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[发明专利]光源装置-CN201310215717.3有效
发明人：矢部实透;佐藤行雄;贵岛拓己;玉谷基亮 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2013-06-03 - 公布日： 2017-03-01 - 主分类号： F21K9/20 文献下载
摘要：光源装置。本发明关于光源装置提供一种用于实现提高维护性、低成本化、小型化等的技术。光源装置（1）包含多个光源模块（200M），其各自至少包含1个光源单元（200U）；导光线（300），其与光源单元（200U）分别连接；以及壳体（100），其收纳多个光源模块以及多个导光线（300）。从与多个光源模块（200M）的排列方向（X）垂直的方向（Y）观察，导光线（300）以不与多个光源模块（200M）重叠的方式从光源单元（200U）引出。多个光源模块（200M）能够从上述方向（Y）单独地进行拆装。
光源装置

[发明专利]光源装置及其制造方法-CN201610353201.9在审
发明人： 佐藤行雄;矢部实透;吉原徹;中川康幸;黑川博志 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2010-08-18 - 公布日： 2016-08-24 - 主分类号： G02B6/42 文献下载
摘要：本发明的目的在于，提供一种光源装置及其制造方法。该光源装置具有半导体激光器(LD)、LED、灯等的发光源、以及透镜、光纤等的传送、转印、会聚等的光学部件，将装置内的硫酸根离子量保持在低水准，由此，能够防止硫酸铵附着于光学部件。光源装置具有：光源，其出射光；光学部件，其对从光源出射的光进行处理；以及框体，其收纳光学部件或者安装光学部件，通过切削不含硫成分的材料来形成框体，所述材料露出于表面。
光源装置及其制造方法

[发明专利]光源装置-CN201210593005.0有效
发明人：贵岛拓己;熊野宏治;佐藤行雄;矢部实透 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2012-12-31 - 公布日： 2013-07-10 - 主分类号： F21S8/00 文献下载
摘要：本发明提供一种光源装置，能够抑制光泄漏到光源装置的外侧。光源装置（500）具有外壳框体（12）。在外壳框体（12）内配置有光源模块，该光源模块具有光源部件和对该光源部件进行冷却的冷却体。在外壳框体（12）内设有风洞部（10），该风洞部（10）包围光源模块的冷却体即热管单元（3），具有用于使冷却风通过该热管单元（3）的风路（34）。在外壳框体（12）的表面形成有用于将冷却风从外壳框体（12）的外侧取入到内侧的取入开口部（12a）。风洞部（10）的风路（34）的一端与取入开口部（12a）连接。
光源装置

[发明专利]光源装置-CN201010502729.0有效
发明人：矢部实透;佐藤行雄;吉原徹;船仓哲生 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2010-09-28 - 公布日： 2011-05-11 - 主分类号： F21S8/00 文献下载
摘要：本发明得到不对半导体激光元件进行气密密封就能够进行有效冷却的光源装置。光源装置具有：模块固定体，其具有分别嵌入并收纳激光器模块的多个安装孔；供电部件，其在端部形成有与收纳于安装孔的各激光器模块的通电用引线连接的多个供电端子；以及冷却部件，其对激光器模块进行冷却，在模块固定体的一个端面形成收纳有供电部件的槽部，珀尔帖模块紧贴配置于模块固定体的一个端面。
光源装置

[发明专利]光源装置-CN201010245029.8有效
发明人：矢部实透;佐藤行雄;吉原徹;船仓哲生 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2010-08-02 - 公布日： 2011-05-11 - 主分类号： G02B6/42 文献下载
摘要：本发明提供一种能够容易且高精度地调整半导体激光元件和透镜的光轴位置的光源装置。光源装置具有：筒状的多个LD保持架(20)，其具有分别嵌入并固定LD(19)的孔；平板状的基座(1)，其具有第1表面、所述第1表面的相反侧的第2表面、和用于使固定于LD保持架(20)的多个LD(19)通过的多个贯通孔，固定有LD(19)的多个LD保持架(20)以连接各贯通孔和各LD保持架(20)的孔的方式与所述第1表面抵接，并且，对应于各贯通孔在所述第2表面上配置有多个透镜；以及粘接剂(21a、21b)，其配置于基座(1)和各LD保持架(20)相互抵接的抵接部位外侧的角部，固定基座(1)和LD保持架(20)。
光源装置

