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[发明专利]离子注入装置及静电四极透镜装置-CN202210196986.9在审
发明人： 佐佐木玄;河合骏;稻田耕二 -专利权人：住友重机械离子科技株式会社
申请日： 2022-03-02 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： H01J37/145 文献下载
摘要：本发明可抑制污垢附着于静电四极透镜装置中所包含的电极体或支承电极体的绝缘部件，以提高射束线的真空度。静电四极透镜装置具备：多个透镜电极(82)，在对置的多个透镜电极之间隔着射束线(BL)在与射束线(BL)所延伸的轴向正交的径向上对置，且在与轴向及径向这两个方向正交的周向上隔着间隔配置；上游侧覆盖电极(84a)，包覆多个透镜电极(82)的射束线上游侧，且具有在轴向开口的射束入射口(92a)；及下游侧覆盖电极(84b)，包覆多个透镜电极(82)的射束线下游侧，且具有在轴向开口的射束射出口(92b)。上游侧覆盖电极(84a)及下游侧覆盖电极(84b)中至少一者具有在径向开口的至少一个气体排出口(94a、94b、96a、96b)。
离子注入装置静电透镜

[发明专利]离子注入装置及离子注入装置的控制方法-CN201811351479.8有效
发明人： 佐佐木玄 -专利权人：住友重机械离子科技株式会社
申请日： 2018-11-14 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H01J37/317 文献下载
摘要：本发明根据需要提高离子注入装置的质量分辨率。质量分析装置(22)具备：质量分析磁铁(22a)，对通过引出电极从离子源引出的离子束施加磁场而使其偏转；质谱分析狭缝(22b)，设置于质量分析磁铁(22a)的下游，且使偏转的离子束中所希望的离子种的离子束选择性地通过；及透镜装置(22c)，设置于质量分析磁铁(22a)与质谱分析狭缝(22b)之间，且对朝向质谱分析狭缝(22b)的离子束施加磁场及电场中的至少一种来调整离子束的收敛及发散。质量分析装置(22)在隔着质谱分析狭缝(22b)的上游侧至下游侧为止的规定的调整范围内，利用透镜装置(22c)来改变通过质谱分析狭缝(22b)的离子束的收敛位置，由此调整质量分辨率。
离子注入装置控制方法

[发明专利]离子注入装置、离子注入方法及射束测量装置-CN201510477653.3有效
发明人：佐野信;月原光国;佐佐木玄;稻田耕二 -专利权人：住友重机械离子技术有限公司
申请日： 2015-08-06 - 公布日： 2021-03-26 - 主分类号： H01J37/317 文献下载
摘要：本发明提供一种离子注入装置、离子注入方法及射束测量装置，其课题在于高精度地测量具有规定轨道的射束成分。本发明的离子注入装置具备：射束偏转装置(42)，使通过前段射束路径(P1)的离子束偏转，且向晶片(40)射出射束以便通过后段射束路径(P2)；射束过滤狭缝(52)，位于射束偏转装置(42)与晶片(40)之间，局部屏蔽在后段射束路径(P2)中行进的射束，以供具有规定轨道的射束成分向晶片(40)通过；剂量杯(50)，位于射束偏转装置(42)与射束过滤狭缝(52)之间，且测量出从射束偏转装置(42)射出的一部分射束以作为射束电流；及轨道限制机构(60)，位于射束偏转装置(42)与剂量杯(50)之间，防止从射束偏转装置(42)射出而朝向剂量杯(50)的射束中具有脱离规定轨道的轨道的射束成分入射到剂量杯(50)的测量区域。
离子注入装置方法测量

