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[发明专利]一种带反射式高能电子衍射仪的MOCVD腔体-CN202210514782.5有效
发明人：黄星星;何斌;侯少毅;黎天韵 -专利权人：季华实验室
申请日： 2022-05-12 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： C23C16/48 文献下载
摘要：本申请涉及薄膜监测技术领域，公开了一种带反射式高能电子衍射仪的MOCVD腔体，所述MOCVD反应腔的侧面开设有第一安装孔和第二安装孔，所述第一安装孔用于连接所述电子枪结构，所述第二安装孔用于连接所述荧光屏结构；所述电子枪结构和所述第一安装孔的连接处、所述荧光屏结构和所述第二安装孔的连接处均设置有阀板闸，两个所述阀板闸分别用于控制所述MOCVD反应腔和所述电子枪结构之间的连通和隔绝、所述MOCVD反应腔和所述荧光屏结构之间的连通和隔绝；本发明具有监测效果好和隔热效果好的有益效果。
一种反射高能电子衍射 mocvd 腔体

[发明专利]电容薄膜真空计传感器及其制作方法和电容薄膜真空计-CN202310683461.2有效
发明人：郭晓东;刘乔;侯少毅;王凤双;胡强;肖永能 -专利权人：季华实验室
申请日： 2023-06-09 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： G01L21/00 文献下载
摘要：本申请涉及生物组织工程技术领域，具体而言，涉及一种电容薄膜真空计传感器及其制作方法和电容薄膜真空计，该制作方法包括：制备壳体和膜片，壳体底部有第一凸环，膜片顶部有第二凸环，第一凸环的外径与第二凸环的内径相等；在壳体下表面镀第一金属膜，第一金属膜位于第一凸环的内侧，在膜片上表面镀第二金属膜，第二金属膜位于第二凸环的内侧；将壳体扣合在膜片上，使第一凸环与第二凸环配合，并旋压壳体使壳体固定在膜片上，得到电容薄膜真空计传感器，该方式可减少在电容薄膜真空计传感器制作过程中产生不必要的应力，从而保证电容薄膜真空计传感器的性能。
电容薄膜真空计传感器及其制作方法

[发明专利]一种薄膜规真空计校准方法及相关设备-CN202310669384.5有效
发明人：托乎提努尔;胡强;王凤双;侯少毅;肖永能;肖慧 -专利权人：季华实验室
申请日： 2023-06-07 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： G01L27/00 文献下载
摘要：本申请涉及薄膜规真空计校准技术领域，公开了一种薄膜规真空计校准方法及相关设备，薄膜规真空计校准方法包括：调节所述测试腔体的压力以获取所述标准薄膜规真空计的第一测量数据和所述待测薄膜规真空计的第二测量数据，用于生成训练数据集；根据所述训练数据集，基于梯度下降算法训练增益系数模型；根据所述增益系数模型对所述待测薄膜规真空计实测的第三测量数据进行校准；可有效消除薄膜规真空计产生的误差，使薄膜规真空计测量数据更加准确可靠，且不需要人工校准，实现全自动校准，从而有利于提高校准效率。
一种薄膜真空计校准方法相关设备

[发明专利]一种Micro-LED的检测装置-CN202310758442.1在审
发明人：肖永能;胡强;郭晓东;侯少毅;祝经明 -专利权人：季华实验室
申请日： 2023-06-26 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： G01N21/94 文献下载
摘要：本申请涉及半导体技术领域，具体而言，涉及一种Micro‑LED的检测装置，包括：箱体、送料机构、夹盘机构；箱体的内壁上设置有测试组，测试组包括多个激光发生部和多个第一激光接收端；夹盘机构包括第一固定架、第一夹盘和多个第二激光接收端，第一夹盘和多个第二激光接收端均设置在第一固定架上，第一夹盘用于夹取晶圆，夹盘机构与送料机构连接，送料机构用于驱动第一固定架以将晶圆送至箱体内；多个激光发生部用于向晶圆提供不同角度的激光照射，每个第一激光接收端和每个第二激光接收端均用于接收至少两个激光发生部照射并由晶圆反射的反射光，从而使晶圆的整体检测效果更加准确。
一种 micro led 检测装置

