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[发明专利]散热玻璃的制造方法和散热玻璃-CN202210077207.3在审
发明人： 何际福 -专利权人：东莞新科技术研究开发有限公司
申请日： 2022-01-24 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： C03C17/34 文献下载
摘要：本发明涉及玻璃技术领域，公开了一种散热玻璃的制造方法和散热玻璃，其中，散热玻璃的制造方法包括：当真空室的真空度达到第一预设真空度时，向真空室中通入氩气和氮气，并以硅为靶材，通过磁控溅射在玻璃基体上溅射氮化硅层，以及，向真空室中通入氩气，并以石墨为靶材，在所述氮化硅层上溅射DLC薄膜层，通过在玻璃表面形成氮化硅层和DLC薄膜层，以达到玻璃表面的散热，从而可以有效解决玻璃防晒的问题。
散热玻璃制造方法

[发明专利]一种橡胶制品的防静电涂层的制备方法-CN202111168912.6在审
发明人： 何际福 -专利权人：东莞新科技术研究开发有限公司
申请日： 2021-09-30 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： C23C14/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种橡胶制品的防静电涂层的制备方法。本发明采用真空镀膜工艺先在橡胶制品的表面形成镍层，再在镍层表面形成镍锡合金层，即得防静电涂层。本发明能在橡胶制品表面形成均匀性好良好、性能稳定的防静电涂层，赋予橡胶制品良好的电磁屏蔽效果；相比传统防静电橡胶鞋底的制备方法，运用本发明技术在橡胶鞋底表面制备防静电涂层，能使橡胶鞋底的电磁屏蔽效果显著提升。
一种橡胶制品静电涂层制备方法

[发明专利]金属零件的表面镀膜方法-CN202111125998.4在审
发明人： 何际福 -专利权人：东莞新科技术研究开发有限公司
申请日： 2021-09-26 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： C23C14/02 文献下载
摘要：本发明涉及金属表面处理技术领域，公开了一种金属零件的表面镀膜方法，包括：将金属零件放置在处理室内；对所述金属零件进行离子清洗；以氩气和氧气作为溅射气体，溅射钨靶，以在清洗后的金属零件上形成钨层；以甲烷气体和氩气作为溅射气体，溅射石墨靶，以在所述钨层上形成DLC膜层；以氩气作为溅射气体，溅射铝靶，以在所述DLC膜层上形成铝层；以氩气作为溅射气体，同时溅射铝靶和铬靶，以在所述铝层上形成铝铬合金层。采用本发明实施例，能够在金属零件表面形成耐磨损且附着力强的膜层。
金属零件表面镀膜方法

[发明专利]清洗半导体表面污染物的方法-CN202111000773.6在审
发明人： 何际福 -专利权人：东莞新科技术研究开发有限公司
申请日： 2021-08-30 - 公布日： 2023-03-03 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及半导体清洗技术领域，公开了一种清洗半导体表面污染物的方法，包括：将半导体置于激光加热器的照射范围之内；控制所述激光加热器对所述半导体的表面进行激光加热，以去除所述半导体表面的污染物；其中，加热时长为8.0‑10.0s。采用本发明实施例，能够高效地清洁半导体表面的污染物，并且，不会对环境造成污染。
清洗半导体表面污染物方法

[发明专利]一种离子刻蚀机反应腔清洗方法-CN201811588620.6有效
发明人： 何际福 -专利权人：东莞新科技术研究开发有限公司
申请日： 2018-12-25 - 公布日： 2022-09-16 - 主分类号： B08B9/08 文献下载
摘要：本发明提供了一种离子刻蚀机反应腔清洗方法，所述方法包括以下步骤：(1)向反应腔通入氩气和氧气，保持离子刻蚀机反应腔真空度300‑400帕，进行第一次射频辉光，射频的频率为：阴极：60‑120KHZ、阳极：26‑28MHZ；(2)继续向反应腔通入氩气和氧气，调节并保持反应室内压强为200‑400帕，进行第二次射频辉光，射频的频率为阴极：13.56MHZ、阳极：2‑3GHZ，然后终止作业，清洗完毕。本发明的方法清洗操作简单，利用离子刻蚀机自身的功能进行清洗，不需要拆卸离子刻蚀机，而且本发明的方法的清洗效果好，保证仪器正常运行的清洗维护周期长。
一种离子刻蚀反应清洗方法