[发明专利]离子注入装置-CN201810163692.X有效
发明人： 佐佐木玄;藤田胜士 -专利权人：住友重机械离子科技株式会社
申请日： 2018-02-27 - 公布日： 2020-10-23 - 主分类号： C23C14/48 文献下载
摘要：本发明提供一种离子注入装置。其课题在于提高离子注入装置中的射束能量测定的校正精度。离子注入装置(100)具备：离子源(10)，能够输出包含具有与引出电压相应的已知的能量的多价离子的校正用离子束；上游射束线(102)，包括质谱分析磁铁(22a)和高能量多级直线加速单元(14)；能量分析磁铁(24)；射束能量测定装置(200)，在能量分析磁铁(24)的下游测定校正用离子束的能量；及校正序列部，制作表示已知的能量与通过射束能量测定装置(200)测定出的校正用离子束的能量之间的对应关系的能量校正表。上游射束线压力在离子注入处理期间被调整为第1压力，在制作能量校正表的期间被调整为高于第1压力的第2压力。
离子注入装置

[发明专利]离子注入方法以及离子注入装置-CN201810010055.9有效
发明人： 佐佐木玄 -专利权人：住友重机械离子科技株式会社
申请日： 2018-01-05 - 公布日： 2020-10-23 - 主分类号： H01J37/317 文献下载
摘要：离子注入方法以及离子注入装置，以高精度迅速调整线性加速器的透镜参数。离子注入装置具备：多级线性加速单元(110)，包含多级高频谐振器和多级收敛透镜；第1射束测量部(160)，设置于多级线性加速单元(110)的中途，构成为使射束轨道(Z)的中心附近的射束部分通过，另一方面测量在射束轨道(Z)的中心附近的外侧被电极体(164)屏蔽的其他射束部分的电流量；第2射束测量部(170)，设置于多级线性加速单元(110)的下游，构成为测量从多级线性加速单元(110)射出的离子束的电流量；以及控制装置，构成为根据第1射束测量部(160)以及第2射束测量部(170)的测量结果调整多级收敛透镜的控制参数。
离子注入方法以及装置

[发明专利]离子注入方法及离子注入装置-CN201910648386.X在审
发明人：川崎洋司;佐佐木玄 -专利权人：住友重机械离子科技株式会社
申请日： 2019-07-18 - 公布日： 2020-01-31 - 主分类号： H01L21/265 文献下载
摘要：本发明提供一种能够实现所期望的注入分布的离子注入技术。离子注入装置(100)具备：射束线装置，输送离子束(B)；晶片保持装置，保持离子束(B)所照射的晶片(W)；及温度调整装置(50)，用于对晶片(W)进行加热或冷却。离子注入装置(100)使用温度调整装置(50)将晶片(W)加热或冷却至规定的温度，以满足规定的通道效应条件的方式将晶片(W)保持于晶片保持装置，对晶片保持装置所保持的规定的温度的晶片(W)照射离子束(B)。
晶片晶片保持离子束离子注入装置温度调整装置加热冷却照射离子注入技术通道效应射束线期望

[发明专利]离子注入装置、射束能量测定装置以及射束能量测定方法-CN201510104340.3有效
发明人： 佐佐木玄;渡边一浩;狩谷宏行 -专利权人：斯伊恩股份有限公司
申请日： 2015-03-10 - 公布日： 2018-09-28 - 主分类号： H01J37/317 文献下载
摘要：本发明提供一种离子注入装置、射束能量测定装置以及射束能量测定方法。在离子注入装置中测定离子束的能量。离子注入装置(100)中的射束能量测定装置(200)具备：平行度测定部(202)，在离子注入装置(100)的射束平行化器(36)的下游测定离子束的平行度；及能量运算部(204)，由测定出的平行度运算离子束的能量。离子注入装置(100)还可以具备控制部，该控制部根据运算出的离子束的能量控制高能量多段直线加速单元(14)，以使离子束具有目标能量。
离子注入装置能量测定以及方法

