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[发明专利]具有认证和物理不可克隆功能的基于MLU的磁性装置以及使用所述MLU装置的认证方法-CN201980020461.6在审
发明人： Q·斯坦纳;M·穆谢尔;Y·孔罗 -专利权人： 克罗科斯科技公司
申请日： 2019-03-18 - 公布日： 2020-10-30 - 主分类号： G11C11/16 文献下载
摘要：本公开涉及基于MLU的磁性装置（100），其包括：多个基于MLU的磁性单元（10），每个MLU单元（10）包括具有第一磁化（210）的第一铁磁层（21）、具有第二磁化（230）的第二铁磁层（23）、以及在第一和第二铁磁层（21、23）之间的间隔层（22）；输入装置（4），其被配置用于生成输入信号（44），输入信号（44）适于改变第一磁化（210）相对于第二磁化（230）的取向、并使MLU装置（100）的电阻（R）变化；位线（3），其被配置用于传递感测信号（31），感测信号（31）适于测量所述电阻（R）；以及处理部件（51），其被配置用于根据感测信号（31）计算电变化，并且输出电变化签名（50）。本公开还涉及用于读取该MLU装置的认证方法。
具有认证物理不可克隆功能基于 mlu 磁性装置以及使用方法

[发明专利]用于在磁性设备中写入的方法-CN201580053109.4有效
发明人： Y.康瑙斯 -专利权人： 克罗科斯科技公司
申请日： 2015-10-02 - 公布日： 2020-10-30 - 主分类号： G11C11/16 文献下载
摘要：用于使用单个编程电流来对磁性设备进行编程的方法，该磁性设备包括多个磁性逻辑部件MLU单元，每个MLU单元都包括具有存储磁化的存储磁性层，该存储磁化在低阈值温度处被钉扣并且在高阈值温度处可自由定向；以及编程线，其与所述多个MLU单元中的每一个物理地分离，并且被配置用于传递编程电流脉冲以对所述多个MLU单元中的任一个进行编程；该方法包括：在场线中传递编程电流以用于将所述多个MLU单元中的每一个的磁性隧道结加热到处于高阈值温度以便不钉扣第二磁化；其中编程电流被进一步适配用于生成编程磁场，其被适配用于在编程方向上切换所述多个MLU单元中的每一个的存储磁化。
用于磁性设备写入方法

[发明专利]磁性逻辑部件单元和用于操作磁性逻辑部件单元的方法-CN201580073547.7有效
发明人： S.班迪伊拉 -专利权人： 克罗科斯科技公司
申请日： 2015-12-23 - 公布日： 2020-09-01 - 主分类号： G01R33/09 文献下载
摘要：用于感测磁场的磁性逻辑部件（MLU）单元包括：磁性隧道结，其包括具有存储磁化的存储层、具有感测磁化的感测层、在存储层和感测层之间的隧道势垒层，以及固定层，所述固定层在低阈值温度下固定存储磁化并且在高阈值温度下使它自由；感测磁化可在低阈值温度和高阈值温度下自由地调准；存储层诱导交换偏置场，其与感测层磁耦合以使得感测磁化趋向于被调准为与存储磁化反平行或平行；隧道势垒层被配置用于生成隧道势垒层和感测层之间的提供附加交换偏置场的间接交换耦合。
磁性逻辑部件单元用于操作方法

[发明专利]用于感测外部磁场的MLU单元和包括MLU单元的磁性传感器装置-CN201580062760.8有效
发明人： S.班迪伊拉 -专利权人： 克罗科斯科技公司
申请日： 2015-11-18 - 公布日： 2020-03-31 - 主分类号： G01R33/09 文献下载
摘要：本公开涉及一种用于感测外部磁场的MLU单元，其包括磁隧道结，所述磁隧道结包含：感测层，其具有适于通过外部磁场定向的感测磁化；参考层，其具有参考磁化；隧道势垒层；具有偏置磁化的偏置层和偏置反铁磁层，所述偏置反铁磁层在低阈值温度下钉扎基本上平行于被钉扎的参考磁化的偏置磁化并在高阈值温度下解放其；在感测层与偏置层之间的偏置耦合层，所述偏置耦合层被配置成用于磁耦合偏置层和感测层使得感测磁化被定向成基本上垂直于被钉扎的偏置磁化和被钉扎的参考磁化。本公开进一步涉及一种用于感测外部磁场的磁性传感器装置，其包括多个MLU单元。
用于外部磁场 mlu 单元包括磁性传感器装置