[发明专利]光源装置以及框体的制造方法-CN201010258141.5无效
发明人： 佐藤行雄;矢部实透;吉原徹;中川康幸;黑川博志 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2010-08-18 - 公布日： 2011-03-30 - 主分类号： G02B6/42 文献下载
摘要：本发明的目的在于，提供一种光源装置以及框体的制造方法。该光源装置具有半导体激光器(LD)、LED、灯等的发光源、以及透镜、光纤等的传送、转印、会聚等的光学部件，将装置内的硫酸根离子量保持在低水准，由此，能够防止硫酸铵附着于光学部件。光源装置具有：光源，其出射光；光学部件，其对从光源出射的光进行处理；以及框体，其收纳光学部件或者安装光学部件，通过切削不含硫成分的材料来形成框体，所述材料露出于表面。
光源装置以及制造方法

[发明专利]传导率可变热管-CN200910171031.2无效
发明人：一法师茂俊;永安哲也;广中伸吾;北崎仓喜;佐藤行雄 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2009-08-28 - 公布日： 2010-03-03 - 主分类号： F28D15/02 文献下载
摘要：本发明不论保存、输送、安装时的状况如何，都能够提供传导率可变热管的稳定起动和稳定动作。该传导率可变热管在沿轴向延伸的密闭容器(1)内封入有工作流体和不冷凝气体，将该密闭容器(1)的一方安装在发热源(9)上，将另一方安装在冷热源(10)上；其中，在上述密闭容器(1)的与轴垂直的截面的一部分上设置导水性比其它部分好的部分(15)，该导水性好的部分在上述轴向延伸。
传导可变热管

[发明专利]放电表面处理用电极的制造方法及放电表面处理用电极-CN200680052887.2有效
发明人：寺本浩行;佐藤行雄;铃木昭弘;后藤昭弘;中村和司 -专利权人：三菱电机株式会社;株式会社IHI
申请日： 2006-09-11 - 公布日： 2009-02-25 - 主分类号： C23C26/00 文献下载
摘要：本发明的目的在于获得放电表面处理用电极及其制造方法，该电极可以通过放电表面处理而形成在从低温到高温的温度范围内耐磨损性优良的覆膜，该电极用于下述放电表面处理，即，以将金属粉末、金属化合物的粉末、或导电性陶瓷粉末成型而构成的成型粉体作为电极，在加工液中或气体中，在电极和工件之间发生脉冲状放电，利用其能量在工件表面形成由电极的材料构成的覆膜、或由电极的材料借助脉冲状放电的能量反应得到的物质构成的覆膜，在该制造方法中，使粉末中的氧元素增加，将氧元素增加后的粉末、有机粘接剂以及溶剂混合而制作混合液，使用混合液进行造粒而形成造粒粉末，将造粒粉末进行成型，制作氧元素浓度为4重量％至16重量％的成型体。
放电表面处理用电制造方法

[发明专利]波长转换方法、波长转换激光器以及激光束机械加工设备-CN200410047604.8有效
发明人：小岛哲夫;今野进;西前顺一;由良信介;森川和敏;园淳弘;佐藤行雄 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2004-05-26 - 公布日： 2005-05-25 - 主分类号： G02F1/37 文献下载
摘要：为了使用于进行波长转换的非线性光学晶体、通过使基本激光束沿一个方向传播来对基本激光束进行波长转换，使随机偏振的基本激光束按顺序穿过串联的、用于进行波长转换的两个非线性光学晶体，从而产生波长已经转换的激光束，其偏振方向彼此相差45度到90度。提供了用于进行波长转换的两个非线性光学晶体，以便当相对于激光束的光轴的方向观察时，各晶体的晶体方向轴相差45度到90度。
波长转换方法激光器以及激光束机械加工设备

[发明专利]薄膜半导体装置的制造方法-CN00800777.2有效
发明人：宫坂光敏;小川哲也;时冈秀忠;佐藤行雄;井上满夫;笹川智广 -专利权人：精工爱普生株式会社;三菱电机株式会社
申请日： 2000-01-14 - 公布日： 2004-07-07 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：一种以在基板上被形成的硅作为主体的结晶性半导体膜作为有源层来使用的半导体装置的制造方法，包括：在基板上形成成为基底保护膜的氧化硅膜的基底保护膜形成工序；在该基底保护膜上形成以硅作为主体的半导体膜的第一工序；以及对半导体膜照射脉冲激光的第二工序，脉冲激光的波长定为370nm以上至710nm以下。由此，采用低温工艺可容易地且稳定地制造高性能的薄膜半导体装置。
薄膜半导体装置制造方法

