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[发明专利]边缘环和基片处理装置-CN202111292982.2在审
发明人： 佐佐木淳一;池上真史;佐藤充明;赤羽和彦 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2021-11-03 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供能够降低边缘环的更换频率、并且能够抑制传热气体的泄漏和颗粒的产生的边缘环和基片处理装置。边缘环是能够配置在被处理基片的周围的边缘环，其包括：由第一材料形成的环状的第一部件，该第一部件在内周侧的侧面下部具有第一倾斜部；和设置在第一部件的下部的环状的第二部件，其由与第一材料不同的第二材料形成，并具有与第一倾斜部相对的第二倾斜部。
边缘处理装置

[发明专利]温泉疗养箱及温泉疗养箱的控制方法-CN201780014922.X有效
发明人： 佐佐木淳一 -专利权人：株式会社日本箱产业
申请日： 2017-02-22 - 公布日： 2021-11-02 - 主分类号： A61M15/00 文献下载
摘要：本发明提供一种温泉疗养箱，不受周围的大气温度的作用地使得使用者能够吸入始终稳定的浓度的氡从而使得使用者能够获得与氡温泉的温泉疗养同样的效果。温泉疗养箱1具备：氡产生容器2，其在上部具有开口部23，在内部容纳水22以及含有放射性物质的矿石21；盖构件24，其可拆装地安装于氡产生容器2的开口部23而能够将开口部23密封；氡导出管20，其将氡产生容器2的内部和外部连通；片状加热器15，其对氡产生容器2进行加热；容器收纳盒3，其将氡产生容器2容纳在内部，并且供片状加热器15进行设置；以及开关阀18，其配置于延伸至氡产生容器2的外部的氡导出管20的中途，对氡导出管20进行开关。
温泉疗养控制方法

[发明专利]脱离控制方法和等离子体处理装置-CN201810995793.3有效
发明人：佐佐木康晴;平井克典;佐佐木淳一 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2018-08-29 - 公布日： 2021-06-11 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供一种容易进行被处理体从静电卡盘的脱离的脱离控制方法和等离子体处理装置。使被静电吸附于静电卡盘的被处理体脱离的脱离控制方法具有以下工序：在利用支承机构升起所述被处理体的期间，一边向静电卡盘的电极施加规定的静电电压一边使被处理体脱离。
脱离控制方法等离子体处理装置

[发明专利]清洁方法和等离子体处理装置-CN202011307540.6在审
发明人：高山贵光;佐佐木淳一 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2020-11-20 - 公布日： 2021-06-01 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供一种清洁方法和等离子体处理装置，用于抑制对载置台的损伤，并且去除沉积于载置台的外周部的沉积物。清洁方法为等离子体处理装置中的载置台的清洁方法，包括进行分离的工序和进行去除的工序。在进行分离的工序中，使用升降机构来使载置台与基板分离。在进行去除的工序中，在进行分离的工序之后，通过从高频电源向载置台供给高频电力来生成等离子体，从而去除沉积于载置台的沉积物。另外，在进行分离的工序中，载置台与基板的分离距离设定为形成于载置台的外周部周边的合成阻抗比形成于载置台的中心部正上方的合成阻抗低。
清洁方法等离子体处理装置

[发明专利]等离子体处理装置及等离子体处理方法-CN202011056120.5在审
发明人： 佐佐木淳一;佐佐木康晴;花冈秀敏;秋山知彦 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2020-09-30 - 公布日： 2021-04-20 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明中公开的等离子体处理装置的基板支撑器具有保持边缘环的静电卡盘。静电卡盘包括第1电极及第2电极。对基板执行第1等离子体处理期间，在第1及第2电极分别设定彼此相同的电位及彼此不同的电位中的一种电位。对基板执行第2等离子体处理期间，在第1及第2电极分别设定另一种电位。在生成等离子体的状态下，第1电极及第2电极各自的电位从一种电位切换成另一种电位。
等离子体处理装置方法

[发明专利]等离子体处理装置、处理方法及上部电极构造-CN202010905300.X在审
发明人：四本松康太;石桥淳治;佐佐木淳一;花冈秀敏 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2020-09-01 - 公布日： 2021-03-05 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：一种等离子体处理装置，其用于对在基板的边缘区域产生的倾斜形状的随时间的变化进行抑制。该等离子体处理装置包括：腔室；下部电极，用于在所述腔室内放置基板；边缘环，布置于所述下部电极的周围；部件，布置于在所述腔室内与所述下部电极相对的上部电极的周围；气体供给部，向所述部件与所述下部电极之间的处理空间供给处理气体；以及高频供电部，向所述下部电极或所述上部电极施加用于生成所述处理气体的等离子体的高频电力，其中，所述部件具有内侧部件、以及位于所述内侧部件的外侧的外侧部件，所述外侧部件在径向上相对于所述边缘环位于外侧，所述外侧部件的至少一部分能够根据所述边缘环的消耗而在上下方向上移动。
等离子体处理装置方法上部电极构造