[发明专利]使用磁隧道结的基于MLU的加速计-CN201580037658.2有效
发明人： A.阿劳尤伊 -专利权人： 克罗科斯科技公司
申请日： 2015-06-30 - 公布日： 2020-02-28 - 主分类号： G01D5/14 文献下载
摘要：本公开涉及一种基于MLU的加速计，包括：至少一个MLU单元，包括位于具有固定的第一磁化方向的第一磁性层与具有能够改变的第二磁化方向的第二磁性层之间的隧道势垒层；检测质量，包括具有引起检测质量场的检测质量磁化的铁磁材料，所述检测质量弹性地悬浮，以便能够在经受加速度向量时沿至少一个方向偏斜，所述检测质量经由所述检测质量场磁耦合到所述至少一个MLU单元；以及读取模块，配置用于确定所述至少一个MLU单元的每个的磁阻，以便从检测质量相对于所述至少一个MLU单元的任一个的偏斜来确定加速度向量。
使用隧道基于 mlu 加速

[发明专利]具有改进的可编程性和灵敏度的基于MLU的磁性传感器-CN201580073510.4有效
发明人： S.班迪伊拉 -专利权人： 克罗科斯科技公司
申请日： 2015-12-23 - 公布日： 2020-02-07 - 主分类号： G01R33/09 文献下载
摘要：本公开涉及用于感测外部磁场的磁性传感器设备，其包括多个MLU单元，每个MLU单元包括磁性隧道结，所述磁性隧道结包括具有可自由地在外部磁场中定向的感测磁化的感测层、具有存储磁化的存储层，以及在感测层和存储层之间的隧道势垒层；磁性传感器设备还包括应力诱导设备，其被配置用于在磁性隧道结上施加各向异性机械应力从而诱导感测层和存储层中的至少一个上的应力诱导的磁各向异性；由应力诱导设备诱导的应力诱导的磁各向异性基本上对应于感测层和存储层中的所述至少一个的净磁各向异性。磁性传感器设备可以被容易地编程并且具有改进的灵敏度。
具有改进可编程灵敏度基于 mlu 磁性传感器

[发明专利]自参考MRAM单元以及包括该自参考MRAM单元的磁场传感器-CN201580053489.1有效
发明人： Q.斯泰纳 -专利权人： 克罗科斯科技公司
申请日： 2015-09-24 - 公布日： 2019-11-26 - 主分类号： G01R33/09 文献下载
摘要：本公开涉及一种自参考MRAM单元，其包括具有固定参考磁化的参考层、具有自由感测磁化的感测层、隧道势垒、具有偏置磁化的偏置层和偏置反铁磁性层，当MRAM单元处于等于或低于偏置阈值温度的温度时该偏置反铁磁性层将偏置磁化钉扣在偏置方向上；该偏置磁化被布置用于感应偏置场，该偏置场被适配用于使感测磁化在与偏置方向相反的方向上偏置，使得在有外部磁场的情况下当外部磁场在基本上垂直于参考磁化的方向的方向上定向时，经过偏置的感测磁化线性地变化。本公开还涉及一种包括多个自参考MRAM单元的磁场传感器和一种用于对磁场传感器进行编程的方法。
参考 mram 单元以及包括磁场传感器

[发明专利]具有合成反铁磁存储层的自引用多位MRAM单元-CN201580032385.2有效
发明人： Q.斯泰纳 -专利权人： 克罗科斯科技公司
申请日： 2015-05-28 - 公布日： 2019-05-28 - 主分类号： G11C11/16 文献下载
摘要：本公开涉及多位MRAM单元，该多位MRAM单元包括磁隧道结，该磁隧道结包括具有自由地可定向传感磁化的传感层；隧道势垒层、具有第一和第二存储层的合成反铁磁体存储层；其中，所述传感磁化感生具有在存储层的自旋翻转场以上的量值的偶极场；MRAM单元还包括用于在多个不同定向上对准传感磁化，以便在MRAM单元中对多个不同逻辑状态进行编码的对准装置。本公开还涉及一种用于操作多位MRAM单元的方法。
具有合成反铁磁存储引用 mram 单元