[发明专利]图象显示装置-CN03155568.3无效
发明人：岡木達樹;佐藤行雄 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2003-08-29 - 公布日： 2004-04-07 - 主分类号： G02B27/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种显示装置(1)，将影象板(9)的影象投影到观察者(2)的眼球(7)的视网膜(14)上。该图象显示装置(1)具备：包含光源(8)、散射从光源(8)发出的光的散射体(9)、透射在散射体(9)被散射了的光的影象板(10)、使透射影象板(10)的光收敛并发送到眼球(7)的透镜(11)的光学系统(3)，并构成为散射体(9)能在光源(8)和影象板(10)之间移动。观察者自己就能调整观看方法及观看的难易程度。
图象显示装置

[发明专利]激光束均匀照射的光学系统-CN03108378.1有效
发明人：岡本達樹;森川和敏;佐藤行雄;西前順一;小川哲也 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2003-03-28 - 公布日： 2003-10-15 - 主分类号： G02B27/10 文献下载
摘要：激光束均匀照射的光学系统，包括：把来自光源的激光束在空间上分割为分割束的波导；把分割束重合照射在照射面上的重合用透镜；使照射面上的光束强度均匀的延迟板。波导使分割束宽度为激光束截面上的空间干涉距离的1/2倍以上；延迟板使分割出的彼此相邻的分割束间延迟比该激光束的时间的干涉距离还长，减轻照射面上的干涉。另一光学系统包括：把激光束分割为分割束的激光束分割部件；把分割束重合照射在照射面上的重合照射部件；使照射面上的光束强度均匀的均匀化部件。均匀化部件包括：使分割出的彼此相邻的分割束之间延迟比该激光束的时间的干涉距离还长的光学延迟部件，还可包括：使分割出的彼此相邻的分割束之间偏振方向实质上正交的旋光部件。
激光束均匀照射光学系统

[发明专利]多晶态硅膜的制造方法和制造装置、以及半导体装置及其制造方法-CN00816776.1有效
发明人：小川哲也;时冈秀忠;西前顺一;冈本达树;佐藤行雄;井上满夫;宫坂光敏;次六宽明 -专利权人：三菱电机株式会社;精工爱普生股份有限公司
申请日： 2000-10-06 - 公布日： 2003-04-02 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：一种多晶态硅膜的制造方法，包括下列步骤在衬底(31)上形成具有第一区(33a)和与该第一区(33a)相接的第二区(33b)的非晶态硅膜(33)的步骤；在上述非晶态硅膜(33)的第一区(33a)上照射波长390nm以上、640nm以下的激光(35)，形成第一多晶态部分(34a)的步骤；以及在上述非晶态硅膜(33)的第二区(33b)和与上述第二区(33b)相接的上述第一多晶态部分(34a)的一部分区域上照射390nm以上、640nm以下的激光(35)，与上述第一多晶态部分(34a)相接地形成第二多晶态部分(34b)的步骤。
多晶态硅膜制造方法装置以及半导体及其

[发明专利]激光热处理方法,激光热处理装置以及半导体装置-CN00800825.6有效
发明人：小川哲也;时冈秀忠;佐藤行雄;井上满夫;笹川智广;宫坂光敏 -专利权人：三菱电机株式会社;精工爱普生株式会社
申请日： 2000-03-08 - 公布日： 2001-07-18 - 主分类号： H01L21/268 文献下载
摘要：把由波长350nm以上至800nm以下的脉冲激光光源(101)发生的聚光激光光束(102)成形为具有宽度(WO)和长度(LO)的线状光束(300),对形成于基板(203)的膜材料(201)照射线状光束(300),对非晶质或者多结晶的硅膜材料进行激光热处理。
激光热处理方法装置以及半导体

[发明专利]激光热处理用光学系统和激光热处理装置-CN00118744.9有效
发明人：冈本达树;小川哲也;古田啟介;时冈秀忠;笹川智宏;西前顺一;井上満悍;佐藤行雄 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2000-06-23 - 公布日： 2001-03-14 - 主分类号： H01L21/324 文献下载
摘要：在激光热处理方法中,提供控制形成高性能薄膜用的激光照射剖面的光学系统。在向形成于基板上的膜上照射长方形束的光学系统中,通过用强度分布成形装置使长度方向的强度分布均匀,短边方向保持振荡激光的定向性等向的结构,能在振荡激光性质限制的界限内进行聚光,在基板上的膜上得到最大限度的强度梯度。因此,可在基板上的膜上形成陡峻的温度分布,其结果,可形成高性能薄膜。
激光热处理用光系统装置

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