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[发明专利]一种具有粗细交错正弦结构的高效微混合器及其制备方法-CN202310682228.2在审
发明人： 余丙军;陈婷婷;林宇;刘仁星;崔立聪;何旺;钱林茂 -专利权人：西南交通大学
申请日： 2023-06-09 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： B01F33/301 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有粗细交错正弦结构的高效微混合器及其制备方法，通过刻划、刻蚀、等离子处理、封装，形成具有粗细交错正弦结构的微混合器，该微混合器具有开口宽度不一的微通道，微通道呈正弦结构状，微通道的上开口大于底部宽度，微通道的纵向截面包括v型截面和上大下小的梯形截面；根据设计要求，微通道的纵向截面由v型截面和梯形截面相互交替过渡渐变，对应的深度也对应相互交替过渡渐变，从而形成粗细交错正弦结构。本发明制备方法简单易操作，制备成本低，在制备过程中控制划痕过程中非晶的形成，制得的三维正弦微混合器能加强液体对流，从而大幅提升混合效率，可有效提升微流控芯片的应用性能，可广泛用于加工微流控芯片的生产。
一种具有粗细交错正弦结构高效混合器及其制备方法

[发明专利]一种两相结构复合材料的脆塑转变深度获取方法-CN202310550364.6在审
发明人：秦娜;吴志琴;钱林茂;余丙军;王战江;罗迪文 -专利权人：西南交通大学
申请日： 2023-05-16 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： G01B11/22 文献下载
摘要：本发明公开的一种两相结构复合材料的脆塑转变深度获取方法，通过金相显微镜拍摄划痕表面形貌显微图，由划痕表面形貌显微图确定划痕中的第一个小凹坑位置以及第一个大凹坑位置，然后测量标尺分别测量两个位置与划痕切入位置的距离，通过白光干涉仪拍摄划痕沟槽得到三维形貌。根据所述测量标尺获得的距离确定脆塑转变区的起点(第一个小凹坑)和终点(第一个大凹坑位置)，取该位置处的划痕横截面轮廓曲线并测量沟槽深度。本发明以显微镜拍摄的显微形貌和白光干涉仪拍摄得到的三维形貌相结合来准确判断材料发生脆塑转变的位置并测量深度，能够避免因两相结构复合材料本身缺陷或表面杂质灰尘带来的干扰，有效的提高测试结果的精度。
一种两相结构复合材料转变深度获取方法

[发明专利]一种金属微纳结构的制备及转印方法-CN202310327573.4在审
发明人： 余丙军;崔立聪;陈婷婷;朱杰;甘寅锴;钱林茂 -专利权人：西南交通大学
申请日： 2023-03-30 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种金属微纳结构的制备及转印方法，包括以下步骤：S1、采用旋涂设备在洁净的单晶硅表面涂覆形成掩膜层；S2、采用机械刻划设备在经步骤S1处理后的单晶硅表面进行刻划（图案化）；S3、采用混合镀液在单晶硅表面进行金属定向沉积，沉积完成后对掩膜表面进行清洗，去除多余镀液；S4、采用液态PDMS浇铸于单晶硅表面，再加热固化；固化完成后与单晶硅分离，获得高质量的金属微纳结构。该方法能够实现PDMS表面任意二维结构的加工，操作较为简单，成本较低；同时，本方法的加工过程在常温常压下进行，加工后的金属镀液易处理；此外，本方法制备的图案化单晶硅可作为模板重复使用，且能保证金属微纳结构较高的重现性。
一种金属结构制备方法

