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[发明专利]由光纤预制棒废料制备太阳能级硅的方法-CN200710065906.1无效
发明人：马文会;戴永年;杨斌;刘大春;刘仪柯;徐宝强;汪镜福;谢克强;伍继君;魏奎先 -专利权人：昆明理工大学
申请日： 2007-05-24 - 公布日： 2007-10-24 - 主分类号： C25B1/00 文献下载
摘要：由光纤预制棒废料制备太阳能级硅的方法。本发明涉及的是一种用废光纤预制棒直接利用电化学的方法电解还原生成高纯度的硅，然后联合真空精炼处理工序进而制备太阳能级硅方法。本方法是，①把碱金属氯化物、碱土金属氯化物熔融盐的任一种，或其复合盐置于电解槽内，加热至300℃～1000℃，呈熔融态电解质；②在光纤废料表面缠绕钼丝，与直流恒压电源连接好作为工作电极，石墨棒为对电极；③把制作好了的电极插入熔融盐内，电解槽抽成真空或在惰性气体的保护下，通入0.4V～2V(以Ca²⁺/Ca为基准)直流电，进行氧化还原反应，在工作电极得到高纯度的硅；④再联合真空精炼工序制备出太阳能级硅。本方法具有工艺简单，产品纯度高，能耗小，合理利用废弃资源，成本低等优点。
光纤预制废料制备太阳能级方法

[发明专利]一种液相共沉淀生产超细氧化铟锡粉体的方法-CN200610163856.6无效
发明人：杨斌;徐宝强;刘大春;郭亚琴;冯同春;戴永年;马文会;邓勇;李伟宏;唐万启;刘永成;杨部正;谢克强;伍继君;王飞 -专利权人：昆明理工大学
申请日： 2006-12-29 - 公布日： 2007-07-11 - 主分类号： C01G15/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种液相共沉淀制备超细氧化铟锡粉体的方法。本发明以纯度大于99.99％的金属铟、SnCl₄·5H₂O以及氨水为原料，以pH＝7.0～9.0的(NH₄)₂SO₄－NH₃·H₂O或NH₄Cl－NH₃·H₂O溶液为反应底液，加入一定量的无水乙醇，采用液相共沉淀法制得白色的氢氧化铟锡前驱体，后经过煅烧得到平均粒径为20～60nm的浅黄绿色的球形ITO粉体。由于始终保持反应体系的pH在7.0～9.0的范围内，保证了铟离子和锡离子的完全同时沉淀，减少了胶粒由于pH大范围变化而引起的团聚现象，工艺合理、安全、易于控制，有利于工业化生产。
一种共沉淀生产氧化铟锡粉体方法