[发明专利]一种基于眼睛控制的分区显示方法及装置-CN201911379932.0有效
发明人：胡强;胡琅;徐平;侯立涛;冯杰;方威;侯少毅;黄丽玲 -专利权人：季华实验室
申请日： 2019-12-27 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： G06F3/01 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于眼睛控制的分区显示方法及装置。其中方法包括步骤：A.通过识别用户瞳孔位置以对用户视线落在屏幕上的位置进行定位；B.以上述定位的位置为中心，按照预设的规则对屏幕划定高清区域；C.显示图像时，其它区域的图像分辨率低于所述高清区域的图像分辨率。装置包括定位模块、分区模块、输出模块。该方法及装置可实现在人眼关注的地方清晰显示，在人眼不关注的地方模糊显示，从而提高图像处理速度。
一种基于眼睛控制分区显示方法装置

[发明专利]金刚石薄膜电容及其制造方法、真空计及其制造方法-CN202211279601.1有效
发明人：郭可升;刘乔;胡强;侯少毅;杨振怀;郭晓东;祝经明 -专利权人：季华实验室
申请日： 2022-10-19 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： C23C16/27 文献下载
摘要：本发明公开了一种金刚石薄膜电容及其制造方法、真空计及其制造方法，属于真空计领域，金刚石薄膜电容制造方法包括以下步骤：在两片衬底的正面沉积金刚石；其中一片衬底直接沉积得到第一部件，另一片衬底用金属环包围外沿后沉积得到第二部件；取下金属环，并去除第一部件和第二部件背面的衬底；在第二部件一面的中央和第一部件背面的中央沉积金属层；在金属层上焊上导线，且在第一部件或在第二部件上开设导线通孔；将第一部件和第二部件金属层相对且不接触地盖合；在第二部件朝上的状态下沉积金刚石，得到高精度、耐腐蚀的金刚石薄膜电容，用于真空计中可以有效降低弹性后效和弹性滞后引起的测量精度不高的问题。
金刚石薄膜电容及其制造方法真空计

[发明专利]一种Micro-LED-Wafe外观检测装置及方法-CN202310291080.X在审
发明人：肖永能;胡强;郭晓东;侯少毅;托乎提努尔;祝经明 -专利权人：季华实验室
申请日： 2023-03-23 - 公布日： 2023-04-21 - 主分类号： G01N21/95 文献下载
摘要：本申请涉及半导体技术领域，具体而言，涉及一种Micro‑LED‑Wafe外观检测装置及方法，Micro‑LED‑Wafe外观检测装置通过在圆筒罩底部设置有第一喷气口，由第一喷气装置将气体从第一喷气口喷出以使晶圆悬浮于圆筒罩中，通过在圆筒罩的周壁上均匀设置有多组第二喷气口，由第二喷气装置将气体从各第二喷气口喷出以保持晶圆位于圆筒罩的轴心线上，并由第一摄像头组和第二摄像头组对晶圆的表面图像进行拍摄，从而，无需对晶圆进行夹持也能实现对晶圆的全面检测，而且各个摄像头与晶圆之间不存在除空气以外的其他介质，减少了由于其它中间介质的存在而导致的检测误差，从而保证了检测结果的准确性。
一种 micro led wafe 外观检测装置方法

[发明专利]一种镀膜设备及镀膜方法-CN202211662102.0在审
发明人：毕诗博;卫红;王凤双;胡琅;侯少毅;黄星星;刘乔 -专利权人：季华实验室
申请日： 2022-12-23 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： C23C14/32 文献下载
摘要：本申请涉及半导体技术领域，具体而言，涉及一种镀膜设备及镀膜方法,通过磁过滤器对由等离子体发生器生成的靶材等离子体射流进行呈电中性的粒子团簇的过滤处理后，由偏转通道的第一电极板吸附带负电的电子，通过正对偏转通道出口的第三电极板吸附由于惯性而撞向第三电极板的带负电的粒子团簇，并由位于偏转通道出口上方的一侧的第四电极板使带正电的离子转向并加速射入镀膜室以对被镀工件进行镀膜，由于沉积在被镀工件的表面上均是带正电的离子（避免了粒子团簇对镀膜的影响），从而提高镀膜质量。
一种镀膜设备方法