[发明专利]一种孤岛串联式变截面微纳线圈的磁敏传感特性优化方法-CN202211612769.X在审
发明人：辛明勇;徐长宝;高吉普;冯起辉;林呈辉;王宇;祝健杨;杨婧;何雨旻;汪明媚;古庭赟;徐玉韬;代奇迹;李博文;刘斌;陈敦辉;张缘圆;唐赛秋;张后谊;毛均毅;余丙军 -专利权人：贵州电网有限责任公司
申请日： 2022-12-15 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： G06F30/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种孤岛串联式变截面微纳线圈的磁敏传感特性优化方法，包括将平面方形螺旋线圈作为设计依据；根据方形螺旋线圈内部涡流以及线圈外部电阻对线圈品质的影响，采用减小内部线圈截面，增大外部线圈截面的方式来提高线圈品质；在线圈周围新增小型螺旋孤岛；分析对比不同孤岛数量平面方形螺旋线圈的磁场分布以及电感值，并确定线圈最终的优化设计方案。该孤岛串联式变截面微纳线圈的磁敏传感特性优化方法，减小线圈内部截面以削弱线圈产生的感应磁场垂直于导体而带来的涡流损耗；增大线圈外部截面以减小线圈内阻过大带来的阻抗损耗，将小型螺旋线圈以孤岛的形式串联接入平面线圈中，并通过分析优化孤岛数量，进一步优化平面线圈的性能。
一种孤岛串联式截面线圈传感特性优化方法

[发明专利]一种基于电流体喷印的立体金属线圈制备装置-CN202211612766.6在审
发明人：徐长宝;辛明勇;冯起辉;高吉普;林呈辉;王宇;祝健杨;杨婧;何雨旻;汪明媚;古庭赟;徐玉韬;李博文;文屹;吕黔苏;张缘圆;唐赛秋;余丙军 -专利权人：贵州电网有限责任公司
申请日： 2022-12-15 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： B41J2/07 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于电流体喷印的立体金属线圈制备装置，包括基础单元、驱动单元和紧压单元，其中基础单元，其包括基座组件、设置于所述基座组件一端的支撑座组件和连接于所述支撑座组件外端的制备组件。该基于电流体喷印的立体金属线圈制备装置，将裹覆绝缘层的芯棒进行相关表面优化处理，然后作为喷印基底固定于安装在底部位移台上的夹紧装置上，由夹紧装置后端的电机驱动整个基底旋转，然后在旋转的基底上进行喷印材料以实现微纳磁敏线圈的制备，基于这种方式可以通过一次喷印完成含芯棒的微纳磁敏线圈的制备，简化了工艺流程，且通过只一个驱动机设备则能够同时完成旋转和Y轴移动的目的，让旋转和移动速度保持一致，提高产品生产稳定性。
一种基于流体立体金属线圈制备装置

[发明专利]一种基于配重块调控的微米级线圈绕制装置-CN202211612883.2在审
发明人：徐长宝;辛明勇;冯起辉;高吉普;林呈辉;王宇;祝健杨;杨婧;何雨旻;汪明媚;古庭赟;徐玉韬;李博文;刘斌;唐赛秋;毛均毅;张缘圆;余丙军 -专利权人：贵州电网有限责任公司
申请日： 2022-12-15 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： H01F41/094 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于配重块调控的微米级线圈绕制装置，包括承重机构、配重调控机构和线轮收放机构，其中承重机构，包括底座、设置于底座顶部的支撑轮杆以及用于限位设置于所述底座一侧的开合单元；配重调控机构，设置于所述底座的外端并位于所述支撑轮杆之间。该基于配重块调控的微米级线圈绕制装置，通过改变张紧力上配重块的重量，可以有效地控制张紧力的大小，只需保证张紧轮上下移动时的端跳与径跳在误差允许范围内，张紧力几乎是可以看作恒定不变的，同时，设计的装置结构简单，能有效的提升器件整个系统的稳定性，防止零部件过多而导致的各种联结与配合问题，并通过能够自行移动的线轮收放机构进行调整，适应线圈收放始终保持垂直。
一种基于配重调控微米线圈装置

[发明专利]用于混合尺度纳流体芯片的凸模具的制备方法及应用-CN202211029524.4在审
发明人： 余丙军;吴磊;陈婷婷;崔立聪;钱林茂 -专利权人：西南交通大学
申请日： 2022-08-26 - 公布日： 2022-12-16 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明公开了用于混合尺度纳流体芯片的凸模具的制备方法及应用，该方法的加工步骤为：首先采用微纳刻划设备对单晶硅样品进行刻划，再置入硅烷和乙醇的混合溶液中，使硅烷分子充分吸附在刻划区域；然后采用刻蚀溶液对单晶硅样品进行选择性刻蚀，刻蚀出具有微米级高度和厘米级长度的硅凸结构；再采用微纳刻划设备刻划具有硅凸结构的单晶硅表面，然后再次选择性刻蚀，从而形成具有纳米级高度的凸结构，完成混合尺度纳凸模具结构加工。本发明利用两次扫描探针技术实现了单晶硅表面具有混合尺度特征的凸模具集成加工，加工流程简单、成本低，可以提高纳流体芯片的生产效率。
用于混合尺度流体芯片模具制备方法应用

