“具滋明”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果20个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]基板加工装置及基板加工方法-CN202211727746.3在审
发明人：安灿瑢;具滋明;柳尙汶;赵台勋 -专利权人：细美事有限公司
申请日： 2022-12-30 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明构思提供了一种基板加工装置。该基板加工装置可以包括：具有内部空间的腔室；在该内部空间中支承基板的支承单元；环单元，当从上方观察时，该环单元设置在该支承单元的边缘区域上；电连接至该环单元的阻抗控制单元、以控制该基板的边缘区域中的等离子体的流动或密度；设置在该环单元与该阻抗控制单元之间的滤波器单元。
加工装置方法

[发明专利]衬底处理装置、谐波控制单元和谐波控制方法-CN202211716292.X在审
发明人： 具滋明;金炯俊;罗世源 -专利权人：细美事有限公司
申请日： 2022-12-29 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：公开了一种衬底处理装置。该衬底处理装置包括：腔室，其具有内部空间；支撑单元，其在内部空间中支撑衬底；环形单元，在俯视时其布置在支撑单元的边缘区域上；电源单元，其产生用于在内部空间中形成电场的RF功率；以及谐波控制单元，其连接到环形单元以控制由RF功率产生的谐波。
衬底处理装置谐波控制单元方法

[发明专利]基板处理装置、基板处理方法和等离子体产生方法-CN202211650553.2在审
发明人： O·嘉尔斯蒂安;S·阿拉克良;具滋明 -专利权人：细美事有限公司
申请日： 2022-12-21 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：提供了一种基板处理装置。该基板处理装置可以包括：具有内部空间的腔室；电极，被配置用于在内部空间中产生等离子体；以及电源单元，被配置用于向电极施加射频电压，其中电源单元可以包括：第一电源，被配置用于向电极施加具有第一频率的第一脉冲电压；第二电源，被配置用于向电极施加具有第二频率的第二脉冲电压，所述第二频率不同于所述第一频率；第三电源，被配置用于施加具有第三频率的射频电压，所述第三频率不同于所述第一频率和所述第二频率；以及相位控制构件，用于控制所述第一脉冲电压的相位和所述第二脉冲电压的相位中的至少一者。
处理装置方法等离子体产生

[发明专利]等离子体工艺设备的电缆长度选定方法及装置-CN202211345917.6在审
发明人：赵台勋;成晓星;金智贤;具滋明 -专利权人：细美事有限公司
申请日： 2022-10-31 - 公布日： 2023-06-20 - 主分类号： G01R27/02 文献下载
摘要：本发明公开了作为等离子体工艺设备的电缆长度选定方法及电缆长度选定装置，用于选定等离子体工艺设备的电力供应电缆的长度的方案，所述等离子体工艺设备通过几十MHz以上的RF频率的电力供应进行等离子体工艺。等离子体工艺设备的电缆长度选定方法包括：阻抗测定步骤，测定要适用的电源供应电缆的阻抗；电长度计算步骤，基于测定的阻抗计算电源供应电缆的电长度；以及电缆长度确定步骤，基于计算的电长度确定电源供应电缆的长度。等离子体工艺设备的电缆长度选定装置包括：阻抗测定部，测定要适用的电源供应电缆的阻抗；电长度计算部，基于测定的阻抗计算电源供应电缆的电长度；以及电缆选定部，基于电长度确定电源供应电缆。
等离子体工艺设备电缆长度选定方法装置

[发明专利]支承单元和包括该支承单元的基板处理装置-CN202210928718.1在审
发明人： 具滋明;具重谟;李俊虎;安宗焕;罗世源 -专利权人：细美事有限公司
申请日： 2018-10-30 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明涉及支承单元和包括该支承单元的基板处理装置。基板处理装置包括：腔室，在该腔室内部具有处理空间；支承单元，其配置为支承基板；气体供应单元，其配置为将气体供应到处理空间中；和等离子体源，其配置为生成等离子体，其中，支承单元包括：支承板，基板定位在该支承板上；环组件，其围绕支承板的周围并具有环形电极；和电压施加单元，其配置为通过向环形电极施加电压来控制等离子体到基板上的入射角，且其中，电压施加单元包括：导电材料的底板；直流电源，其配置为向底板施加直流电压；和多个连接体，其连接底板和环形电极，由导电材料形成。
支承单元包括处理装置

