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[发明专利]一种脉冲功率放大方法及标准单元-CN202211133524.9有效
发明人：王凌云;袁建强;周良骥;陈林;刘宏伟;谢卫平;王勐;李洪涛;谌怡;何安;付佳斌;姜苹;李远;卫兵;何泱;冯传均;赵越;王杰;康军军;张朝辉 -专利权人：中国工程物理研究院流体物理研究所
申请日： 2022-09-18 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： H03K3/57 文献下载
摘要：本发明公开了一种脉冲功率放大方法及标准单元，其技术方案要点是：本发明采用了晶体介质的受激辐射光放大模式、半导体介质的载流子倍增放大模式以及气体介质的等离子体击穿放大模式共同作用，形成了一种脉冲功率放大方法。首先将电功率进行放大后转换为光功率，并将光功率进行再次放大，放大后的光功率通过光电转换与放大器件，再次转换为电功率。基于光导开关触发气体开关，产生时序同步的高功率电脉冲，高功率电脉冲可直接进行输出，也可进行多路分配，得到多路时序同步触发信号，结合电容器的脉冲充电，输出多路时序同步的高功率电脉冲。
一种脉冲功率放大方法标准单元

[发明专利]一种堆栈结构GaAs光导开关及制作方法和冲激脉冲源-CN202111241120.7有效
发明人：栾崇彪;刘宏伟;王凌云;何泱;袁建强;马勋;李洪涛 -专利权人：中国工程物理研究院流体物理研究所
申请日： 2021-10-25 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： H01L31/0304 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种堆栈结构GaAs光导开关及制作方法和冲激脉冲源，通过光导开关的低导通电阻以提高冲激脉冲源的输出功率；包括：在半绝缘GaAs材料表面外延生长一层n+‑GaAs层；将半绝缘GaAs材料表面除电极区域外的n+‑GaAs层去除；将锗、金、镍和金依次沉积到电极区域的n+‑GaAs层表面；在去除n+‑GaAs层的半绝缘GaAs材料的半绝缘GaAs材料表面刻蚀槽；在槽内蒸镀金属或者外延生长n+‑GaAs；经过高温快速退火在电极区域形成欧姆接触，制作得到光导开关。本发明实施例得到了欧姆接触电阻率小于10‑6Ω·cm2的光导开关，使采用该光导开关的冲激脉冲源提高了输出功率。
一种堆栈结构 gaas 开关制作方法冲激脉冲

[发明专利]一种磁偏置弱光触发大功率光导开关-CN202010200729.9有效
发明人：付佳斌;谢卫平;何泱;栾崇彪;刘宏伟;袁建强 -专利权人：中国工程物理研究院流体物理研究所
申请日： 2020-03-20 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： H03K17/78 文献下载
摘要：本发明涉及脉冲功率技术领域，本发明公开了一种磁偏置弱光触发大功率光导开关，包括光导开关、绝缘介质、绝缘容器、磁场产生元件和触发激光，光导开关浸没于绝缘介质中，绝缘介质用于增加光导开关的沿面耐压强度，光导开关和绝缘介质均置于绝缘容器中，磁场产生元件置于绝缘容器外侧，且磁场产生元件所产生的磁场垂直于光导开关的内部电场，触发激光用于控制光导开关的导通。本发明采用激光触发，触发控制与高电压实现光电隔离，本发明还采用磁场偏置使得光导开关内部电子倍增方向发生偏转，从而增加载流子雪崩的横向截面积，并使得电流丝发生横向移动，降低导通过程电流丝电流密度，以达到提高弱光触发大功率光导开关工作寿命的目的。
一种偏置弱光触发大功率开关

[发明专利]一种用于高温环境的硅基光触发多门极半导体开关芯片-CN202210003973.5在审
发明人：栾崇彪;刘宏伟;袁建强;王凌云;付佳斌;何泱;徐乐;李洪涛;谢卫平 -专利权人：中国工程物理研究院流体物理研究所
申请日： 2022-01-04 - 公布日： 2022-04-15 - 主分类号： H01L31/111 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于高温环境的硅基光触发多门极半导体开关芯片，所述硅基光触发多门极半导体开关芯片包括依次形成的阴极电极、PN结结构和阳极电极，所述PN结结构为N+PN‑NP+结构，从上到下依次包括N+层、基层、N‑层、N层和P+层，通过所述PN结结构实现降低光触发多门极半导体开关芯片的漏电流。所述PN结结构为N+PN‑NP+结构的形成方式包括：将N基区分成N‑层和N层，或者在P区和N基区之间增加N‑层。所述阴极电极的结构为圆环状或梳条状电极结构。本发明解决了传统光触发多门极半导体开关芯片在高温(125℃)工作时由于晶体管增益会产生较大漏电流而使开关导通，导致应用系统崩溃或无法使用的问题。
一种用于高温环境硅基光触发多门极半导体开关芯片