[发明专利]一种宽量程的电容薄膜真空计及真空度检测方法-CN202211454920.1有效
发明人：郭晓东;王凤双;肖永能;黄星星;刘乔;侯少毅;毕诗博;肖慧 -专利权人：季华实验室
申请日： 2022-11-21 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： G01L21/00 文献下载
摘要：本申请涉及半导体领域，具体而言，涉及一种宽量程的电容薄膜真空计及真空度检测方法，通过设置第一参考室和第二参考室，并且第一深度比第二深度大，第一感压膜片比第二感压膜片的厚度大，因此，第一参考室可测量的压力值比第二参考室可测量的压力值大，且第一参考室的真空度测量范围比第二参考室的真空度测量范围大，不管待测气体的压力值是大还是小，都可以通过宽量程的电容薄膜真空计实现真空度检测，无需通过多个现有的电容薄膜真空计配合使用，降低电容薄膜真空计生产成本以及避免检测过程繁杂，从而提高宽量程的电容薄膜真空计的普用性。
一种量程电容薄膜真空计真空检测方法

[发明专利]一种分子束外延源炉加热丝缠绕工装及缠绕方法-CN202211399743.1在审
发明人：黄星星;祝经明;吴进;毕诗博;侯少毅 -专利权人：季华实验室
申请日： 2022-11-09 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： B21F45/00 文献下载
摘要：本申请涉及加热工装技术领域，具体涉及一种分子束外延源炉加热丝缠绕工装及缠绕方法,加热丝缠绕工装包括：固定柱、第一固定板、第二固定板、第一旋转环和第二旋转环；第一固定板和第二固定板相互平行并分别可拆卸地与固定柱的两端连接，第一固定板和第二固定板的周面均间隔环布有多个定位凹槽，且各个定位凹槽沿厚度方向贯通第一固定板或第二固定板的两个侧面；第一旋转环和第二旋转环分别可转动且可拆卸地设置在第一固定板和第二固定板的周面上，第一旋转环和第二旋转环均设置有一个开口，开口贯通第一旋转环或第二旋转环的内外周面，开口的大小与定位凹槽相适配；降低加热丝产生塑性变形的几率，有效保证分子束外延源炉的温度场分布均匀。
一种分子外延加热缠绕工装方法

[发明专利]集成式分子束外延坩埚制作方法、外延坩埚及分子束源炉-CN202211378289.1在审
发明人：黄星星;吴进;毕诗博;侯少毅;胡强 -专利权人：季华实验室
申请日： 2022-11-04 - 公布日： 2023-01-24 - 主分类号： C30B23/02 文献下载
摘要：本发明涉及外延生长技术领域，具体公开了一种集成式分子束外延坩埚制作方法、外延坩埚及分子束源炉，其中，制作方法包括步骤：S1、准备石墨材质的芯轴组件；S2、在芯轴组件外周外延沉积生成第一热解氮化硼层；S3、在第一热解氮化硼层外周折弯缠绕加热丝，使加热丝紧贴固定在第一热解氮化硼层表面；S4、在第一热解氮化硼层外周外延沉积生成第二热解氮化硼层，第二热解氮化硼层完全覆盖加热丝；S5、氧化消除芯轴组件；该制作方法在无需增加额外工艺手段的前提下能制作出结构简单、制作成本低、制作效率高、热效率高、热场分布均匀且保温效果出众的集成式分子束外延坩埚。
集成分子外延坩埚制作方法束源炉

