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[实用新型]电化学装置-CN201020639398.0有效
发明人：塚本直人;内田清志;长谷川浩昭 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2010-11-29 - 公布日： 2011-08-24 - 主分类号： H01G9/016 文献下载
摘要：本实用新型所涉及的电化学装置，具备：包含金属膜的封装体；被装入到封装体内的电池素体；至少被设置于封装体密封部内侧的树脂层、从电池素体通过封装体密封部的树脂层间而延伸至封装体外部的引线；引线的在密封部中的形状是表面和背面共同地由曲面所构成。密封部中的在引线宽度方向中央位置附近的引线的最大厚度Z1和在引线宽度方向端部位置上的厚度Z11满足Z11＜Z1的关系。该电化学装置为高质量的电子元件。
电化学装置

[发明专利]电化学装置以及其制造方法-CN201010574437.8有效
发明人：塚本直人;内田清志;长谷川浩昭 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2010-11-29 - 公布日： 2011-06-08 - 主分类号： H01G9/016 文献下载
摘要：本发明所涉及的电化学装置，具备：包含金属膜的封装体；被装入到封装体内的电池素体；至少被设置于封装体密封部内侧的树脂层、从电池素体通过封装体密封部的树脂层间而延伸至封装体外部的引线；引线的在密封部中的形状是表面和背面共同地由曲面所构成。密封部中的在引线宽度方向中央位置附近的引线的最大厚度Z1和在引线宽度方向端部位置上的厚度Z11满足Z11＜Z1的关系。该电化学装置为高质量的电子元件。
电化学装置及其制造方法

[发明专利]薄膜电容器的制造方法-CN200680027392.4有效
发明人：齐田仁;内田清志;堀野贤治;相泽英里 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2006-07-28 - 公布日： 2008-07-30 - 主分类号： H01G4/12 文献下载
摘要：在本发明中，其目的在于提供一种薄膜电容器的制造方法，可同时实现钛酸钡锶薄膜的容量密度的提高以及泄漏电流密度的降低。在薄膜电容器制造方法中具有，烧成有机电介质原料而形成钛酸钡锶薄膜的金属氧化物薄膜形成工序，使烧成氛围为含氧不活泼气体氛围，而形成具有比在氧氛围中烧成的钛酸钡锶薄膜的容量密度大的容量密度的钛酸钡锶薄膜。
薄膜电容器制造方法

[发明专利]薄膜电容器及其制造方法-CN200710089801.X有效
发明人：齐田仁;佐屋裕子;内田清志;堀野贤治 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2007-03-30 - 公布日： 2007-10-03 - 主分类号： H01G4/33 文献下载
摘要：本发明提供一种高容量且低泄漏电流的薄膜电容器的制造方法。在镍纯度大于等于99.99重量％的镍基板(10)上形成含有有机金属化合物的前驱电介质层(11D)后，进行退火，使前驱电介质层(11D)变为电介质层(11)。由此，将镍基板(10)中含有的一种或多种杂质(例如铁、钛、铜、铝、镁、锰、硅及铬中的至少之一)在退火中从镍基板(10)向前驱电介质层(11D)扩散的扩散量抑制在微量。
薄膜电容器及其制造方法

[发明专利]电介质膜的制造方法以及电容器-CN200610107900.1有效
发明人： 内田清志;堀野贤治;齐田仁 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2006-07-28 - 公布日： 2007-01-31 - 主分类号： H01G4/008 文献下载
摘要：本发明为一种电容器，包括电介质膜和夹着该电介质膜相向设置的第一电极以及第二电极，电介质膜具有超过根据格子常数算出的理论密度的72％的密度。第一电极及所述第二电极的至少一方，含有选自Cu、Ni、Al、不锈钢以及铬镍铁合金的至少一种金属。
电介质制造方法以及电容器

[发明专利]电介质薄膜、薄膜电介质元件及其制造方法-CN200510119998.8有效
发明人： 内田清志;堀野贤治;齐田仁 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2005-09-30 - 公布日： 2006-06-21 - 主分类号： H01G4/12 文献下载
摘要：本发明提供一种相对介电常数高、漏电流密度小、物理特性和电气特性稳定的电介质薄膜，并且提供高容量且高可靠性的薄膜电容器等薄膜电介质元件及其制造方法。薄膜电介质元件制造方法含有具有由组成式(Ba_xSr_(1－x))_aTiO₃ (0.5＜x≤1.0、0.96＜a≤1.00)表示的氧化物、例如钛酸钡锶且厚度为500nm以下的电介质薄膜、以及在导电电极上形成该电介质薄膜之后在氧化性气氛中进行退火工序。
电介质薄膜元件及其制造方法

[发明专利]磁性石榴石单晶膜形成用基板及其制造方法、光学元件及其制造方法-CN200480008878.4无效
发明人： 内田清志;坂下幸雄;大井户敦 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2004-01-28 - 公布日： 2006-05-03 - 主分类号： C30B29/28 文献下载
摘要：一种制造用以使磁性石榴石单晶膜液相外延生长的磁性石榴石单晶膜形成用基板2的方法。首先，形成由对用以使液相外延生长使用的熔剂不稳定的石榴石系单晶构成的衬底基板10。接着，在衬底基板10的至少一个结晶培养面上形成由对熔剂稳定的石榴石系单晶薄膜构成的缓冲层11。在该衬底基板10上形成缓冲层11时无需主动地加热基板，用溅射法等薄膜形成法在衬底基板10上形成缓冲层11。
磁性石榴石单晶膜形成用基板及其制造方法光学元件

