺定位杆，所述聚酰亚胺定位杆用于调整YIG小球在介质腔内的位置。本实用新型省略了传统加热套和不锈钢金属杆的设计，用独立加热方式替代整体加热方式，使YIG小球受热更均匀，PTC加热器直接加热铍陶瓷杆，缩短了热量传递路径，降低加热功耗，提高了加热效率。
一种 yig 滤波器加热结构

[实用新型]一种新型YIG滤波器恒温加热装置-CN202022235434.3有效
发明人：王源;张卫;蓝江河;冯辉煜;张平川 -专利权人：中国电子科技集团公司第九研究所
申请日： 2020-10-10 - 公布日： 2021-03-23 - 主分类号： G05D23/30 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种新型YIG滤波器恒温加热装置，包括介质腔、加热套，YIG谐振器，聚酰亚胺加热薄膜、温度传感器，介质腔外部一侧设有恒温控制电路，所述恒温控制电路输入端连接温度传感器，用于获取温度传感器采集的温度信号，输出端连接聚酰亚胺加热薄膜，用于根据温度信号控制聚酰亚胺加热薄膜的加热电压。本实用新型采用聚酰亚胺加热薄膜代替PTC热敏电阻，并实时监测加热套以及YIG谐振器的温度，自动改变聚酰亚胺加热薄膜的加热电压，从而改变加热功耗，使YIG谐振器保持在恒定的温度，不随外部环境温度的改变而变化，实现YIG谐振器精确控温。
一种新型 yig 滤波器恒温加热装置

[实用新型]一种防浪涌电流影响调谐磁场的对消加热结构-CN202021954813.1有效
发明人： 冯辉煜;王源;赵梓芃 -专利权人：中国电子科技集团公司第九研究所
申请日： 2020-09-09 - 公布日： 2021-01-05 - 主分类号： H05B3/14 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种防浪涌电流影响调谐磁场的对消加热结构，属于磁性器件技术领域，包括加热套（1）、PTC陶瓷加热片（2）和连接线（3），所述PTC陶瓷加热片（2）固定于加热套（1）上，数个PTC陶瓷加热片（2）和加热套（1）通过所述连接线（3）并联，构成加热回路，所述加热回路对称设置；采用本实用新型的对消加热结构，在加热工作开启瞬间（2～5秒内），磁调谐器件的响应曲线实现了0MHz的频率跳变，该结构技术发展和在磁调谐器件领域提高器件的温度稳定性应用前景广阔。
一种浪涌电流影响调谐磁场对消加热结构

[实用新型]一种旋磁滤波器低涡流磁路-CN202021455597.6有效
发明人：张平川;燕志刚;冯辉煜;王大勇 -专利权人：中国电子科技集团公司第九研究所
申请日： 2020-07-22 - 公布日： 2020-12-22 - 主分类号： H01F27/24 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种旋磁滤波器低涡流磁路，属于磁性器件技术领域，包括下磁路（1）、上磁路（2）、磁极柱（3）和调谐线圈（5），其特征在于：还包括切槽（4）和工艺孔（6）；其中，所述切槽（4）垂直于磁极柱（3）端面，并贯穿磁极柱（3）或延展至磁路底部磁轭，所述工艺孔（6）位于磁极柱（3）或磁路底部磁轭；采用本实用新型的结构，可实现小于400μs/GHz的调谐速度，相对于现有的小型化块体磁路频率调谐速度提高200‑300μs/GHz；与现有的叠片磁路相比，设计、加工简化，工作气隙精度高，制造成本降低，可生产性增强。
一种滤波器涡流磁路

[发明专利]一种防浪涌电流影响调谐磁场的对消加热结构-CN202010940188.3在审
发明人： 冯辉煜;王源;赵梓芃 -专利权人：中国电子科技集团公司第九研究所
申请日： 2020-09-09 - 公布日： 2020-11-03 - 主分类号： H05B3/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种防浪涌电流影响调谐磁场的对消加热结构，属于磁性器件技术领域，包括加热套（1）、PTC陶瓷加热片（2）和连接线（3），所述PTC陶瓷加热片（2）固定于加热套（2）上，数个PTC陶瓷加热片（2）和加热套（1）通过所述连接线（3）并联，构成加热回路，所述加热回路对称设置；采用本发明的对消加热结构，在加热工作开启瞬间（2～5秒内），磁调谐器件的响应曲线实现了0MHz的频率跳变，该结构技术发展和在磁调谐器件领域提高器件的温度稳定性应用前景广阔。
一种浪涌电流影响调谐磁场对消加热结构

[发明专利]一种YIG带通滤波器的高线性磁路结构-CN202010690457.5在审
发明人： 冯辉煜;荣建海;尹春燕;赵梓芃 -专利权人：中国电子科技集团公司第九研究所
申请日： 2020-07-17 - 公布日： 2020-11-03 - 主分类号： H01P1/218 文献下载
摘要：本发明公开了一种YIG带通滤波器的高线性磁路结构，微波磁学器件领域，包括上磁路、下磁路及工作气隙，其特征在于：所述上磁路和下磁路的材料采用磁导率为25000～100000Gs/Oe、饱和磁通密度为1.5T～1.78T的铁镍合金材料，进一步优选采用非对称磁路结构；本发明实现了从2GHz到26.5GHz的多倍频程的高线性度调谐，线性度可以达到±7.9MHz，比普通2～26.5GHzYIG滤波器±35MHz的线性度小约±27MHz，线性度提高了约3倍，并且，还实现了小型化和轻量化，其技术发展和在多倍频程领域对目标信号的预选方面应用前景十分广阔。
一种 yig 带通滤波器线性磁路结构