[发明专利]用于基于MRAM的磁性设备的电气互连设备-CN201580053583.7有效
发明人： B.坎博 -专利权人： 克罗科斯科技公司
申请日： 2015-09-24 - 公布日： 2019-02-15 - 主分类号： H01L27/22 文献下载
摘要：一种基于MRAM的磁性设备，包括电气互连设备，该电气互连设备包括：磁性隧道结；电气连接磁性隧道结的下端的带部；电气连接磁性隧道结的上端的电流线部；通过通孔电气连接下金属螺柱的上金属螺柱；带部与通孔直接电气接触，使得在磁性隧道结中传递的电流直接在带部和通孔之间以及在通孔和下金属螺柱或上金属螺柱之间流动。
用于基于 mram 磁性设备电气互连

[发明专利]用于音频应用的基于磁阻的信号整形电路-CN201780017470.0在审
发明人： Y.孔罗;Q.斯泰内 -专利权人： 克罗科斯科技公司
申请日： 2017-03-15 - 公布日： 2018-11-09 - 主分类号： H03G9/02 文献下载
摘要：一种用于音频应用的基于磁阻的信号整形电路（100），包括：场发射设备（4），被配置用于从音频信号源接收输入电流信号（41）并用于根据输入电流信号（41）生成磁场（42），第一磁电阻元件（10），具有第一电阻（R_b1）并串联电连接到具有第二电阻（R_b2）的第二磁阻元件（11）；基于磁阻的信号整形设备（100），当跨串联的第一和第二磁阻元件（10，11）施加输入电压（V_dd）时，跨第二磁阻元件（11）提供输出信号（V_out）；输出信号（V_out），是电阻（R_b1，R_b2）的函数并产生动态范围压缩效应；第一和第二电阻（R_b1，R_b2）以相反的方式随磁场（42）变化。
电阻磁阻元件磁阻信号整形电路输出信号音频应用磁场动态范围压缩场发射设备串联电连接磁电阻元件音频信号源电流信号接收输入输入电流输入电压信号整形串联施加配置

[发明专利]具有可调整磁致伸缩的磁阻元件以及包括磁阻元件的磁性设备-CN201780015916.6在审
发明人： S.邦迪尔拉 -专利权人： 克罗科斯科技公司
申请日： 2017-03-06 - 公布日： 2018-10-23 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本公开涉及一种磁阻元件（1），包括：具有第一存储磁致伸缩的存储层（21）；具有第一感测磁致伸缩的感测层（23）；在存储和感测层（21，23）之间并且与存储和感测层（21，23）接触的阻挡层（22）；其中磁阻元件（1）还包括补偿铁磁层（25），所述补偿铁磁层（25）具有与第一存储磁致伸缩和/或感测磁致伸缩不同的第二磁致伸缩，并且适于补偿第一存储磁致伸缩和/或第一感测磁致伸缩，使得通过调整补偿铁磁层（25）的厚度，存储层（21）和/或感测层（23）的净磁致伸缩在‑10 ppm et +10 ppm之间可调整或者比‑10 ppm更为负。本公开涉及还涉及包括磁阻元件的磁性设备。
磁致伸缩磁阻元件感测层存储铁磁层感测磁性设备存储层可调整调整补偿阻挡层