[实用新型]气囊抛光装置-CN202220959265.4有效
发明人：韩艳君;刘卓远;王冲;江亮;余丙军;钱林茂 -专利权人：西南交通大学
申请日： 2022-04-24 - 公布日： 2022-09-23 - 主分类号： B24B13/00 文献下载
摘要：本实用新型揭示了一种气囊抛光装置，包括：基座、中空主轴、抛光头、以及用于驱动所述中空主轴旋转的驱动电机；所述中空主轴和所述驱动电机均安装于所述基座上，所述抛光头包括气囊和轴端连接头，所述轴端连接头具有一连通所述中空主轴和所述气囊的气流管道；其中，所述基座上还安装有力位补偿器，所述力位补偿器用于与工业机器人连接以控制所述抛光头的抛光接触力。本实用新型提供的气囊抛光装置，通过力位补偿器的设置来控制抛光接触力，可以将不精确的“气流化力”转化成精确的力控进给控制，从而实现对抛光接触力的精准控制。
气囊抛光装置

[实用新型]一种安全且便于维护的机房电脑桌-CN202221013062.2有效
发明人： 余丙军;郭芬;谭明奎;王亮明;彭逸元;黎玉华;吴剑波 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2022-04-28 - 公布日： 2022-09-16 - 主分类号： A47B21/06 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种安全且便于维护的机房电脑桌，包括桌体、主机柜和键盘放置板，主机柜安装在桌体的内部下侧，键盘放置板的一侧与桌体滑移连接，键盘放置板的另一侧与主机柜的外侧滑移连接；桌体的后端板设有开口，开口对应主机柜的柜口设置，开口连接有维修门，维修门与后端板转动连接；后端板的外侧连接有走线槽。本实用新型的走线槽设置安全性高，在后端板设置维修门便于维修，属于电脑桌技术领域。
一种安全便于维护机房电脑桌

[发明专利]基于树状拓扑结构的多方向随机抛光路径生成方法-CN202210294499.6在审
发明人：韩艳君;王冲;余丙军;江亮;钱林茂 -专利权人：西南交通大学
申请日： 2022-03-24 - 公布日： 2022-06-10 - 主分类号： G06F30/20 文献下载
摘要：本发明公开了基于树状拓扑结构的多方向随机抛光路径生成方法，生成步骤为：根据待抛光工件几何及工艺参数，生成完全覆盖工件表面的离散均布点阵，并将工件区域内的点作为有效点进行标记；根据有效点阵生成主干，并同样逻辑生成连接枝干，重复枝干生成，最终形成具有树状拓扑结构的多方向随机引导曲线；然后针对树状引导曲线，进行处理得到具有多方向的树状随机抛光路径；对树状随机抛光路径重新插补采样并做光顺处理等，最终生成可用于加工的随机抛光路径。本发明可根据中频误差抑制对抛光路径方向随机性和均匀性的需求，得到随机树状引导曲线，再对路径点进行提取，得到分布均匀、多方向且连续的树状随机路径，形成一种高效可行的路径生成方法。
基于树状拓扑结构多方随机抛光路径生成方法

[发明专利]基于划痕诱导选择性刻蚀的微流控SERS芯片制备方法-CN202111523663.8在审
发明人： 余丙军;彭勇;崔立聪;高健;钱林茂 -专利权人：西南交通大学
申请日： 2021-12-14 - 公布日： 2022-03-15 - 主分类号： G01N21/65 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于划痕诱导选择性刻蚀的微流控SERS芯片制备方法，包括以下步骤：S1、衬底预处理；S2、掩膜制备及图案化；S3、活性基底制备；S4、微流控SERS芯片封装，制备得到微流控SERS芯片；通过刻划结合金属辅助化学刻蚀在半导体衬底上简单快捷地制备出具有嵌套结构的微通道，嵌套结构经沉积金属颗粒即可形成微流道中具有拉曼光谱增强效果的活性基底。总体而言，本发明所述加工方法具有工艺简单、加工效率高、成本低的特点，可规模化生产。本发明所制备的微流控SERS芯片具有较高的表面增强拉曼光谱活性、能实现对纳摩尔浓度生化物质的快速、高效、高灵敏度检测，具有很强的实用价值和广阔的应用前景，值得在业内推广。
基于划痕诱导选择性刻蚀微流控 sers 芯片制备方法