[发明专利]一种大功率碳化硅基光触发多门极半导体开关芯片-CN202210004671.X在审
发明人：栾崇彪;刘宏伟;袁建强;王凌云;谢卫平;李洪涛;付佳斌;何泱;徐乐 -专利权人：中国工程物理研究院流体物理研究所
申请日： 2022-01-04 - 公布日： 2022-04-15 - 主分类号： H01L31/111 文献下载
摘要：本发明公开了一种大功率碳化硅基光触发多门极半导体开关芯片，包括依次形成的阳极电极、PN结结构和阴极电极，所述PN结结构为P+NP‑PNN+结构，采用高功率激光触发方式。为提高开关芯片工作电压，本发明将基区P‑的厚度增大、掺杂浓度降低，通过激光触发能量抑制基区厚度增大导致的通态损耗增大；通过设计圆环状电极结构，同时合理设计P+层凸出圆环状电极结构的尺寸，提高开关芯片通流能力和开通速度；开关终端采用场限环结构，并在终端上增加PI钝化层，降低开关芯片终端漏电流。本发明能够使开关工作电压达到15kV以上、di/dt达到200kA/μs，而且光触发多门极半导体开关可在125℃高温条件下正常工作。
一种大功率碳化硅触发多门极半导体开关芯片

[发明专利]一种模拟X射线辐照卫星产生电磁场的系统-CN202111469452.0在审
发明人：栾崇彪;刘宏伟;何泱;袁建强;马勋;李洪涛;肖金水;王凌云 -专利权人：中国工程物理研究院流体物理研究所
申请日： 2021-12-03 - 公布日： 2022-03-11 - 主分类号： G01R29/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种模拟X射线辐照卫星产生电磁场的系统，包括大电流脉冲源、锥形传输线以及卫星太阳能帆板；所述锥形传输线以电容耦合的方式将所述大电流脉冲源输出的脉冲电流信号注入到所述卫星太阳能帆板中。本发明的目的在于提供一种模拟X射线辐照卫星产生电磁场的系统，通过电磁激励方式模拟X射线辐照卫星产生的电磁场，为卫星内部电源系统、通信系统以及天线定向系统等的抗电磁脉冲加固提供一种新的试验手段。
一种模拟射线辐照卫星产生电磁场系统

[发明专利]一种电源适配器生产焊接装置-CN202111184152.8有效
发明人：姚姝冉;何泱 -专利权人：深圳市火牛科技有限公司
申请日： 2021-10-12 - 公布日： 2021-12-14 - 主分类号： B23K37/047 文献下载
摘要：本发明适用于生产焊接技术领域，提供了一种电源适配器生产焊接装置，所述电源适配器生产焊接装置包括：主机箱，所述主机箱上安装有支撑组件，所述电源适配器设于所述支撑组件上；操作箱，安装在所述主机箱内部，所述操作箱上安装有紧固组件；焊接组件，安装在所述紧固组件上；位置变换组件，安装在所述操作箱内部。在该电源适配器生产焊接装置使用时，先将电源适配器放置在支撑组件上，并对其进行挤压固定，随后根据电源适配器的规格来调节高度，使紧固组件可以对电源适配器进行挤压，将需要焊接的盖板压紧，然后启动位置变换组件和焊接组件，焊接组件会对电源适配器进行焊接操作，而位置变换组件则会带动焊接组件进行移动。
一种电源适配器生产焊接装置

[发明专利]一种弹丸和闪光同步方法、装置和系统-CN202111101668.1在审
发明人：杨宇;李晶;耿力东;伍友成;付佳斌;何泱 -专利权人：中国工程物理研究院流体物理研究所
申请日： 2021-09-18 - 公布日： 2021-11-19 - 主分类号： F41A31/00 文献下载
摘要：为解决现有技术中存在的由于每发弹丸的状态不同导致弹丸与闪光之间的同步误差存在不确定性而使试验成功概率降低的技术问题，本发明实施例提供一种弹丸和闪光同步方法、装置和系统；包括：弹丸在触发闪光触发点后击中靶目标时闪光产生设备向靶目标输出闪光；装置包括：时间计算单元；设定单元，用于将在所述速度下弹丸从闪光触发点到击中靶目标所需时间设定为闪光触发点被弹丸触发后闪光的延时输出时间；以及控制单元，用于控制闪光触发点被弹丸触发后经过延时输出时间后闪光产生设备向靶目标输出闪光。本发明实施例通过弹丸在触发闪光触发点后击中靶目标时闪光产生设备向靶目标输出闪光，实现了闪光与气炮的弹丸的高精度同步。
一种弹丸闪光同步方法装置系统

