“冈本康宏”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果39个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]半导体器件-CN201410090758.9有效
发明人：中山达峰;宫本广信;冈本康宏;根贺亮平;金泽全彰;井上隆 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2014-03-12 - 公布日： 2018-10-16 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体器件，为了改进半导体器件的性能。例如，假设在缓冲层和沟道层之间插入超晶格层，被引入到形成超晶格层的一部分的氮化物半导体层中的受主的浓度高于被引入到形成超晶格层的另一部分的氮化物半导体层中的受主的浓度。也即，被引入到具有小带隙的氮化物半导体层中的受主的浓度高于被引入到具有大带隙的氮化物半导体层中的受主的浓度。
半导体器件

[发明专利]半导体器件和半导体器件的制造方法-CN201810072449.7在审
发明人：中山达峰;宫本广信;冈本康宏 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2018-01-25 - 公布日： 2018-08-14 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明涉及半导体器件和半导体器件的制造方法。半导体器件的台面部作为共掺杂层使用，所述半导体器件包含由第一氮化物半导体层形成的沟道基底层、由第二氮化物半导体层形成的沟道层、由第三氮化物半导体层形成的势垒层、台面型第四氮化物半导体层、覆盖所述台面部的栅极绝缘膜以及在所述栅极绝缘膜上形成的栅电极。所述台面部作为所述共掺杂层使用，从而在所述栅极绝缘膜和所述台面部之间的界面处产生的界面电荷可以被所述共掺杂层中的p型杂质或n型杂质抵消，并且可以提高阈值电位。另外，直到形成所述栅极绝缘膜为止，所述第四氮化物半导体层都是n型的，并且在形成所述栅极绝缘膜之后，使所述第四氮化物半导体层成为中性或p型的。
氮化物半导体层半导体器件栅极绝缘膜共掺杂层界面电荷阈值电位沟道层基底层界面处势垒层台面型栅电极沟道抵消制造覆盖

[发明专利]半导体装置-CN201410053952.X有效
发明人：河合徹;井上隆;中山达峰;冈本康宏;宫本広信 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2014-02-18 - 公布日： 2018-07-27 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明涉及半导体装置。提高半导体装置的特性。半导体装置构成为具有在基板（S）的上方形成的缓冲层（BU）、沟道层（CH）及势垒层（BA）、贯通势垒层（BA）而达到至沟道层（CH）的中途的槽（T）、以及在该槽（T）内隔着栅极绝缘膜（GI）地配置的栅电极（GE）。另外，沟道层（CH）含有n型杂质，沟道层（CH）的缓冲层（BU）侧的区域相比于势垒层（BA）侧的区域，n型杂质的浓度更大，缓冲层（BU）由带隙比沟道层（CH）宽的氮化物半导体构成。例如，沟道层（CH）由GaN构成，缓冲层（BU）由AlGaN构成。另外，沟道层（CH）具有含有中浓度的n型杂质的沟道下层（CHb）、和在其上形成且含有低浓度的n型杂质的主沟道层（CHa）。
半导体装置

[发明专利]半导体器件和制造半导体器件的方法-CN201710536496.8在审
发明人：宫本广信;中山达峰;壶井笃司;冈本康宏;川口宏 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2017-06-26 - 公布日： 2018-02-02 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本申请涉及半导体器件和制造半导体器件的方法。提高了半导体器件的性能。半导体器件被配置为包括在衬底之上依次形成的电压钳位层、沟道下层、沟道层和阻挡层；在穿过阻挡层的同时延伸到沟道层中部的沟槽；布置在沟槽内的栅极电极，在栅极电极和沟槽之间具有栅极绝缘膜；形成在栅极电极的两侧上的阻挡层之上的源极电极和漏极电极；以及第四电极，电耦合到电压钳位层。第四电极与源极电极电隔离，并且施加到第四电极的电压与施加到源极电极的电压不同。因此，可以执行阈值控制。例如，可以增加MISFET的阈值。
半导体器件制造方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201510993783.2在审
发明人： 冈本康宏 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2015-12-25 - 公布日： 2016-07-06 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明涉及半导体器件及其制造方法。一种半导体器件，其包括：形成在衬底上方的沟道层和势垒层，以及经由栅极绝缘膜被布置在所述势垒层上的栅电极。为了提高所述半导体器件的特性，将半导体器件如下构造。将氮化硅膜提供在源电极和栅电极之间的势垒层上，且还提供在漏电极和栅电极GE之间的势垒层上。通过氮化硅膜降低势垒层的表面电势，由此使二维电子气形成。因此，通过仅在其中形成氮化硅膜的区域中选择性形成二维电子气，即使在没有采用沟槽栅结构时也能执行常关操作。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体器件和用于制造半导体器件的方法-CN201410332369.2在审
发明人：中山达峰;金泽全彰;冈本康宏;井上隆;宫本广信;根贺亮平 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2014-07-11 - 公布日： 2015-02-11 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明涉及半导体器件和用于制造半导体器件的方法。电极与AlGaN层欧姆接触。半导体器件(SD)具有氮化物半导体层(GN2)，Al_xGa_(1-x)N层(AGN)即“AlGaN层(AGN)”，以及Al电极(DE、SE)。在AlGaN层(AGN)中，满足0<x≤0.2。在AlGaN层(AGN)中的p型杂质的浓度和n型杂质的浓度都是1×10¹⁶cm^-3或者更低。在本示例中，通过例如Be、C以及Mg例示p型杂质。通过Si、S以及Se例示n型杂质。Al电极(DE、SE)被连接到AlGaN层(AGN)。因为Al的组分比不限于上述范围，所以使Al电极(DE、SE)与AlGaN层(AGN)欧姆接触。
半导体器件用于制造方法