[发明专利]基板处理装置及基板处理方法-CN201910957784.X有效
发明人：肖特拉克尔言;具滋明;安宗焕 -专利权人：细美事有限公司
申请日： 2019-10-10 - 公布日： 2022-08-23 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种基板处理装置及基板处理方法，基板处理装置的特征在于，包括：处理腔室，提供基板处理空间；卡盘部件，设置于所述处理腔室内并支承基板；环部件，以围绕所述卡盘部件的方式提供；边缘电极，使与所述卡盘部件电绝缘的方式布置于所述环部件；边缘阻抗控制器，与所述边缘电极电连接并调节所述边缘电极的电位；以及耦合补偿器，连接于所述卡盘部件与所述边缘电极之间，并以能够抵消或调节所述卡盘部件与所述边缘电极之间的耦合的方式提供。
处理装置方法

[发明专利]支承单元和包括该支承单元的基板处理装置-CN201811276800.0有效
发明人： 具滋明;具重谟;李俊虎;安宗焕;罗世源 -专利权人：细美事有限公司
申请日： 2018-10-30 - 公布日： 2022-08-23 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：基板处理装置包括：腔室，在该腔室内部具有处理空间；支承单元，其配置为支承基板；气体供应单元，其配置为将气体供应到处理空间中；和等离子体源，其配置为生成等离子体，其中，支承单元包括：支承板，基板定位在该支承板上；环组件，其围绕支承板的周围并具有环形电极；和电压施加单元，其配置为通过向环形电极施加电压来控制等离子体到基板上的入射角，且其中，电压施加单元包括：导电材料的底板；直流电源，其配置为向底板施加直流电压；和多个连接体，其连接底板和环形电极，由导电材料形成。
支承单元包括处理装置

[发明专利]基板处理装置和基板处理方法-CN202111633984.3在审
发明人：桑特·阿雷克赖恩;具滋明 -专利权人：细美事有限公司
申请日： 2021-12-29 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明构思提供了一种基板处理装置和基板处理方法。该基板处理装置包括工艺腔室，在该工艺腔室中具有处理空间；支承单元，其用于在所述工艺腔室中支承基板；气体供应单元，其用于将工艺气体供应到所述工艺腔室内部；以及等离子体产生单元，其用于从所述工艺气体产生等离子体，其中，所述等离子体产生单元包括：顶部电极，其设置在所述基板上方；底部电极，其设置在所述基板下方；边缘电极，其设置在围绕所述基板的边缘处；三个高频电源，其将高频功率施用至所述底部电极；以及边缘阻抗控制电路，其连接至所述边缘电极。
处理装置方法

[发明专利]用于多电平脉冲的装置及包括其的基板处理装置-CN202111426087.5在审
发明人：朴君昊;具重谟;具滋明;金铉镇 -专利权人：细美事有限公司
申请日： 2021-11-25 - 公布日： 2022-05-31 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供当利用具有多个脉冲电平的射频信号产生等离子体时，使电力反射最小化的用于多电平脉冲的装置和包括其的基板处理装置。所述装置包括：射频信号产生器，生成包括彼此不同的第一脉冲电平和第二脉冲电平的射频信号；以及匹配网络，接收所述射频信号，并向负载提供对应的输出信号，其中，所述射频信号产生器以所述第一脉冲电平的第一目标阻抗和所述第二脉冲电平的第二目标阻抗彼此不同的方式生成射频信号。
用于电平脉冲装置包括处理

[发明专利]基板处理装置和阻抗匹配方法-CN202111369779.0在审
发明人：金永国;赵台勋;朴君昊;具滋明 -专利权人：细美事有限公司
申请日： 2021-11-16 - 公布日： 2022-05-17 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：公开了一种用于处理基板的装置。该装置包括：RF电源；处理腔室，其利用从RF电源施加的功率执行等离子体处理；和阻抗匹配单元，其设置在RF电源和处理腔室之间并执行匹配，其中，RF电源包括测量在处理腔室和阻抗匹配单元的方向上的阻抗的第一传感器，并且阻抗匹配单元通过反映在RF电源中经由第一传感器测量的阻抗来执行阻抗匹配。
处理装置阻抗匹配方法

