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专利名称

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申请人
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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]电路基板及其制造方法-CN201080035917.5无效
发明人： 佐久间正夫;大冢宽治 -专利权人： SKLINK株式会社
申请日： 2010-08-13 - 公布日： 2012-05-30 - 主分类号： H01L23/12 文献下载
摘要：本发明以低成本供给可靠性高的电路基板。例如，以使包含芯片取出电极2的基板1的一部分表面经由开口部101露出的方式将金属遮罩100覆盖在基板1上，通过施加0.01eV至250eV的被覆能量的离子电镀法在经离子化的被覆金属上形成金属导体之后，剥离金属遮罩100，由此形成包含形成在基板1的一部分表面上的金属导体的配线层21。由此，可不使用光刻法，而在基板上直接形成配线层21，故可提供生产率高且成本低的电路基板。
路基及其制造方法

[发明专利]引线框、其制造方法及装载有该引线框的半导体装置-CN200780046955.9无效
发明人：小岛宪夫;洼田昭弘;高松义人;石垣友章;佐久间正夫;杉本惠美子;目黑达也 -专利权人：矽马电子股份有限公司
申请日： 2007-12-17 - 公布日： 2009-10-21 - 主分类号： H01L23/50 文献下载
摘要：提供提高了内部引线的机械性强度的引线框、其制造方法及装载该引线框的半导体装置。引线框具备：框架；从该框架向中心部延伸设置的裸芯片连接盘支撑杆；通过该裸芯片连接盘支撑杆被固定在框架的中心部的裸芯片连接盘；及前端侧从框架向框架的中心部延伸设置的多条内部引线，在内部引线的前端部设有刚性加强部，刚性加强部是由树脂固定的部位，位于邻接的内部引线间的间隔在170μm以下的部位，且其框架中心侧的前端缘被配置在距离内部引线的最前端缘1.2mm以下的位置，使被涂布于内部引线的引线接合面的背面侧的树脂液，固定接合于邻接的内部引线间的间隙。
引线制造方法装载半导体装置

[发明专利]半导体装置-CN200510120001.0有效
发明人：深泽则雄;川原登志实;森冈宗知;大泽满洋;松木浩久;小野寺正德;河西纯一;丸山茂幸;竹中正司;新间康弘;佐久间正夫;铃木义美 -专利权人：富士通株式会社
申请日： 1997-07-10 - 公布日： 2006-11-01 - 主分类号： H01L23/485 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体装置，其特征是具备：在表面上形成有突出电极的半导体器件；在半导体器件的表面上形成的剩下上述突出电极的顶端部分来密封上述突出电极的树脂层；以及上述半导体器件的定位突起，上述突起形成在上述半导体器件的上述表面上，并具有从上述树脂层暴露的顶端部分。
半导体装置

[发明专利]半导体装置-CN200510118900.7有效
发明人：深泽则雄;川原登志实;森冈宗知;大泽满洋;松木浩久;小野寺正德;河西纯一;丸山茂幸;竹中正司;新间康弘;佐久间正夫;铃木义美 -专利权人：富士通株式会社
申请日： 1997-07-10 - 公布日： 2006-06-07 - 主分类号： H01L23/485 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体装置，其特征是具备：在表面上形成有突出电极的半导体器件；以及形成在半导体器件的表面上、密封住除了突出电极的顶端部分的上述突出电极的树脂层；上述突出电极具有核心部分和在上述突出的核心部分表面上形成的导电膜。
半导体装置

[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法-CN02126233.0有效
发明人：深泽则雄;川原登志实;森冈宗知;大泽满洋;松木浩久;小野寺正德;河西纯一;丸山茂幸;竹中正司;新间康弘;佐久间正夫;铃木义美 -专利权人：富士通株式会社
申请日： 1997-07-10 - 公布日： 2003-05-28 - 主分类号： H01L23/28 文献下载
摘要：具备下述工序树脂密封工序，用于把已形成的配设有突出电极12的多个半导体器件11的衬底16装设到模具20的空腔28内，接着向突出电极12的配设位置供给树脂35密封突出电极12，形成树脂层13；突出电极露出工序，用于使已被树脂层13覆盖的突出电极12的至少顶端部分从树脂层13中露出来；分离工序，用于使衬底16与树脂层13一起切断分离成各个半导体器件。
半导体装置制造方法

[发明专利]半导体装置的制造方法和半导体装置及其装配方法-CN02126232.2无效
发明人：深泽则雄;川原登志实;森冈宗知;大泽满洋;松木浩久;小野寺正德;河西纯一;丸山茂幸;竹中正司;新间康弘;佐久间正夫;铃木义美 -专利权人：富士通株式会社
申请日： 1997-07-10 - 公布日： 2003-05-28 - 主分类号： H01L21/56 文献下载
摘要：具备下述工序树脂密封工序，用于把已形成的配设有突出电极12的多个半导体器件11的衬底16装设到模具20的空腔28内，接着向突出电极12的配设位置供给树脂35密封突出电极12，形成树脂层13；突出电极露出工序，用于使已被树脂层13覆盖的突出电极12的至少顶端部分从树脂层13中露出来；分离工序，用于使衬底16与树脂层13一起切断分离成各个半导体器件。
半导体装置制造方法及其装配

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