[发明专利]磁芯排列供给装置-CN202011361345.1在审
发明人： 何际福 -专利权人：东莞新科技术研究开发有限公司
申请日： 2020-11-27 - 公布日： 2022-05-31 - 主分类号： B65G47/14 文献下载
摘要：本发明涉及生产技术领域，公开了一种磁芯排列供给装置，包括振动供料盘、磁芯保持装置、机械手和传输组件；所述传输组件包括排料平台和步进传输装置；所述排料平台上依次设有多个磁芯供给位置，其中，多个所述磁芯供给位置中的靠近所述磁芯保持装置的磁芯供给位置为磁芯上料位置；所述振动供料盘用于将磁芯传输至所述磁芯保持装置；所述机械手用于将所述磁芯保持装置上的磁芯移动至所述磁芯上料位置；所述步进传输装置用于将排料平台上的磁芯依次排列在多个磁芯供给位置上，从而实现磁芯的自动排列供给，避免了人工排列磁芯导致工作效率较低的问题。
排列供给装置

[发明专利]一种半导体表面处理方法-CN202010765273.0在审
发明人： 何际福 -专利权人：东莞新科技术研究开发有限公司
申请日： 2020-08-03 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体表面处理方法，包括：对半导体表面进行预清洗；将半导体放置于浓度为5％的硫酸溶液中清洗5min；将半导体放置于温度为50℃～60℃的去离子水中漂洗20min～30min，并烘干；将半导体放入真空溅射炉中，采用溅射方式在半导体衬底的表面镀上铝，并在温度为350℃、氮气流量为8.5L/min的条件下进行硅铝合金处理，相应形成第一合金层；抽真空至真空度为9Pa～10‑1Pa，采用50％～60％的电流对半导体进行离子轰击清洗，抽真空至真空度为5*10‑2Pa～5*10‑3Pa，通入氩气，启动镍靶溅射45min～50min完成镀镍，启动锡靶溅射20min～25min完成镀锡，相应形成第二合金层；采用溅射方式在第二合金层的表面镀上金，相应形成导电层。采用本发明的技术方案能够有效防止半导体晶片损坏，提高成品率，并且避免环境污染。
一种半导体表面处理方法

[发明专利]集成电路板的清洗方法-CN201911043484.7在审
发明人： 何际福 -专利权人：东莞新科技术研究开发有限公司
申请日： 2019-10-30 - 公布日： 2021-05-04 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种集成电路板的清洗方法，包括以下步骤：(1)采用压缩空气吹除集成电路板表面粘附的灰尘；(2)将集成电路板浸泡于第一清洗液中，超声清洗8～10min，所述第一清洗液为氯仿和酒精的混合液；(3)用水冲洗集成电路板；(4)用压缩空气吹除集成电路板表面的水滴；(5)用第二清洗液对集成电路板进行喷淋清洗，所述第二清洗液为硫酸、双氧水和水的混合液；(6)用水冲洗集成电路板，烘干，即得清洗后的集成电路板。本发明所述方法采用第一清洗液清洗表面的有机残留物质，然后利用第二清洗液的强氧化剂和脱水性使有机物的碳氢键结得到彻底破坏，以达到有机杂质完全清除的目的，两步清洗可以完全将集成电路板清洗干净。
集成电路板清洗方法

[发明专利]半导体表面镀镍膜的方法-CN201810155593.7在审
发明人： 何际福 -专利权人：东莞新科技术研究开发有限公司
申请日： 2018-02-23 - 公布日： 2019-08-30 - 主分类号： C23C14/02 文献下载
摘要：本发明的半导体表面镀镍膜的方法，包括以下步骤：采用清洗剂对半导体的表面进行预清洗；采用离子束刻蚀对半导体的表面进行清洗；以及在半导体的表面上进行真空溅射沉积形成镍层。本发明在镍膜的形成过程中半导体晶片不会受到外力作用而发生破裂，从而提高半导体产品的成品率。
半导体半导体表面镀镍清洗剂半导体产品半导体晶片离子束刻蚀外力作用真空溅射成品率预清洗镍层镍膜沉积清洗破裂

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