[发明专利]用于处理基板的装置和用于处理基板的方法-CN202111294651.2在审
发明人：金永国;S·阿拉克颜;闵堤泓;赵台勋;具滋明 -专利权人：细美事有限公司
申请日： 2021-11-03 - 公布日： 2022-05-06 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明构思提供一种基板处理装置。该基板处理装置包括：处理室，其具有内部处理空间；支撑单元，其在处理空间中支撑基板；气体供应单元，其将处理气体供应至处理空间中；和RF电源，其提供RF信号以将处理气体激发成等离子体状态，其中支撑单元包括：边缘环，其环绕基板；耦合环，其设置在边缘环下方并在其中包括电极；和线缆，其与电极连接，其中将线缆的端部接地。
用于处理装置方法

[发明专利]用于处理基板的装置和方法-CN202010607960.X在审
发明人： 具滋明;安宗焕;朴君昊;赵台勋;桑特·阿雷克赖恩 -专利权人：细美事有限公司
申请日： 2020-06-29 - 公布日： 2020-12-29 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明涉及用于处理基板的装置和方法。一种基板处理装置包括：腔室，该腔室中具有工艺空间；基板支承单元，其在工艺空间中支承基板；气体供应单元，其将气体供应至工艺空间；和等离子体生成单元，其从气体生成等离子体。其中，基板支承单元包括：基板支承部件，其支承基板；聚焦环，其围绕基板支承部件；绝缘体，其位于聚焦环的下方，且具有形成在其中的凹槽；电极，其设置在形成于绝缘体中的凹槽中；以及阻抗控制器，阻抗控制器与电极连接，且调节电极的阻抗，并且阻抗控制器包括：共振控制电路，其调节施加到电极的电流的最大值；以及阻抗控制电路，其控制基板的边缘区域的等离子体离子的入射角。
用于处理装置方法

[发明专利]等离子体处理装置以及等离子体处理方法-CN202010451032.9在审
发明人： 具滋明;肖特拉克尔言;具重谟;赵台勋 -专利权人：细美事有限公司
申请日： 2020-05-25 - 公布日： 2020-12-29 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明涉及等离子体处理装置以及等离子体处理方法。等离子体处理装置的特征在于，包括：处理腔室，提供等离子体产生空间；卡盘部件，设置于处理腔室内，并支承基板；两个以上的RF电源，向卡盘部件提供彼此不同频率的RF电力；环部件，提供成围绕卡盘部件；边缘电极，在环部件布置成与卡盘部件电绝缘；边缘阻抗控制器，包括与边缘电极电连接而调节边缘电极的电位的阻抗控制电路；以及高频截止部，包括在边缘阻抗控制器中，并进行向阻抗控制电路不输送高频电力的截止。
等离子体处理装置以及方法

[发明专利]基板支撑单元、包括其的基板处理装置及其控制方法-CN201710905447.7有效
发明人： 具滋明;安宗焕;南信祐;卢收练 -专利权人：细美事有限公司
申请日： 2017-09-29 - 公布日： 2020-10-09 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明构思的目的是通过减少设置在基板支撑件的圆周处的环形件的磨损程度来延长更换周期。一种基板处理装置包括：腔室，其内部具有处理空间；支撑单元，支撑处理空间内的基板；气体供应单元，配置为将处理气体供应到处理空间；和等离子体源，配置为从处理气体产生等离子体。支撑单元包括：静电吸盘，其上放置基板；第一环形件，围绕放置在静电吸盘上的基板的圆周；第二环形件，围绕静电吸盘的圆周，并由绝缘材料制成；插入体，设置于第二环形件中，并由导电材料制成；和阻抗控制单元，配置为调节插入体的阻抗。
支撑单元包括处理装置及其控制方法

[发明专利]等离子体生成装置，包括该装置的基板处理装置，以及等离子体生成装置的控制方法-CN201910725903.9在审
发明人：奥格森·加尔斯蒂安;金荣斌;具滋明;安宗焕 -专利权人：细美事有限公司
申请日： 2019-08-07 - 公布日： 2020-02-21 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：一种基板处理装置包括：腔室，腔室中具有在其中处理基板的空间；支承腔室中的基板的支承单元；将气体供应到腔室中的气体供应单元；以及将腔室中的气体激发至等离子体状态的等离子体生成单元。等离子体生成单元包括：高频电源；连接至高频电源的一端的第一天线；与第一天线并联连接的第二天线；以及将电流分配至第一天线和第二天线的分流器。分流器包括：设置在第一天线和第二天线之间的第一电容器；与第二天线并联连接的第二电容器；以及与第二天线串联连接的第三电容器。第二电容器和第三电容器用可变电容器来实施。
等离子体生成装置包括处理以及控制方法

1
2
下一页»
尾页
共 20 条