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[发明专利]一种突触器件及实现其红外光调制突触行为的方法-CN202111186205.X有效
发明人：赖云锋;宁玥;何业法 -专利权人：闽都创新实验室
申请日： 2021-10-12 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： H01L31/032 文献下载
摘要：本发明涉及一种突触器件及实现其红外光调制突触行为的方法。所述器件包括透明衬底、透明导电层、透明绝缘层、铜锌锡硫硒介质层、源电极和漏电极；所述透明衬底，作为器件硬支撑和光输入窗口；所述透明导电层形成于透明衬底上方，作为器件施加电信号的端子；所述透明绝缘层形成于透明导电层上方；所述铜锌锡硫硒介质层形成于透明绝缘层上方并与之接触良好，作为沟道材料使用；所述源电极和漏电极设置于铜锌锡硫硒上方并与之接触良好。本发明通过透明衬底引入激励光，实现红外光对源漏电导的调制，不仅有利于光电协同控制源漏电导，还进一步拓展突触器件响应的光谱范围。
一种突触器件实现红外光调制行为方法

[发明专利]一种适用于交叉阵列防串扰的存储器及其制作方法-CN202211429814.8在审
发明人：赖云锋;何业法;徐华义;蒋瑞 -专利权人：闽都创新实验室;福州大学
申请日： 2022-11-16 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： H10B53/30 文献下载
摘要：本发明提出一种适用于交叉阵列防串扰的存储器及其制作方法，其从下至上依次包括：基板、底电极、铪锆基氧化物、金属、铪锆基氧化物和上电极。所述基板作为器件的硬支撑层；所述底电极和上电极作为器件信号的读写端；所述铪锆基氧化物、金属、铪锆基氧化物组成的三明治结构用于信息存储及防串扰功能的实现。本发明采用铪基氧化替代钙钛矿材料，有利于在高密度集成的超薄介质中获得铁电功能，并实现高密度交叉阵列的防串扰。
一种适用于交叉阵列防串扰存储器及其制作方法