[发明专利]磁性石榴石单晶膜形成用基板、光学元件及其制造方法-CN200480008681.0无效
发明人： 内田清志;坂下幸雄;大井户敦 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2004-01-28 - 公布日： 2006-05-03 - 主分类号： C30B29/28 文献下载
摘要：用于液相外延生长不产生结晶缺陷、翘曲、裂纹、剥离等的厚膜状的磁性石榴石单晶膜的磁性石榴石单晶膜形成用基板(2)。该基板(2)具备：基底基板(10)，其包含对于液相外延生长所用的助熔剂不稳定的石榴石类单晶；缓冲层(11a)，其在基底基板(10)中结晶培育面(10a)上形成、且包含对于助熔剂稳定的石榴石类单晶薄膜；以及保护层(11b)，其至少在与基底基板(10)中结晶培育面交叉的所述基底基板的侧面(10b)形成、且对于助熔剂稳定。使用该基板，能够制备高质量的磁性石榴石单晶膜。该磁性石榴石单晶膜能够作为光隔离器、光环形器、光磁传感器等所用的法拉第元件等光学元件使用。
磁性石榴石单晶膜形成用基板光学元件及其制造方法

[发明专利]电介质薄膜、薄膜电容元件及其制造方法-CN200510108020.1无效
发明人： 内田清志;堀野贤治;斋田仁 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2005-09-29 - 公布日： 2006-04-05 - 主分类号： H01G4/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种电介质薄膜，以组成式(Ba_1－xSr_x)_yTiO₃(0.18≤x≤0.45、0.96≤y≤1.04)表示，当X射线衍射图中的(100)面的衍射线峰值强度记为I(100)、(110)面的衍射线峰值强度记为I(110)时，其峰值强度比I(100)/I(110)为0.02～2.0。
电介质薄膜电容元件及其制造方法

[发明专利]磁性石榴石单晶膜形成用衬底、光学元件及其制备方法-CN02816498.9无效
发明人：坂下幸雄;川崎克己;大井户敦;守越广树;内田清志;山泽和人 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2002-06-21 - 公布日： 2004-11-17 - 主分类号： C30B29/28 文献下载
摘要：本发明涉及为液相外延生长磁性石榴石单晶膜的磁性石榴石单晶膜形成用衬底，和使用该衬底进行晶体生长的单晶膜的制备方法和通过该制备方法制备的单晶膜以及光学元件。该衬底(2)具有对为进行液相外延生长所使用的熔融溶液不稳定的石榴石系单晶形成的衬底基板(10)，和在前述衬底基板(10)上形成的对前述熔融溶液稳定的石榴石系单晶薄膜形成的缓冲层(11)。使用该衬底(2)可以制备优质的磁性石榴石单晶膜(12)。该磁性石榴石单晶膜(12)可以作为用于光学隔离器、光学循环器、光磁传感器等法拉第元件等的光学元件使用。
磁性石榴石单晶膜形成衬底光学元件及其制备方法

[发明专利]声表面波器件及其基片-CN00117890.3无效
发明人：井上宪司;福田承生;佐藤胜男;守越広树;川嵜克己;内田清志 -专利权人： TDK股份有限公司
申请日： 2000-06-02 - 公布日： 2004-01-14 - 主分类号： H03H9/25 文献下载
摘要：一种电气机械耦合系数大和SAW速度低的声表面波器件的压电基片，和利用该基片的声表面波器件，使用属于点族32和晶体结构Ca₃Ga₂Ce₄O₁₄的单晶，基本成分可用化学式La_3-xSr_xTa_0.5-0.5xGa_5.5-0.5xO₁₄表示。Sr的成分比在0＜x≤0.15范围内。还提供一种声表面波器件，叉指式指形电极作在基片的一主要表面上。当从单晶上切下来的基片的切割角度和表面声波的传播方向用欧拉角度(φ，θ，ψ)表示时，选择这些角度，可得到适当的特性。
表面波器件及其

[发明专利]表面声波装置-CN99801591.1无效
发明人：井上宪司;佐藤胜男;守越広树;川嵜克己;内田清志 -专利权人： TDK股份有限公司
申请日： 1999-09-13 - 公布日： 2003-12-03 - 主分类号： H03H9/25 文献下载
摘要：一种表面声波装置有一块压电材料基片，基片性质包括利于展宽通频带宽度的机电耦合系数，利于使表面声波装置结构紧凑的SAW速度。压电材料基片由属于点集32化学式为Sr3TaGa3Si2O14的单晶体构成。如其切割角度和表面声波传播方向均在区域1-1内，由欧拉角度(Φ，θ，Ψ)表示的区域1-1，满足Φ＝25°～35°，θ＝20°～90°，Ψ＝-40°～40°，也可在区域1-2内，其满足Φ＝25°～35°，θ＝20°～90°，Ψ＝-25°～25°。
表面声波装置

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