[发明专利]高能量离子注入装置-CN201410171492.0有效
发明人：椛泽光昭;渡边一浩;佐佐木玄;加藤浩二;安藤一志 -专利权人：斯伊恩股份有限公司
申请日： 2014-04-25 - 公布日： 2018-06-19 - 主分类号： H01L21/265 文献下载
摘要：本发明提供一种高能量离子注入装置，精度良好地将已扫描的高能量离子束平行化。本发明的高能量离子注入装置具备：射束生成单元，具有离子源和质量分析装置；高能量多段直线加速单元；高能量射束的偏转单元，将高能量离子束朝向晶片进行方向转换；及射束传输线单元，将已偏转的高能量离子束传输到晶片。射束传输线单元具有射束整形器、高能量用射束扫描器、高能量用射束平行化器及高能量用最终能量过滤器。并且，高能量用射束平行化器为通过电场重复高能量射束的加速和减速并且将扫描束平行化的电场式射束平行化器。 1
射束高能量高能量离子平行化器注入装置传输线单元电场平行化晶片扫描质量分析装置过滤器偏转多段直线方向转换加速单元偏转单元射束整形生成单元最终能量离子源扫描器减速传输重复

[发明专利]高能量离子注入装置-CN201410172111.0有效
发明人：椛泽光昭;渡边一浩;佐佐木玄;稻田耕二;佐野信 -专利权人：斯伊恩股份有限公司
申请日： 2014-04-25 - 公布日： 2018-05-22 - 主分类号： H01J37/317 文献下载
摘要：本发明提供一种高能量离子注入装置，维持已扫描的高能量离子束的注入离子密度的均匀性，并且提高异质离子的去除性能。本发明的高能量离子注入装置具备：射束生成单元，具有离子源和质量分析装置；高频多段直线加速单元；偏转单元，包括以动量进行离子的过滤的磁场式的能量分析装置；射束传输线单元；及基板处理供给单元。该装置中，在电场式射束平行化器与晶片之间除了作为动量过滤器的磁场式质量分析装置及能量分析装置、作为速度过滤器的高频多段直线加速单元之外，还插入有通过电场使高能量扫描束向上下方向偏转的电场式最终能量过滤器。
高能量离子注入装置

[发明专利]高能量离子注入装置-CN201410171523.2有效
发明人：椛泽光昭;渡边一浩;佐佐木玄;稻田耕二 -专利权人：斯伊恩股份有限公司
申请日： 2014-04-25 - 公布日： 2017-07-18 - 主分类号： H01J37/317 文献下载
摘要：本发明提供一种高能量离子注入装置，通过电场对高能量的离子束进行扫描、平行化及过滤。本发明的高能量离子注入装置(100)具备高能量多段直线加速单元(14)，对离子束进行加速而生成高能量离子束；偏转单元(16)，将高能量离子束朝向半导体晶片进行方向转换；及射束传输线单元(18)，将已偏转的高能量离子束传输到晶片。射束传输线单元(18)具有射束整形器(32)、高能量用射束扫描器(34)、高能量用电场式射束平行化器(36)及电场式最终能量过滤器(38)。
高能量离子注入装置

[发明专利]离子注入装置、射束平行化装置及离子注入方法-CN201310571727.0有效
发明人：八木田贵典;椛泽光昭;佐佐木玄 -专利权人：斯伊恩股份有限公司
申请日： 2013-11-13 - 公布日： 2014-05-21 - 主分类号： H01J37/317 文献下载
摘要：本发明提供一种能够广泛使用的离子注入装置、射束平行化装置及离子注入方法。本发明的离子注入装置（700）具备射束平行化部（704）及第3电源部（726），其中，射束平行化部（704）具备加速透镜（706）及沿离子束输送方向与加速透镜（706）相邻配置的减速透镜（708），第3电源部（726）在多个能量设定中的任一设定下使射束平行化部（704）动作。多个能量设定包括适合低能量离子束的输送的第1能量设定及适合高能量离子束的输送的第2能量设定。第3电源部（726）被构成为，在第2能量设定下至少在加速透镜（706）上产生电位差，在第1能量设定下至少在减速透镜（708）上产生电位差。减速透镜（708）的曲线比加速透镜（706）的曲线更平缓。
离子注入装置平行化装方法

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