[发明专利]半导体器件-CN201310293438.9有效
发明人： 冈本康宏;井上隆;中山达峰;根贺亮平;金泽全彰;宫本广信 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2013-07-12 - 公布日： 2014-01-29 - 主分类号： H01L29/41 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体器件。提高由氮化物半导体材料制成的场效应晶体管的可靠性。一种欧姆电极包括多个隔离以彼此分开的单元电极。利用这种构造，可以防止导通态电流在y轴方向（负方向）上在单元电极中流动。此外，在相应的单元电极中，可以防止在y轴方向（负方向）上流动的导通态电流的电流密度增加。结果，可以提高欧姆电极的电迁移阻抗。
半导体器件

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201210342487.2有效
发明人：井上隆;中山达峰;冈本康宏;宫本广信 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2012-09-14 - 公布日： 2013-03-27 - 主分类号： H01L29/772 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体器件及其制造方法。在帽层和势垒层之间的界面处以及沟道层和缓冲层之间的界面处产生压缩应变，并且在势垒层和沟道层之间的界面处产生拉伸应变。因此，在帽层和势垒层之间的界面处以及沟道层和缓冲层之间的界面处的负电荷高于正电荷，而势垒层和沟道层之间的界面处的正电荷高于负电荷。沟道层具有第一层、第二层和第三层的堆叠层结构。第二层比第一层和第三层的电子亲和势高的电子亲和势。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]双极晶体管-CN200980150271.2有效
发明人：安藤裕二;宫本广信;中山达峰;冈本康宏;井上隆;大田一树 -专利权人：日本电气株式会社
申请日： 2009-10-16 - 公布日： 2011-11-16 - 主分类号： H01L21/331 文献下载
摘要：一种双极晶体管，包括衬底、集电极层、具有p导电型的基极层和具有n导电型的发射极层。所述集电极层形成在所述衬底上，并且包括第一氮化物半导体。具有p导电型的基极层形成在集电极层上，并且包括第二氮化物半导体。具有n导电型的发射极层形成在基极层上，并且包括第三氮化物半导体。集电极层、基极层和发射极层形成为相对于衬底的表面的晶体生长方向与衬底的[0001]方向平行。第一氮化物半导体包括InycAlxcGa1-xc-ycN，其中0≤xc≤1，0≤yc≤1，0＜xc+yc≤1。在第一氮化物半导体中，在表面侧上的a轴的长度比在衬底侧上的a轴的长度长。
双极晶体管

[发明专利]双极晶体管-CN200980150272.7有效
发明人：安藤裕二;宫本广信;中山达峰;冈本康宏;井上隆;大田一树 -专利权人：日本电气株式会社
申请日： 2009-10-16 - 公布日： 2011-11-16 - 主分类号： H01L21/331 文献下载
摘要：一种双极晶体管，具有发射极层、基极层和集电极层。发射极层形成在衬底上，并且是包括第一氮化物半导体的n型导电层。基极层形成在发射极层上，并且是包括第二氮化物半导体的p型导电层。集电极层形成在基极层上，并且包括第三氮化物半导体。集电极层、基极层和发射极层形成为相对于衬底表面的晶体生长方向与[000-1]的衬底方向平行。第三氮化物半导体包括InycAlxcGa1-xc-ycN(0≤xc≤1，0≤yc≤1，0＜xc+yc≤1)。第三氮化物半导体的在表面侧上的a轴长度比在衬底侧上的a轴长度短。
双极晶体管

[发明专利]场效应晶体管-CN201010504353.7无效
发明人：宫本广信;安藤裕二;冈本康宏;中山达峰;井上隆;大田一树;分岛彰男;笠原健资;村濑康裕;松永高治;山之口胜己;岛胁秀德 -专利权人：日本电气株式会社
申请日： 2006-06-12 - 公布日： 2011-02-16 - 主分类号： H01L29/812 文献下载
摘要：本发明提供了一种场效应晶体管。所述场效应晶体管在高压操作以及高频特性方面表现出良好性能。在包括第一场极板电极(116)和第二场极板电极(118)的场效应晶体管(100)中，第二场极板电极(118)包括屏蔽部分(119)，其位于第一场极板电极(116)和漏电极(114)之间的区域中，并用于将第一场极板电极(116)与漏电极(114)屏蔽开。具体地，在栅极长度方向上的截面图上，当将其中第二场极板电极(118)与包括第一场极板电极(116)和栅电极(113)的结构的上部交叠的交叠区域的在栅极长度方向上的长度指定为Lol，和将栅极长度指定为Lg时，满足表示为0≤Lol/Lg≤1的关系。
场效应晶体管