[发明专利]具备高电磁作用力的微电磁执行器-CN201811325896.5有效
发明人：支钞;唐彬;刘显学;苏伟;李寅鑫;王支荣;余丙军;王月;屈明山 -专利权人：中国工程物理研究院电子工程研究所
申请日： 2018-11-08 - 公布日： 2021-06-04 - 主分类号： H01F7/06 文献下载
摘要：本发明公开了具备高电磁作用力的微电磁执行器，包括永磁体和微线圈，其特征在于：所述微线圈由若干个相同的矩形铜线圈并排形成平面微线圈，每两个矩形铜线圈之间的间距均相同；所述永磁体由若干磁条拼接而成，每两个相邻磁条的磁化方向均不同。在上述微线圈的设计基础上，可以将永磁体分别设计为：1）面外多极结构；2）面内多极结构；3）基于Halbach构型的结构。相比于传统设计，本发明结构简单，微线圈生长容易，而且能大大提高电磁作用力，方便适用于更多微系统中。
具备电磁作用力执行

[发明专利]基于磁印章转写技术的永磁体磁化方法-CN201811325924.3有效
发明人：支钞;崔伟斌;唐彬;王月;屈明山;李严军;李寅鑫;王支荣;刘显学;余丙军;袁涛;曾德群 -专利权人：中国工程物理研究院电子工程研究所
申请日： 2018-11-08 - 公布日： 2021-02-26 - 主分类号： H01F13/00 文献下载
摘要：本发明公开了基于磁印章转写技术的永磁体磁化方法，其步骤包括：1）制备磁印章和待刻印体，所述磁印章的永磁薄膜的居里温度高于待刻印体的永磁薄膜的居里温度；2）将制备好的磁印章的下表面与待刻印体的上表面进行贴合，然后进行加热，再逐渐退火，从而将磁印章的磁性转写到待刻印体上。相比于传统方法，本发明可以轻松实现磁化过程，而且适用于任何基板，大大扩大了适用范围。
基于印章转写技术永磁体磁化方法

[发明专利]基于压痕诱导选择性刻蚀的单晶硅表面针尖的加工方法-CN201610981246.0有效
发明人： 余丙军;金晨宁;钱林茂;刘潇枭;肖晨;汪红波 -专利权人：西南交通大学
申请日： 2016-11-08 - 公布日： 2020-11-24 - 主分类号： C30B33/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于压痕诱导选择性刻蚀的单晶硅表面针尖的加工方法，包括以下步骤：S1、将单晶硅(100)表面清洗干净，对单晶硅(100)表面进行氧化层去除处理；S2、利用Berkovich探针在单晶硅(100)表面做压痕坑；S3、采用氢氧化钾‑水‑异丙醇溶液对单晶硅(100)表面进行刻蚀，得到针尖阵列结构。本发明所提供的单晶硅表面针尖的加工方法，采用纳米压痕与KOH溶液后续刻蚀相结合的方法，即可用于制备单针尖结构也可用于制备多针尖阵列结构，该方法操作简单、灵活、高效、成本低廉。
基于压痕诱导选择性刻蚀单晶硅表面针尖加工方法

[发明专利]一种利用UV/O-CN201910927840.5在审
发明人： 余丙军;范志涛;张沛;吴磊;钱林茂 -专利权人：西南交通大学
申请日： 2019-09-27 - 公布日： 2020-01-03 - 主分类号： C03C23/00 文献下载
摘要：本发明公开一种利用UV/O
固体材料表面预处理防护膜分子自组装固体材料化学活性耐磨性能成膜摩擦表面粗糙度低摩擦性防护领域固体表面系统制备浸入表面能粗糙度光氧化混合液摩擦性防护应用

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