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专利名称

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申请人
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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]电子设备-CN201410184414.4有效
发明人：金孝俊;具滋春;闵盛奎;白承范;赵炳直;周元基;金显圭;李锺哲 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2014-05-04 - 公布日： 2018-10-09 - 主分类号： H01L27/24 文献下载
摘要：一种半导体存储器可以包括：第一层叠结构，其包括设置在衬底之上并沿着第一方向延伸的第一字线、设置在第一字线之上并沿着与第一方向交叉的第二方向延伸的第一位线、以及插入在第一字线和第一位线之间的可变电阻层；以及第二层叠结构，其包括设置在第一层叠结构之上并沿着第二方向延伸的第二位线、设置在第二位线之上并沿着第一方向延伸的第二字线、以及插入在第二字线和第二位线之间的第二可变电阻层；以及第一选择元件层，被插入在第一位线和第二位线之间。
电子设备

[发明专利]阻变存储器件以及具有其的存储装置和数据处理系统-CN201310198834.3有效
发明人：李根;姜世勋;具滋春;洪权 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2013-05-24 - 公布日： 2017-07-14 - 主分类号： G11C13/02 文献下载
摘要：提供一种可利用低功耗操作的阻变存储器件和包括所述阻变存储器件的存储装置和数据处理系统。所述阻变存储器件包括包含10wt%至60wt%（原子重量）的硒（Se）或碲（Te）的硫族化合物。
存储器件以及具有装置数据处理系统

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201210241803.7有效
发明人：张世亿;梁洪善;具滋春;李升龙 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2009-10-30 - 公布日： 2012-10-31 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：一种半导体器件及其制造方法，所述半导体器件包括：衬底；在所述衬底中形成的沟槽；填充所述沟槽的下部的内埋式栅极；形成在所述内埋式栅极上以填充所述沟槽的上部的层间电介质层；以及覆盖包括所述层间电介质层的所述衬底的整个表面的保护层。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]形成超低介电层用模板衍生物及其形成超低介电层的方法-CN201110359388.0有效
发明人：闵成圭;具滋春;安尚太;丁彩吾;安贤珠;李孝硕;金银贞;金赞培 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2007-12-27 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： C07H23/00 文献下载
摘要：将反应性环糊精衍生物或反应性葡萄糖衍生物用作用于形成超低介电层的模板衍生物。由其末端含有Si-H的反应性环糊精衍生物或反应性葡萄糖衍生物形成层，然后将所述层在过氧化氢气氛中固化以形成超低介电层。
形成超低介电层用模板衍生物及其超低介电层方法

[发明专利]具有阻变器件的半导体器件-CN201110413950.3有效
发明人：白承范;具滋春;李泳昊;金珍赫 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2011-12-13 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体存储器件，半导体存储器件包括：多个字线，所述多个字线垂直地形成在半导体衬底的表面上，其中，所述多个字线中的每一对字线形成字线组；位线，所述位线被形成为平行于半导体衬底的表面，并且在构成一个字线组的每一对字线之间层叠有多个所述位线；以及单位存储器单元，所述单位存储器单元被设置在各个位线与字线组中的一个字线组的一对字线中的相邻的一个字线之间。
具有器件半导体器件

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN200910207772.1有效
发明人：张世亿;梁洪善;具滋春;李升龙 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2009-10-30 - 公布日： 2010-08-04 - 主分类号： H01L27/04 文献下载
摘要：一种半导体器件以及制造方法，所述半导体器件包括：衬底，所述衬底包括沟槽；填充所述沟槽的一部分的内埋式栅极；层间电介质层，其形成在内埋式栅极上以间隙填充所述沟槽的剩余部分；及保护层，其基本上覆盖包括所述层间电介质层的衬底的整个表面。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]可以避免有源区宽度减小的半导体装置的制造方法-CN200810096254.2无效
发明人：安尚太;具滋春;金完洙;金银贞 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2008-05-06 - 公布日： 2009-06-24 - 主分类号： H01L21/822 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体装置的制造方法，所述方法可以避免隔离结构的丧失并且还可以稳定地形成外延硅层。所述半导体装置的制造方法包括在具有有源区和隔离区的半导体衬底中界定沟槽。所述沟槽部分用第一绝缘层填充。蚀刻保护层形成于用所述第一绝缘层填充的沟槽的表面上。第二绝缘层被填充在形成有所述蚀刻保护层的沟槽中，从而在半导体衬底的隔离区中形成隔离结构。最后，半导体衬底的有源区的部分被凹入，使得所述隔离结构具有比所述半导体衬底的有源区区高的高度。
可以避免有源宽度减小半导体装置制造方法

[发明专利]形成超低介电层用模板衍生物及其形成超低介电层的方法-CN200710180063.X无效
发明人：闵成圭;具滋春;安尚太;丁彩吾;安贤珠;李孝硕;金银贞;金赞培 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2007-12-27 - 公布日： 2008-07-23 - 主分类号： C08L5/16 文献下载
摘要：将反应性环糊精衍生物或反应性葡萄糖衍生物用作用于形成超低介电层的模板衍生物。由其末端含有Si－H的反应性环糊精衍生物或反应性葡萄糖衍生物形成层，然后将所述层在过氧化氢气氛中固化以形成超低介电层。
形成超低介电层用模板衍生物及其超低介电层方法

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