[发明专利]一种旋磁滤波器低涡流磁路-CN202010709585.X在审
发明人：张平川;燕志刚;冯辉煜;王大勇 -专利权人：中国电子科技集团公司第九研究所
申请日： 2020-07-22 - 公布日： 2020-09-18 - 主分类号： H01F27/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种旋磁滤波器低涡流磁路，属于磁性器件技术领域，包括下磁路（1）、上磁路（2）、磁极柱（3）和调谐线圈（5），其特征在于：还包括切槽（4）和工艺孔（6）；其中，所述切槽（4）垂直于磁极柱（3）端面，并贯穿磁极柱（3）或延展至磁路底部磁轭，所述工艺孔（6）位于磁极柱（3）或磁路底部磁轭；采用本发明的结构，可实现小于400μs/GHz的调谐速度，相对于现有的小型化块体磁路频率调谐速度提高200‑300μs/GHz；与现有的叠片磁路相比，设计、加工简化，工作气隙精度高，制造成本降低，可生产性增强。
一种滤波器涡流磁路

[实用新型]一种高速YIG块状带阻滤波器-CN201920920901.0有效
发明人： 冯辉煜;杨陆;王津丰;王源;赵梓芃;隋明明 -专利权人：西南应用磁学研究所
申请日： 2019-06-19 - 公布日： 2020-03-31 - 主分类号： H01F17/04 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种高速YIG块状带阻滤波器，属于微波磁学器件领域，包括磁路、励磁线圈和射频谐振电路屏蔽腔，所述磁路为块状磁路，所述块状磁路包括上下对称的上磁路和下磁路，所述块状磁路的材料为铁镍合金；所述射频谐振电路屏蔽腔为非金属材料基体外包覆金属化镀层的结构，所述射频谐振电路屏蔽腔设置有数个正交孔洞，所述金属化镀层的厚度为0.005～0.01mm，所述励磁线圈的安匝数为700～1200匝，线圈线径Φ为0.25～0.5mm，线圈高度为10～25mm，线圈外径Φ为25～45mm；本实用新型能够进行6～18GHz频段的宽带技术覆盖，并显著的减小了体积和重量，提高了调谐速度，针对干扰信号进行抑制，从而有效保护了电子装备的正常工作。
一种高速 yig 块状带阻滤波器

[发明专利]一种高速YIG块状带阻滤波器-CN201910529653.1在审
发明人： 冯辉煜;杨陆;王津丰;王源;赵梓芃;隋明明 -专利权人：西南应用磁学研究所
申请日： 2019-06-19 - 公布日： 2019-07-30 - 主分类号： H01F17/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种高速YIG块状带阻滤波器，属于微波磁学器件领域，包括磁路、励磁线圈和射频谐振电路屏蔽腔，所述磁路为块状磁路，所述块状磁路包括上下对称的上磁路和下磁路，所述块状磁路的材料为电阻率ρ为0.2～0.4、Hc为1.2～15A/m的铁镍合金；所述射频谐振电路屏蔽腔为非金属材料基体外包覆金属化镀层的结构，所述射频谐振电路屏蔽腔设置有数个正交孔洞，所述金属化镀层的厚度为0.005～0.01mm，所述励磁线圈的安匝数为700～1200匝，线圈线径Φ为0.25～0.5mm，线圈高度为10～25mm，线圈外径Φ为25～45mm；本发明能够进行6～18GHz频段的宽带技术覆盖，并显著的减小了体积和重量，显著提高了调谐速度，针对干扰信号进行抑制，从而有效保护了电子装备的正常工作。
磁路射频谐振电路屏蔽腔滤波器金属化镀层励磁线圈块状带调谐孔洞非金属材料磁学器件电子装备干扰信号宽带技术上下对称铁镍合金线圈线径安匝数外包覆频段减小正交微波覆盖

[发明专利]MEMS磁调谐YIG带通滤波器及制作方法-CN201610303325.6有效
发明人：蒋运石;肖尚卿;冯辉煜;尹久红 -专利权人：西南应用磁学研究所
申请日： 2016-05-10 - 公布日： 2019-03-19 - 主分类号： H01P1/207 文献下载
摘要：本发明公开了一种MEMS磁调谐YIG带通滤波器及制作方法，带通滤波器包括谐振腔、位于谐振腔内水平放置的长方形基体，所述谐振腔包括RF输入端和RF输出端；所述基体上水平设有两个耦合孔洞，所述耦合孔洞中放置有YIG小球；基体正面设有金属线条，且当满足铁磁共振条件时，微波射频信号从一输入输出端U形金属线条进入，并从另一输入输出端U形金属线条耦合输出，基板上印刷有两个并联的温补电阻。本发明实现了YIG谐振耦合结构的小型化、紧凑化和工艺高精度可控，大幅度缩小、减轻、降低和提高了磁调谐YIG带通滤波器的体积、重量、功耗和调谐速度，突破了该类器件因手工制作人为因素导致的一致性差和装调效率低下的工艺瓶颈问题。
mems 调谐 yig 带通滤波器制作方法

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