专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]显示装置及其制造方法-CN201911040918.8有效
  • 阮丞禾;曾建洲;侯智元 - 友达光电股份有限公司
  • 2019-10-30 - 2022-09-02 - G09G3/20
  • 本发明公开了一种显示装置,包括硬质基板、多个子像素、显示介质、多条信号线、多个引脚、驱动电路以及导电膜。硬质基板具有第一部分以及第二部分。第一部分的第一面上具有主动元件阵列区。第二部分的第二面承靠于第一部分的侧面或第二面。多条信号线位于主动元件阵列区上,且电性连接子像素。多个引脚位于第二部分上。驱动电路与引脚电性连接。导电膜位于第一部分以及第二部分上。导电膜包括多条线路。线路电性连接引脚与对应的信号线。线路自第一部分的第一面折向第一部分的侧面。导电膜的材料包括固化的感光材料以及散布于感光材料中的导电粒子。
  • 显示装置及其制造方法
  • [发明专利]显示面板-CN202111272865.X在审
  • 阮丞禾;曾建洲;侯智元 - 友达光电股份有限公司
  • 2021-10-29 - 2022-02-01 - H01L27/12
  • 一种显示面板包括基板与多个显示像素。这些显示像素设置于基板上,且各自包括多个接垫组、多个发光元件、第一连接导线、第二连接导线及多个第一断线区。这些接垫组各自具有第一接垫和第二接垫。这些发光元件电性接合这些接垫组至少一部分。第一连接导线电性连接这些接垫组的多个第一接垫组的多个第一接垫。第二连接导线电性连接这些接垫组的多个第二接垫。这些第一断线区分别设置在各个第一接垫组的一侧。第一连接导线和第二连接导线连接各个第一接垫组的两个第一连接部位于这些第一断线区的其中一者。
  • 显示面板
  • [发明专利]薄膜晶体管及其制造方法-CN201511003353.8有效
  • 侯智元 - 友达光电股份有限公司
  • 2015-12-28 - 2018-07-20 - H01L29/786
  • 本发明提供一种薄膜晶体管及其制造方法。薄膜晶体管包括一基板、一栅极、一通道层、一栅绝缘层、一蚀刻终止层、一源极以及一漏极。栅极配置基板上且具有多个贯穿孔。通道层位于栅极上。栅绝缘层配置于栅极以及通道层之间。蚀刻终止层配置于通道层上且具有多个接触孔以暴露出部分的通道层。源极以及漏极配置于蚀刻终止层上且分别借由接触孔与通道层电性连接。
  • 薄膜晶体管及其制造方法
  • [发明专利]显示装置-CN201310175517.X有效
  • 侯智元 - 业鑫科技顾问股份有限公司;新光电科技有限公司
  • 2013-05-14 - 2014-11-05 - G02F1/1343
  • 本发明公开一种显示装置,该显示装置的阵列基板包括基板,薄膜晶体管,第一钝化层,金属导电层,公共电极,第二钝化层,像素电极。该薄膜晶体管设置于该基板之上。该第一钝化层覆盖该薄膜晶体管。该金属导电层包括第一部分,该第一部分位于该第一钝化层之上,且该金属导电层的膜厚小于。该公共电极覆盖于该金属导电层的该第一部分之上,且与该金属导电层的该第一部分直接接触并电性导通。该第二钝化层覆盖该第一钝化层和该公共电极。该像素电极位于该第二钝化层之上。由于该公共电极部分覆盖或完全覆盖膜厚小于的该金属导电层的第一部分,因此,该公共电极的阻抗值可被有效降低。
  • 显示装置
  • [发明专利]光电转换元件-CN201010253232.X无效
  • 侯智元;陈建宏 - 友达光电股份有限公司
  • 2010-08-11 - 2011-02-02 - H01L31/0352
  • 本发明涉及一种光电转换元件,适于将一光线转换为一光电流。前述的光电转换元件包括一光转换层、一顶导电层以及一底导电层。光转换层具有一底平面、相对于底平面的一顶平面以及连接于底平面与顶平面之间的一光入射侧面,其中底平面与光入射侧面的夹角为θ,且64°≤θ≤79°。顶导电层配置于光转换层的顶平面上,而底导电层则配置于光转换层的底平面下。
  • 光电转换元件
  • [发明专利]半导体迭层与其制造方法-CN200910138578.2有效
  • 侯智元 - 友达光电股份有限公司
  • 2009-05-08 - 2009-09-23 - H01L21/20
  • 本发明提供一种半导体迭层与其制造方法。一种半导体迭层的制造方法,其包括下列步骤。首先,于基板上形成非晶硅层。接着,对非晶硅层的表面进行表面处理。之后,于经过表面处理后的非晶硅层的表面上形成掺杂微晶硅层,其中非晶硅层与掺杂微晶硅层之间的界面缺陷,在宽度为1.5微米与厚度为40纳米的一截面范围内,所占的截面积比例小于或等于10%。上述半导体迭层的制造方法可应用于半导体元件的制程中,以有效减少半导体迭层的界面缺陷。
  • 半导体与其制造方法
  • [发明专利]薄膜晶体管的制造方法-CN200510108108.3有效
  • 吴耀铨;侯智元;胡国仁;刘博智 - 中华映管股份有限公司
  • 2005-09-29 - 2007-04-04 - H01L21/336
  • 一种薄膜晶体管的制造方法,其先提供第一基板,且第一基板的正面已形成有多个凹陷图案。接着,提供第二基板。然后,在第二基板上形成非晶硅薄膜。继之,使第二基板上的非晶硅薄膜与第一基板的正面接触。接着,进行退火工艺,使非晶硅薄膜转变成多晶硅薄膜。之后,将第一基板以及第二基板分离。继之,图案化第二基板上的多晶硅薄膜以形成多晶硅岛状物。再来,形成栅绝缘层以覆盖多晶硅岛状物。继之,在栅绝缘层上形成栅极。之后,于栅极两侧的多晶硅岛状物中形成源极/漏极,而源极/漏极之间即是通道区。此薄膜晶体管的制造方法可减少其制造步骤以及工艺时间。
  • 薄膜晶体管制造方法

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