“兰修凯”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果7个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]自旋轨道矩磁随机存储器及其操作方法-CN202310193300.5在审
发明人：王开友;兰修凯;阿贝贝;雷坤 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2023-02-28 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： H10N50/80 文献下载
摘要：本发明公开了一种自旋轨道矩磁随机存储器，包括多个存储单元，每个存储单元包括：轨道霍尔层，适用于在面内电流的作用下产生轨道极化流；磁隧道结，从下而上依次包括：磁自由层，适用于在扩散至磁自由层的面内电流和轨道极化流的作用下产生沿第一自旋方向的自旋极化流和沿与第一自旋方向相反的第二自旋方向的自旋极化流；磁自由层具有垂直各向异性；隧穿绝缘层；磁钉扎层；反铁磁层或人工反铁磁层；其中，沿第一自旋方向的自旋极化流和与第一自旋方向具有相反自旋方向的沿第二自旋方向的自旋极化流产生竞争自旋流效应，诱导磁自由层的磁化方向发生确定性翻转，以向存储单元存储信息。
自旋轨道随机存储器及其操作方法

[发明专利]自旋轨道矩磁随机存储器及其操作方法-CN202310212574.4在审
发明人：王开友;雷坤;阿贝贝;兰修凯 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2023-02-28 - 公布日： 2023-04-21 - 主分类号： H10N50/80 文献下载
摘要：本发明公开了一种自旋轨道矩磁随机存储器，包括多个存储单元，每个存储单元包括：轨道霍尔层，适用于在面内电流的作用下产生轨道极化流；合金材料层，包括具有相反极性的自旋轨道转换系数的合金材料，适用于在流经合金材料层的面内电流和轨道极化流的作用下产生沿第一自旋方向的自旋极化流和沿与第一自旋方向相反的第二自旋方向的自旋极化流；磁隧道结，自下而上依次包括：磁自由层，隧穿绝缘层，磁钉扎层，反铁磁层或者人工反铁磁层；保护层；其中，沿第一自旋方向的自旋极化流和与第一自旋方向具有相反自旋方向的沿第二自旋方向的自旋极化流产生竞争自旋流效应，诱导磁自由层的磁矩发生定向翻转，以向存储单元存储信息。
自旋轨道随机存储器及其操作方法

[发明专利]基于全二维材料的室温全电控磁存储单元及存储器-CN202211512938.2在审
发明人：王开友;朱文凯;林海龙;兰修凯 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2022-11-25 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H10B61/00 文献下载
摘要：提供一种基于全二维材料的室温全电控磁存储单元，包括自下而上堆叠设置的强自旋轨道耦合范德华层、室温范德华磁性自由层、范德华空间层和室温范德华磁性固定层；强自旋轨道耦合范德华层由具有低对称性晶体结构的强自旋轨道耦合二维材料构成，在施加电信号时产生面外极化的自旋流，驱动室温范德华磁性自由层实现定向无外磁场纯电控翻转；室温范德华磁性自由层为具有超室温居里温度且垂直磁各向异性的二维磁性层，磁矩方向通过电信号极性控制；范德华空间层由具有半导体或绝缘体带隙和电阻率的二维范德华材料构成；室温范德华磁性固定层为具有超室温居里温度且垂直磁各向异性的二维磁性层，磁矩方向固定，不随电信号极性变化。还提供一种磁存储器。
基于二维材料室温全电控磁存储单元存储器

[发明专利]基于二维异质结的室温全电控磁存储单元及存储器-CN202211496927.X在审
发明人：王开友;林海龙;朱文凯;兰修凯 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2022-11-25 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： H10B61/00 文献下载
摘要：提供一种基于二维异质结的室温全电控磁存储单元，包括自下而上堆叠设置的竞争自旋流合金层、室温范德华磁性自由层、范德华空间层和室温范德华磁性固定层；竞争自旋流合金层由相反自旋霍尔角的合金材料或自旋霍尔角相反的过渡金属元素组成的合金组成，通过竞争自旋流效应产生的额外的面外极化的自旋流实现室温范德华磁性自由层无外磁场辅助的纯电控磁翻转；室温范德华磁性自由层为具有超室温居里温度且垂直磁各向异性的二维磁性层；范德华空间层由具有半导体或绝缘体带隙和电阻率的二维范德华材料构成；室温范德华磁性固定层为具有超室温居里温度且垂直磁各向异性的二维磁性层，磁矩方向固定，不随电信号极性的变化而变化。还提供一种磁存储器。
基于二维异质结室温全电控磁存储单元存储器

[发明专利]条件概率比特电路、M-H采样方法、装置、设备及介质-CN202211205486.3在审
发明人：王开友;雷坤;兰修凯 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2022-09-29 - 公布日： 2022-12-23 - 主分类号： G06N7/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种条件概率比特电路，应用于数据采样技术领域，包括：多个基本单元，每个该基本单元为一个概率比特单元，每个该概率比特单元包括第一晶体管、第二晶体管和自旋轨道矩磁隧道结，该第一晶体管、第二晶体管和自旋轨道矩磁隧道结之间通过多条电路连线连接，多个该概率比特单元的相同信号端之间通过同一该电路连线连接。本发明还提供了一种基于所述条件概率比特电路的Metropolis‑Hasting(M‑H)采样方法、装置、设备及介质。
条件概率比特电路采样方法装置设备介质

[发明专利]自旋轨道矩器件及其操作方法、装置-CN202110477473.0有效
发明人：王开友;兰修凯;曹易;张楠;李润泽 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2021-04-29 - 公布日： 2022-10-04 - 主分类号： G11C11/16 文献下载
摘要：本公开提供了一种自旋轨道矩器件的操作方法，其中，自旋轨道矩器件包括设置于表面的图形化电极，图形化电极包括至少一个输入端和至少一个接地端，操作方法包括：对图形化电极的每个输入端施加电压脉冲，以调节图形化电极的电流密度梯度，电流密度梯度用于确定自旋轨道矩器件的磁化翻转概率。此外，本公开还提供了一种自旋轨道矩器件及其操作装置。
自旋轨道器件及其操作方法装置

[发明专利]基于概率比特电路的问题求解优化方法及系统-CN202110821974.6在审
发明人：王开友;兰修凯;李予才;曹易 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2021-07-20 - 公布日： 2021-10-26 - 主分类号： G06F7/58 文献下载
摘要：本公开提供了一种基于概率比特电路的问题求解优化方法及系统。其中，该方法包括：对目标求解问题进行建模转换以获取对应的哈密顿量关系；根据哈密顿量关系，获取概率比特电路的列哈密顿量；以及基于对概率比特电路的行翻转操作，对列哈密顿量进行并行退火迭代处理，以获得更新概率比特组态，实现问题求解优化。因此，相对于现有技术中传统数字计算机的问题求解，本公开实施例的方法通过基于概率比特电路的翻转操作，实现并行概率退火处理的大规模运行，从而实现对问题求解过程的优化，使得问题求解更为精确、快速且问题求解的适用范围更广。
基于概率比特电路问题求解优化方法系统