[发明专利]等离子体处理装置和等离子体处理方法-CN201911220416.3在审
发明人：塚原利也;山边周平;谷地晃汰;佐藤徹治;内田阳平;铃木步太;田村洋典;花冈秀敏;佐佐木淳一 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2019-12-03 - 公布日： 2020-06-09 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明提供一种等离子体处理装置和等离子体处理方法。等离子体处理装置具备处理容器、下部电极、环状构件、内侧上部电极、外侧上部电极、处理气体供给部、第一高频供电部以及第一直流供电部。下部电极载置被处理基板。环状构件载置在下部电极的外周部上。内侧上部电极配置于下部电极的正对面。外侧上部电极以与内侧上部电极电绝缘的方式呈环状地配置于该内侧上部电极的径向外侧。第一高频供电部将用于生成处理气体的等离子体的第一高频施加于下部电极或内侧上部电极和外侧上部电极。第一直流供电部对外侧上部电极施加可变的第一直流电压。外侧上部电极的在处理空间中露出的面的至少一部分处于比内侧上部电极的在处理空间中露出的面靠上方的位置。
等离子体处理装置方法

[发明专利]载置台和基板处理装置-CN201911070184.8在审
发明人：塚原利也;佐藤充明;佐佐木淳一;尹南虎;徐智洙 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2019-11-05 - 公布日： 2020-05-12 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供载置台和基板处理装置。对边缘环与静电卡盘之间的相对的侧壁的间隙进行管理。提供一种载置台，该载置台具有：边缘环，其配置于基板的周围；静电卡盘，其具有载置所述基板的第1载置面和载置所述边缘环的第2载置面；以及具有伸缩性的构件，其配置于所述静电卡盘的所述第1载置面和所述第2载置面之间的侧面与所述边缘环的内径面之间，且是配置于低于所述第1载置面的位置。
载置台处理装置

[发明专利]平视显示装置-CN201280061963.1无效
发明人：岛田贵弘;佐佐木淳一 -专利权人：矢崎总业株式会社
申请日： 2012-12-14 - 公布日： 2014-08-20 - 主分类号： G02B27/01 文献下载
摘要：一种平视显示装置，该平视显示装置可将显示光投射到车辆的挡风玻璃上以在其上形成虚像。所述装置包括：壳；指示器(14)，该指示器装接于所述壳(12)，以向所述壳内发射显示光；光导路径(D)，通过该光导路径导引从所述指示器(14)发射的显示光；以及布线板(31)，该布线板设置有用于驱动所述指示器(14)的驱动电路。所述壳(12)包括导轨(71)，该导轨沿来自所述指示器(14)的显示光的照射方向形成，以将所述布线板(31)的两个横向部分支撑在所述导轨(71)上，并且通过沿所述显示光的照射方向经由所述导轨(71)导引并滑动所述布线板(31)，将所述布线板装接在形成于所述光导路径(D)与所述壳(12)的内表面(12d)之间的所述壳(12)的包含空间内。
平视显示装置

[发明专利]平视显示装置-CN201210548330.5有效
发明人：岛田贵弘;佐佐木淳一 -专利权人：矢崎总业株式会社
申请日： 2012-12-17 - 公布日： 2013-06-19 - 主分类号： G02B27/01 文献下载
摘要：一种平视显示装置包括：指示器，该指示器被配置为发射显示光；下壳，所述指示器安装于该下壳；上壳，该上壳被安装到所述下壳的上部；一对支撑部分，该一对支撑部分设置在所述下壳上，并且朝向所述上壳延伸；引导凹槽，该引导凹槽在所述支撑部分的相对侧处形成在该支撑部分上；和反射镜，在该反射镜的两个横向边缘均与所述引导凹槽接合时，所述反射镜朝向所述下壳的底表面插入并且被安装到所述下壳，以反射从所述指示器发射的显示光，并且将反射的显示光引导到车辆的挡风玻璃。
平视显示装置

[发明专利]平视显示装置-CN201210548303.8有效
发明人：岛田贵弘;佐佐木淳一 -专利权人：矢崎总业株式会社
申请日： 2012-12-17 - 公布日： 2013-06-19 - 主分类号： G02B27/01 文献下载
摘要：一种平视显示装置包括构造成反射从指示器射出的显示光以将反射光引导至车辆的挡风玻璃的驱动镜。驱动镜包括：基板，其固定到壳体的底表面上；一对相对的支撑板，其竖立在基板上；保持器，其通过相对的支撑板枢轴地支撑；反射镜，其通过保持器保持；驱动镜，其构造成枢轴转动保持器以改变反射镜的角度；以及定位突起，其设置在支撑板上并以基板的安装方向向壳体的底表面突出。在壳体上形成保持凹部以使得能够将定位突起插入到其中并将定位突起保持在预定位置处。
平视显示装置

[发明专利]等离子体蚀刻方法和等离子体蚀刻装置-CN201110062422.8有效
发明人：李诚泰;小笠原正宏;佐佐木淳一;柳田直人 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2011-03-11 - 公布日： 2011-09-21 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明提供即使对于深度较深的孔也能够蚀刻成良好的形状的等离子体蚀刻方法、等离子体蚀刻装置和计算机存储介质。本发明的等离子体蚀刻方法，由形成为规定图案的光致抗蚀剂层、位于上述光致抗蚀剂层的下层的有机类的防反射膜、位于上述防反射膜的下层的SiON膜和位于上述SiON膜的下层的无定形碳层构成多层掩膜，利用作为最终的掩膜的无定形碳层的图案，对位于上述无定形碳层的下层的硅氧化膜或硅氮化膜进行等离子体蚀刻，在开始上述硅氧化膜或上述硅氮化膜的等离子体蚀刻时的初始掩膜，是在上述无定形碳层之上残留有上述SiON膜的状态，并且上述无定形碳层的膜厚/残留的上述SiON膜的膜厚≤14。
等离子体蚀刻方法装置

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