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[发明专利]半导体激光元件、半导体激光器阵列及加工装置-CN202210589729.1在审
发明人： 冈本贵敏 -专利权人：松下控股株式会社
申请日： 2022-05-26 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： H01S5/10 文献下载
摘要：本发明的半导体激光元件、半导体激光器阵列及加工装置能够使激光加工装置高输出化。半导体激光元件配置于具有外部谐振镜的波长光束耦合型加工装置，且具备：谐振器结构，具有发出激光的发光层；以及第一反射膜及第二反射膜，分别设置于谐振器结构的非出射端面及出射端面，并反射激光，在将谐振器结构以阈值功率的最小值的1.4倍的功率进行激光振荡时的第二反射膜的反射率设为R1，将外部谐振镜的反射率设为R(Oc)，并将来自外部谐振镜的反射光入射到谐振器结构内的比例即耦合效率设为C时，半导体激光元件的增益波长下的第二反射膜的反射率R满足R1≤R≤R(Oc)×C的关系式，其中所述阈值功率是谐振器结构进行激光振荡的最低功率。
半导体激光元件半导体激光器阵列加工装置

[发明专利]激光二极管条及其制造方法和波长光束耦合系统-CN202110262560.4在审
发明人： 冈本贵敏;大野启 -专利权人：松下知识产权经营株式会社
申请日： 2021-03-10 - 公布日： 2021-10-19 - 主分类号： H01S5/32 文献下载
摘要：本发明提供一种激光二极管条及其制造方法和波长光束耦合系统。用于波长光束耦合系统的激光二极管条的制造方法包括：准备氮化物半导体基板(10)的工序，该氮化物半导体基板具有从(0001)面向m轴或a轴的至少一个轴被赋予了大于0°的偏离角的基板面；在氮化物半导体基板(10)上形成层叠构造体的工序，该层叠构造体包含第1导电型包层(21)、活性层(22)及第2导电型包层(23)；以氮化物半导体基板(10)具有的偏离角的主轴方向和发射极(13)的波导方向一致的方式，在层叠构造体形成呈条带状排列的多个发射极(13)的工序；从氮化物半导体基板(10)切出具有多个发射极(13)的激光二极管条(20)的工序。
激光二极管及其制造方法波长光束耦合系统

[发明专利]III族氮化物半导体的制造方法-CN202010302443.1在审
发明人：岩泽绫子;冈山芳央;冈本贵敏 -专利权人：松下知识产权经营株式会社
申请日： 2020-04-16 - 公布日： 2020-12-04 - 主分类号： H01L21/268 文献下载
摘要：本发明提供制造III族氮化物半导体的方法。III族氮化物半导体的制造方法具有如下工序。准备从背面向表面依次层叠有第一III族氮化物层和第二III族氮化物层的III族氮化物基板的工序，所述第一III族氮化物层对于400nm～700nm的规定波长具有60％以上的透射率，所述第二III族氮化物层以1×1020cm‑3以上的浓度含有作为杂质的氧，且对于上述规定波长具有0.1％以下的透射率，并设置在上述第一III族氮化物层上。在上述III族氮化物基板的表面侧形成设备结构的工序。使激光的聚光点在从上述III族氮化物基板的背面侧的上述第一III族氮化物层比上述第二III族氮化物层更靠前处聚集，利用多光子吸收在上述第一III族氮化物层形成内部改性层，以上述内部改性层作为边界来分割上述III族氮化物基板的工序。
iii 氮化物半导体制造方法

[发明专利]III族氮化物结晶的制造方法-CN201910386973.6在审
发明人：森勇介;今西正幸;冈本贵敏 -专利权人：国立大学法人大阪大学;松下电器产业株式会社
申请日： 2019-05-09 - 公布日： 2019-11-19 - 主分类号： C30B29/40 文献下载
摘要：本发明提供一种结晶中的氧杂质少的III族氮化物结晶的制造方法。本发明的III族氮化物结晶的制造方法是使用容纳碱金属、含III族元素的原料、种基板(11)的坩埚；容纳坩埚的反应容器；容纳反应容器(15)的压力容器；将含氮元素气体和/或氩气导入至压力容器的气体供给管；将压力容器密封的盖；将反应容器加热的加热器；用于将加热器和反应容器绝缘的绝缘材料；防止反应容器内的热泄露的绝热材料来制造III族氮化物结晶的方法，具有以下工序：将盖与所述压力容器分离，将反应容器容纳于压力容器内，用盖将压力容器密封后，将氩气填充于压力容器内的工序；将氩气加热并保持的工序；将经加热的氩气从压力容器排出的工序；和将含氮元素气体导入压力容器内，使碱金属与含III族元素的原料发生反应从而使III族氮化物结晶在种基板上生长的工序。
压力容器氩气容纳加热碱金属加热器含氮元素基板坩埚密封制造气体供给管绝热材料绝缘材料氧杂质绝缘排出填充泄露生长

[发明专利]III族氮化物半导体基板及其制造方法-CN201910026152.1在审
发明人： 冈本贵敏 -专利权人：松下知识产权经营株式会社
申请日： 2019-01-10 - 公布日： 2019-10-29 - 主分类号： H01S5/02 文献下载
摘要：本发明提供一种能够以高精度识别晶体方位的III族氮化物半导体基板及其制造方法。一种III族氮化物半导体基板，其具有包含{0001}面的主面，以规定的晶体方位为基准开裂，其具有：第1方位识别线，俯视观察时位于所述主面的端部；第2方位识别线，相对于所述规定的晶体方位的角度偏移比所述第1方位识别线更小；和标记，用于识别所述第2方位识别线。
方位识别晶体方位俯视观察角度偏移主面制造

[发明专利]化合物半导体衬底及其检测方法和表面处理方法和制造化合物半导体晶体的方法-CN200710104113.6有效
发明人：西浦隆幸;田中聪;堀江裕介;冲田恭子;冈本贵敏 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2007-05-16 - 公布日： 2007-11-21 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：提供一种在化合物半导体衬底的表面具有降低了的杂质含量的化合物半导体衬底的检测方法、化合物半导体衬底、化合物半导体衬底的表面处理方法和制造化合物半导体晶体的方法。在化合物半导体衬底的检测方法中，使用原子力显微镜以不大于0.4nm的间距在不大于0.2平方微米的范围内测量化合物半导体衬底的表面粗糙度Rms。通过该检测方法测量的化合物半导体衬底的表面粗糙度Rms为不大于0.2nm。
化合物半导体衬底及其检测方法表面处理制造晶体

[发明专利]化合物半导体晶片的制备方法-CN02800537.6无效
发明人： 冈本贵敏;目崎义雄;森本俊之 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2002-03-01 - 公布日： 2003-11-19 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：化合物半导体晶片的制备方法，其中颗粒附着、正表面氧化和变质是轻微的并且减少了有机溶剂的用量。吸附垫结合在抛光盘上，不需要使用蜡将晶片吸附在吸附垫上进行抛光后，不用干燥而存放在净化水中。由于在净化水中存放，所以颗粒附着、正表面氧化和变质变得轻微，从而可以得到高质量的晶片。在紧接着水中存放的清洗程序中，可以省略有机溶剂清洗。这使得使用/浪费有毒有机溶剂的数量减少。
化合物半导体晶片制备方法