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[发明专利]存储器设备及形成存储器设备的方法-CN201811563899.2有效
发明人：李奔奔;合田晃;雷米·M·阿卜杜勒拉哈曼;伊恩·C·拉博里安特;克里希纳·K·帕拉 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2018-12-20 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： G11C11/409 文献下载
摘要：本发明涉及存储器设备及形成存储器设备的方法。一些实施例包含设备及形成此类设备的方法。所述设备中的一者包含：第一存储器单元，其定位于所述设备的第一部分中的不同层中；第二存储器单元，其定位于所述设备的第二部分中的不同层中；开关，其定位于所述设备的所述第一部分与所述第二部分之间的第三部分中；第一及第二控制栅极，其存取所述第一及第二存储器单元；额外控制栅极，其定位于所述第一控制栅极与所述第二控制栅极之间以控制所述开关；第一导电结构，其具有一厚度且垂直于所述设备的所述第一部分中的所述层延伸；第一电介质结构，其在所述第一导电结构与所述第一存储器单元的电荷存储部分之间具有第一厚度；第二电介质结构，其在所述第二导电结构与所述额外控制栅极的侧壁之间具有第二厚度，所述第二厚度大于所述第一厚度。
存储器设备形成方法

[发明专利]垂直存储器中的浮动栅极存储器单元-CN201810309077.5有效
发明人：查尔斯·H·丹尼森;合田晃;约翰·霍普金斯;法蒂玛·雅逊·席赛克-艾吉;克里希纳·K·帕拉 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2014-03-05 - 公布日： 2022-04-29 - 主分类号： H01L27/11556 文献下载
摘要：本发明涉及垂直存储器中的浮动栅极存储器单元。控制栅极形成于第一电介质材料叠层与第二电介质材料叠层之间。浮动栅极形成于所述第一电介质材料叠层与所述第二电介质材料叠层之间，其中所述浮动栅极包含朝向所述控制栅极延伸的突出部。电荷阻挡结构形成于所述浮动栅极与所述控制栅极之间，其中所述电荷阻挡结构的至少一部分包覆所述突出部。
垂直存储器中的浮动栅极单元

[发明专利]使用多电平通过信号对存储器进行编程-CN201580044181.0有效
发明人：夏安·桑德·瑞胡那森;普兰纳威·卡拉瓦德;克里希纳·K·帕拉;沙朗·斯尼法珊 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2015-07-14 - 公布日： 2021-06-01 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：本发明提供存储器及用于使用多电平通过信号对存储器进行编程的方法。一种方法包含：对存储器的经选定以待编程到所述存储器的特定目标数据状态的单元进行编程；在对所述存储器的经选定以待编程到所述特定目标数据状态的单元进行编程时使用程序干扰编程所述存储器的经选定以待编程到低于所述特定目标数据状态的目标数据状态的单元；及升压所述存储器的经选定以待编程到低于所述特定目标数据状态的所述目标数据状态的单元的通道电压。升压可包含使用多阶跃通过信号。
使用电平通过信号存储器进行编程

[发明专利]在存储器操作中控制主体电势的设备及方法-CN201380070621.0有效
发明人：赵涵;合田晃;克里希纳·K·帕拉;奥雷柳·贾恩卡洛·毛里;刘海涛;丹沢彻;山田重和;作井浩司 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2013-12-05 - 公布日： 2019-08-09 - 主分类号： G11C16/02 文献下载
摘要：一些实施例包含设备及方法，所述设备具有包含位于所述设备的不同层级中的存储器单元的存储器单元串及耦合到所述存储器单元串的数据线。所述存储器单元串包含与所述存储器单元相关联的柱状主体。此类设备中的至少一者可包含模块，所述模块经配置以将信息存储于多个存储器单元中的一者中，及/或确定存储于多个存储器单元中的一存储器单元中的信息的值。所述模块还可经配置以将具有正值的电压施加到所述数据线及/或源极，以控制所述主体的电势。本发明描述其它实施例。
存储器操作控制主体电势设备方法

[发明专利]垂直存储器中的浮动栅极存储器单元-CN201480024450.2有效
发明人：查尔斯·H·丹尼森;合田晃;约翰·霍普金斯;法蒂玛·雅逊·席赛克-艾吉;克里希纳·K·帕拉 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2014-03-05 - 公布日： 2018-05-04 - 主分类号： H01L27/11556 文献下载
摘要：本发明涉及垂直存储器中的浮动栅极存储器单元。控制栅极形成于第一电介质材料叠层与第二电介质材料叠层之间。浮动栅极形成于所述第一电介质材料叠层与所述第二电介质材料叠层之间，其中所述浮动栅极包含朝向所述控制栅极延伸的突出部。电荷阻挡结构形成于所述浮动栅极与所述控制栅极之间，其中所述电荷阻挡结构的至少一部分包覆所述突出部。
垂直存储器中的浮动栅极单元

[发明专利]包含源极栅极的设备及方法-CN201280043709.9有效
发明人：合田晃;塞夫奎特·艾哈迈德;哈立德·哈斯纳特;克里希纳·K·帕拉 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2012-08-14 - 公布日： 2014-05-07 - 主分类号： G11C16/02 文献下载
摘要：本发明揭示设备及方法，例如包含以下各项的设备：电荷存储装置串，其与柱(例如，为半导体材料)相关联；源极栅极装置；及源极选择装置，其耦合于所述源极栅极装置与所述串之间。描述额外设备及方法。
包含栅极设备方法

[发明专利]形成集成电路的方法及所得结构-CN201080009005.0有效
发明人：古尔特杰·S·桑胡;克里希纳·K·帕拉 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2010-02-22 - 公布日： 2012-01-18 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：本发明揭示用于在不具有电路的受主衬底上制造集成电路装置的方法。通过在受主衬底上顺序地安置一个或一个以上半导体材料层级且在安置下一较高层级之前在每一半导体材料层级上制造电路来形成集成电路装置。在囊封所述电路之后，移除所述受主衬底且单分半导体裸片。本发明还揭示通过所述方法形成的集成电路装置。
形成集成电路方法所得结构