[发明专利]一种电容薄膜真空计传感器及其制作方法-CN202211145367.3有效
发明人：黄星星;刘乔;侯少毅;王凤双 -专利权人：季华实验室
申请日： 2022-09-20 - 公布日： 2022-11-18 - 主分类号： G01L21/00 文献下载
摘要：本申请涉及半导体加工技术领域，具体而言，涉及一种电容薄膜真空计传感器及其制作方法，该制作方法包括以下步骤:制作芯轴组件，芯轴组件包括由上到下依次连接的固定电极、上支撑板、感应电极、膜片和下支撑板，感应电极与膜片在周向上凸出于上支撑板与下支撑板，上支撑板的上表面安装有上支撑杆，下支撑板的下表面安装有下支撑杆；利用气相沉积反应在芯轴组件外生成外壳；冷却芯轴组件以及外壳，并拆除上支撑杆和下支撑杆；向外壳内通入氧化气体并加热氧化以消除上支撑板和下支撑板，通过将电容薄膜真空计传感器外壳一体式加工成型，减少在电容薄膜真空计传感器制作过程中产生不必要的应力，从而保证陶瓷薄膜硅的性能。
一种电容薄膜真空计传感器及其制作方法

[发明专利]一种可张紧感应膜片的电容薄膜真空计-CN202210917065.7有效
发明人： 侯少毅;刘乔;王凤双;卫红;黄星星;毕诗博 -专利权人：季华实验室
申请日： 2022-08-01 - 公布日： 2022-11-08 - 主分类号： G01L21/00 文献下载
摘要：本申请涉及半导体领域，具体而言，涉及一种可张紧感应膜片的电容薄膜真空计,其包括：腔体底板、外壳、感应膜片和张紧组件，所述外壳的下端与所述腔体底板连接以压紧所述感应膜片的边沿，所述感应膜片与所述腔体底板围成测量室，并与所述外壳围成参考腔，所述腔体底板与所述感应膜片的接触处设置有第一环槽，所述张紧组件设置在所述参考腔内，所述张紧组件用于把所述感应膜片覆盖所述第一环槽的部分压入所述第一环槽以张紧所述感应膜片，且所述张紧组件把所述感应膜片压入所述第一环槽的压入深度可调；可对感应膜片进行多次张紧，提高真空计的测量精度和使用寿命。
一种可张紧感应膜片电容薄膜真空计

[发明专利]一种电容式薄膜真空计的薄膜焊接方法-CN202210492279.4有效
发明人：刘乔;郭可升;侯少毅;王凤双;卫红;胡强;肖永能 -专利权人：季华实验室
申请日： 2022-05-07 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： B23K31/02 文献下载
摘要：本发明涉及测量仪器技术领域，具体公开了一种电容式薄膜真空计的薄膜焊接方法，该方法包括以下步骤：按照预设温度加热中心膜片，预设温度根据中心膜片的张紧力要求及材质特性进行设定；组合电容式薄膜真空计的下腔体、中心膜片和上腔体并进行保温，以使下腔体和上腔体夹持处于预设温度的中心膜片的边缘；焊接固定下腔体、中心膜片及上腔体以形成组合体；静置冷却组合体；该方法利用中心膜片的热胀冷缩的特性对加热后的中心膜片进行焊接，使得静置冷却后的组合体中的中心膜片具有满足张紧力要求的张紧力，免去了张紧设备的张紧处理，使得中心膜片满足电容式薄膜真空计的加工质量要求，有效提高产品合格率。
一种电容薄膜真空计焊接方法

[发明专利]薄膜沉积模拟方法、装置、电子设备及存储介质-CN202210548370.3有效
发明人：祝经明;徐平;胡琅;胡强;卫红;杨振怀;郭可升;侯少毅;毕诗博;沈若尧 -专利权人：季华实验室
申请日： 2022-05-20 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： G06F30/28 文献下载
摘要：本发明涉及数据模拟分析技术领域，具体公开了一种薄膜沉积模拟方法、装置、电子设备及存储介质，其中，方法包括以下步骤：设定代表薄膜凝固情况的第一相场参量及代表输入蒸汽局部密度的第二相场参量；根据第一相场参量和第二相场参量建立用于模拟物理气相沉积的弹道沉积相场模型；根据第一相场参量耦合弹道沉积相场模型和固态薄膜的杨氏模量，以使弹道沉积相场模型与力学平衡方程耦合而建立薄膜沉积模型；根据薄膜沉积模型进行薄膜沉积模拟；该方法实现薄膜沉积过程的预测模拟，且能根据模拟结果反映薄膜沉积形态和应力分布特点。
薄膜沉积模拟方法装置电子设备存储介质

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