[实用新型]同心度调节机构及杆箍缩二极管-CN202121189208.4有效
发明人：耿力东;谢卫平;袁建强;何泱;马勋;卫兵;郭帆;王治;韩文辉;曹龙博;夏明鹤 -专利权人：中国工程物理研究院流体物理研究所
申请日： 2021-05-31 - 公布日： 2021-10-29 - 主分类号： H01J35/14 文献下载
摘要：本实用新型公开了同心度调节机构及杆箍缩二极管，所述同心度调节机构包括阳极调节结构、阴极调节结构和调节螺杆；所述阳极调节结构包括第一阳极调节座、调节波纹管、调节球和第二阳极调节座；调节波纹管设置在第一阳极调节座和第二阳极调节座之间，调节球置于调节波纹管内，第二阳极调节座用于与第一调节件连接；阴极调节结构包括第一阴极盘固定座和第二阴极盘固定座；第一阴极盘固定座、第二阴极盘固定座用于固定第二调节件，通过调节螺杆实现第二调节件位移，实现第一调节件同心。将同心度调节机构用于杆箍缩二极管，不仅能确定X光焦斑相对位置，还能提高RPD阴阳极同心度装配精度，极大的提高了RPD稳定性。
同心调节机构杆箍缩二极管

[发明专利]同心度调节机构、杆箍缩二极管及调节方法、应用-CN202110598560.1在审
发明人：耿力东;谢卫平;袁建强;何泱;马勋;卫兵;郭帆;王治;韩文辉;曹龙博;夏明鹤 -专利权人：中国工程物理研究院流体物理研究所
申请日： 2021-05-31 - 公布日： 2021-07-30 - 主分类号： H01J35/14 文献下载
摘要：本发明公开了同心度调节机构、杆箍缩二极管及调节方法、应用，同心度调节机构包括阳极调节结构、阴极调节结构和调节螺杆；所述阳极调节结构包括第一阳极调节座、调节波纹管、调节球和第二阳极调节座；调节波纹管设置在第一阳极调节座和第二阳极调节座之间，调节球置于调节波纹管内，第二阳极调节座用于与第一调节件连接；阴极调节结构包括第一阴极盘固定座和第二阴极盘固定座；第一阴极盘固定座、第二阴极盘固定座用于固定第二调节件，通过调节螺杆实现第二调节件位移，实现第一调节件同心。将同心度调节机构用于杆箍缩二极管，不仅能确定X光焦斑相对位置，还能提高RPD阴阳极同心度装配精度，极大的提高了RPD稳定性。
同心调节机构杆箍缩二极管方法应用

[实用新型]一种大功率串联谐振正负高压重频充电电源-CN202021140579.9有效
发明人：冯传均;伍友成;戴文峰;何泱;曹龙博 -专利权人：中国工程物理研究院流体物理研究所
申请日： 2020-06-18 - 公布日： 2020-11-20 - 主分类号： H02M3/335 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种大功率串联谐振正负高压重频充电电源，包括储能模块、IGBT全桥拓扑电路、高压变压器T1、全波整流电路、负载电容、反馈检测电路、反馈控制电路和驱动控制电路；储能模块的输出端与IGBT全桥拓扑电路的输入端连接，IGBT全桥拓扑电路的输出端与高压变压器T1的初级绕组连接，高压变压器T1的次级绕组与全波整流电路的输入端连接，全波整流电路的输出端连接反馈检测电路，反馈检测电路的两端并联有负载电容，反馈检测电路还连接有反馈控制电路的输入端，反馈控制电路的输出端与驱动控制电路的输入端连接，驱动控制电路的输出端与IGBT全桥拓扑电路的控制端连接，实现对重频脉冲发生器容进行快速充电。
一种大功率串联谐振正负高压充电电源