[发明专利]包括合成存储层的自参考磁随机存取存储器元件-CN201210597124.3有效
发明人： I·L·普雷贝亚努;L·隆巴尔;Q·施泰纳;K·麦凯 -专利权人： 克罗科斯科技公司
申请日： 2012-12-12 - 公布日： 2017-05-10 - 主分类号： G11C11/15 文献下载
摘要：本发明涉及包括合成存储层的自参考磁随机存取存储器元件。本公开涉及一种包括磁隧道结的MRAM元件，该磁隧道结包括存储层，感测层，以及包含在存储层与感测层之间的隧道势垒层；存储层包括具有第一存储磁化的第一磁性层；具有第二存储磁化的第二磁性层；以及非磁性耦合层，将第一和第二磁性层分开，使得第一存储磁化与第二存储磁化基本上反平行；第一和第二磁性层被布置成使得在读温度处，第一存储磁化基本上等于第二存储磁化；并且在高于读温度的写温度处，第二存储磁化大于第一存储磁化。所公开的MRAM元件当在低温下冷却磁隧道结时产生低杂散场。
包括合成存储参考随机存取存储器元件

[发明专利]自参考型MRAM元件及其读取方法-CN201310088320.2有效
发明人： L·隆巴尔;K·马凯;I·L·普雷贝努 -专利权人： 克罗科斯科技公司
申请日： 2013-02-08 - 公布日： 2017-05-03 - 主分类号： G11C11/16 文献下载
摘要：本发明公开涉及一种自参考型MRAM元件，包括具有磁阻的磁隧道结，包括存储层，具有当该磁隧道结处于低温阈值时沿着第一方向被牵制的存储磁化强度；感测层，具有感测磁化强度；以及包括在该存储层和该感测层之间的隧道阻挡层；以及对准设备，被布置用于沿着与该第一方向的基本上垂直的第二方向提供具有磁各向异性的感测磁化强度，使得该感测磁化强度围绕该第二方向而被调整；该对准设备进一步被布置，使得当提供第一读取磁场时，该磁隧道结的阻抗变化范围至少是磁阻的大约20％。该自参考型MRAM单元可以在增加的可靠性的情况下被读取并且具有降低的功耗。
利用线性信号参考 mram 元件

[发明专利]MRAM存储单元和用于使用具有减小的场电流的热辅助写操作向MRAM存储单元写入的方法-CN201310015248.0有效
发明人： I.L.普雷比亚努;R.苏萨 -专利权人： 克罗科斯科技公司
申请日： 2013-01-16 - 公布日： 2017-04-19 - 主分类号： G11C11/16 文献下载
摘要：本公开涉及用于向MRAM存储单元进行写入的方法，该MRAM存储单元包括磁性隧道结，其由具有存储磁化强度的存储层、具有参考磁化强度的参考层以及被包括在感测和存储层之间的隧道阻挡层形成；以及电流线，其被电连接至所述磁性隧道结；所述方法包括使加热电流在磁性隧道结中通过以便将磁性隧道结加热；使场电流通过以便根据场电流的极性沿着被写入方向对存储磁化强度进行切换。加热电流的量值使得其充当自旋极化电流且能够调整存储磁化强度；以及加热电流的极性从而基本上朝着所述被写入方向调整存储磁化强度。
mram 存储单元用于使用具有减小电流辅助操作写入方法

[发明专利]包含亚铁磁层的自参考磁随机存取存储器单元-CN201210367991.8有效
发明人： I.L.普雷贝亚努;L.隆巴尔 -专利权人： 克罗科斯科技公司
申请日： 2012-09-28 - 公布日： 2016-12-21 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明涉及包含亚铁磁层的自参考磁随机存取存储器单元。MRAM单元包含磁隧道结，该磁隧道结包含存储层，具有净存储磁化，该净存储磁化在磁隧道结处于高温阈值时可调节并且在低温阈值处被钉住；感应层，具有可逆转的感应磁化；以及感应层与存储层之间的隧道阻挡层；存储层和感应层中的至少一个包含亚铁磁3d‑4f非晶合金材料，该亚铁磁3d‑4f非晶合金材料包含提供第一磁化的3d过渡金属原子的亚晶格和提供第二磁化的4f稀土原子的亚晶格，使得在所述存储层和感应层中的至少一个的补偿温度处，第一磁化和第二磁化基本相等。可以分别使用小的写入和读取场对公开的MRAM单元进行写入和读取。
包含亚铁参考随机存取存储器单元

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