[发明专利]半导体器件-CN200980108747.6有效
发明人：安藤裕二;冈本康宏;大田一树;井上隆;中山达峰;宫本广信 -专利权人：日本电气株式会社
申请日： 2009-03-12 - 公布日： 2011-02-09 - 主分类号： H01L21/338 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体器件，其在降低了栅泄漏电流的同时，具有高电子迁移率和具有阈值电压的优良均匀性和再现性，并且还能够应用到增强模式型。该半导体器件顺序层压由晶格驰豫的AlxGa1-xN(0≤x≤1)构成的下部势垒层、由具有压应变的InyGa1-yN(0≤y≤1)构成的沟道层和由AlzGa1-zN(0≤z≤1)构成的接触层，并且在所述InyGa1-yN沟道层与所述AlzGa1-zN接触层的界面附近，产生二维电子气。AlzGa1-zN接触层的一部分形成为栅电极嵌入在凹陷部中，并且插有绝缘膜，其中通过蚀刻所述AlzGa1-zN接触层而去除所述AlzGa1-zN接触层中的一部分直到暴露所述InyGa1-yN沟道层，来形成所述凹陷部，以及在AlzGa1-zN接触层上形成欧姆电极。因此，获得了一种能够以增强模式进行操作的半导体器件，该半导体器件具有阈值电压的优良均匀性和再现性，同时保持低栅泄漏电流和高电子迁移率。
半导体器件

[发明专利]场效应晶体管-CN200780012035.5有效
发明人：安藤裕二;宫本广信;中山达峰;冈本康宏;井上隆;村濑康裕;大田一树;分岛彰男;黑田尚孝 -专利权人：日本电气株式会社
申请日： 2007-03-29 - 公布日： 2009-04-22 - 主分类号： H01L21/338 文献下载
摘要：公开了一种HJFET 110，其包括：由In_yGa_1-yN(0≤y≤1)构成的沟道层12；由Al_xGa_1-xN(0≤x≤1)构成的载流子供应层13，所述载流子供应层13提供在所述沟道层12上方并且包括至少一个p型层；以及源电极15S、漏电极15D和栅电极17，它们设置成通过所述p型层面向所述沟道层12，并提供在所述载流子供应层13上方。满足下面的关系表达式：5.6×10¹¹x＜N_A×η×t[cm^-2]＜5.6×10¹³x，其中x表示所述载流子供应层的Al组分比例，t表示所述p型层的厚度，N_A表示杂质浓度，以及η表示活化比率。
场效应晶体管

[发明专利]场效应晶体管-CN200780011908.0无效
发明人：中山达峰;安藤裕二;宫本广信;冈本康宏;井上隆;大田一树;村濑康裕;黑田尚孝 -专利权人：日本电气株式会社
申请日： 2007-03-23 - 公布日： 2009-04-22 - 主分类号： H01L21/338 文献下载
摘要：一种场效应晶体管(100)包括包含异质结的III-V族氮化物半导体层结构；彼此分离地形成在所述III-V族氮化物半导体层结构上的源电极(105)和漏电极(106)；栅电极(110)，其布置在所述源电极(105)和所述漏电极(106)之间；以及绝缘层(107)，其在所述栅电极(110)和所述漏电极(106)之间的区域内和在所述源电极(105)和所述栅电极(110)之间的区域内，通过与所述III-V族氮化物半导体层结构接触来布置。栅电极(110)的一部分掩埋在所述III-V族氮化物半导体层结构内，并且在所述III-V族氮化物半导体层与所述绝缘层(107)之间的界面的栅电极侧端与所述栅电极(110)隔离。
场效应晶体管

[发明专利]场效应晶体管和用于制备场效应晶体管的多层外延膜-CN200680053382.8有效
发明人：井上隆;中山达峰;安藤裕二;村濑康裕;大田一树;宫本广信;山之口胜己;黑田尚孝;分岛彰男;冈本康宏 -专利权人：日本电气株式会社
申请日： 2006-10-25 - 公布日： 2009-03-18 - 主分类号： H01L21/338 文献下载
摘要：本发明提供一种第III族氮化物型场效应晶体管，该场效应晶体管通过在缓冲层中传导残余载流子而降低漏电流分量，并且实现了击穿电压的提高，且提高了沟道的载流子限制效应(载流子限制)以改善夹断特性(以抑制短沟道效应)。例如，在将本发明应用于GaN型场效应晶体管时，除了沟道层的GaN外，还将铝组分向顶部逐渐或阶梯式降低的组分-调制的(组分-梯度)AlGaN层用作缓冲层(异质缓冲)。对于将要制备的FET的栅极长度Lg，选择电子供应层和沟道层的层厚度之和a，以满足Lg/a≥5，并且在这样的情况下，在不超过在沟道层中室温下积累的二维电子气的德布罗意波长的5倍(约500)的范围内选择沟道层的层厚度。
场效应晶体管用于制备多层外延