[实用新型]基于变压器的一体化弱光触发气体开关电路-CN201922176654.0有效
发明人：付佳斌;谢卫平;王凌云;冯传均;何泱 -专利权人：中国工程物理研究院流体物理研究所
申请日： 2019-12-06 - 公布日： 2020-06-30 - 主分类号： H03K17/687 文献下载
摘要：本实用新型公开了基于变压器的一体化弱光触发气体开关电路，电路包括气体开关、变压器、光导开关、分压电阻和触发电容；所述气体开关的高压极与分压电阻连接，气体开关的地电极接地，气体开关的触发极与变压器的副边连接；变压器原边的一个端子连接光导开关的一端，光导开关的另一端分别连接分压电阻和触发电容；变压器原边的另一个端子连接触发电容并接地。本实用新型可以采用微焦量级的低能量激光触发，触发控制与高电压实现光电隔离；使用光纤传输触发光能，省去了复杂的准直和对光等操作，易于控制触发时刻。本实用新型的触发回路直接从主回路或者气体开关电场中获取触发系统所需的电压和能量，无需外加充电电源。
基于变压器一体化弱光触发气体开关电路

[实用新型]一种圆弧形固态脉冲形成线-CN201922334533.4有效
发明人：伍友成;曹龙博;何泱 -专利权人：中国工程物理研究院流体物理研究所
申请日： 2019-12-23 - 公布日： 2020-06-30 - 主分类号： H03K3/53 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种圆弧形固态脉冲形成线，所述脉冲形成线至少包括上圆弧形金属板、下圆弧形金属板和若干陶瓷电容器，所述陶瓷电容器并排的设置于所述上圆弧形金属板与下圆弧形金属板之间，且所述陶瓷电容器的两端分别与所述上圆弧形金属板与下圆弧形金属板电性连接；所述上圆弧形金属板上还设有上金属板充电端口和上电极头；所述下圆弧形金属板上还设有下金属板充电端口和下电极头；所述上电极头与下电极头相互错开，分别朝上和朝下放电。本实用新型装置具有尺寸小和重量轻的特点，且多个圆弧形固态脉冲形成线易于组合形成同轴型结构，能够有效减小高阻抗高电压脉冲产生装置的体积和重量。
一种圆弧固态脉冲形成

[发明专利]基于变压器的一体化弱光触发气体开关电路及其工作方法-CN201911239111.7在审
发明人：付佳斌;谢卫平;王凌云;冯传均;何泱 -专利权人：中国工程物理研究院流体物理研究所
申请日： 2019-12-06 - 公布日： 2020-03-31 - 主分类号： H03K17/687 文献下载
摘要：本发明公开了基于变压器的一体化弱光触发气体开关电路及其工作方法，电路包括气体开关、变压器、光导开关、分压电阻和触发电容；所述气体开关的高压极与分压电阻连接，气体开关的地电极接地，气体开关的触发极与变压器的副边连接；变压器原边的一个端子连接光导开关的一端，光导开关的另一端分别连接分压电阻和触发电容；变压器原边的另一个端子连接触发电容并接地。本发明可以采用微焦量级的低能量激光触发，触发控制与高电压实现光电隔离；使用光纤传输触发光能，省去了复杂的准直和对光等操作，易于控制触发时刻。本发明的触发回路直接从主回路或者气体开关电场中获取触发系统所需的电压和能量，无需外加充电电源。
基于变压器一体化弱光触发气体开关电路及其工作方法

[发明专利]一种圆弧形固态脉冲形成线及其设计方法-CN201911335241.0在审
发明人：伍友成;曹龙博;何泱 -专利权人：中国工程物理研究院流体物理研究所
申请日： 2019-12-23 - 公布日： 2020-02-28 - 主分类号： H03K3/53 文献下载
摘要：本发明公开了一种圆弧形固态脉冲形成线及其设计方法，所述脉冲形成线至少包括上圆弧形金属板、下圆弧形金属板和若干陶瓷电容器，所述陶瓷电容器并排的设置于所述上圆弧形金属板与下圆弧形金属板之间，且所述陶瓷电容器的两端分别与所述上圆弧形金属板与下圆弧形金属板电性连接；所述上圆弧形金属板上还设有上金属板充电端口和上电极头；所述下圆弧形金属板上还设有下金属板充电端口和下电极头；所述上电极头与下电极头相互错开，分别朝上和朝下放电。本发明装置具有尺寸小和重量轻的特点，且多个圆弧形固态脉冲形成线易于组合形成同轴型结构，能够有效减小高阻抗高电压脉冲产生装置的体积和重量。
一种圆弧固态脉冲形成及其设计方法

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