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本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]层叠膜和挠性电子设备-CN201580047436.9有效
发明人：山下恭弘;中岛秀明;伊藤豊 -专利权人：住友化学株式会社
申请日： 2015-09-07 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： B32B9/00 文献下载
摘要：本发明的课题是提供将不同种类的层设置于薄膜层上时耐冲击性优异的阻气性层叠膜。本发明提供一种层叠膜，其具备挠性基材和形成于上述基材的至少一侧的表面上的薄膜层，上述薄膜层含有Si、O和C，对上述薄膜层的表面进行X射线光电子能谱测定时，使用由宽扫描能谱得到的相当于Si的2p、O的1s、N的1s和C的1s的各自的结合能的峰而算出的C相对于Si的原子数比在下述式(1)的范围，对上述薄膜层表面进行红外光谱测定时，存在于950～1050cm‑1的峰强度(I1)与存在于1240～1290cm‑1的峰强度(I2)的强度比在下述式(2)的范围。0.01＜C/Si≤0.20(1)0.01≤I2/I1＜0.05(2)。
层叠电子设备

[发明专利]半导体内存装置-CN202110388130.7在审
发明人： 伊藤豊 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2021-04-12 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： G11C11/406 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体内存装置。半导体内存装置包括温度传感器、多个内存区块以及刷新控制器。温度传感器检测半导体内存装置内部的装置温度，以产生相对应的温度信号。每一个内存区块包括具有多个易失性内存单元的内存单元阵列以及多个字线。刷新控制器监视对于多个字线的存取，对在规定期间内出现规定次数的存取进行检测，并且将对应于刷新操作命令的刷新操作，分配成第一刷新操作或第二刷新操作。
半导体内存装置

[发明专利]冗余区域刷新速率增加-CN201980035776.8有效
发明人：何源;伊藤豊 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2019-04-23 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： G11C11/406 文献下载
摘要：本发明揭示一种设备，其可包含地址计数器(18A到18E)以提供第一地址信息及第二地址信息。所述第一地址信息可包含第一数目个位且所述第二地址信息可包含小于所述第一数目位的第二数目个位。所述地址计数器(18A到18E)可执行第一更新操作。所述第一更新操作使得所述第一地址信息从第一初始值更新到第一最终值。所述地址计数器(18A到18E)还可执行第二更新操作，所述第二更新操作使得所述第二地址信息从第二初始值更新到第二最终值。另外，所述地址计数器(18A到18E)还可每执行所述第一更新操作一次执行所述第二更新操作至少两次。
冗余区域刷新速率增加

[发明专利]用于触发行锤击地址取样的设备及方法-CN201980042351.X在审
发明人： 伊藤豊;何源 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2019-07-01 - 公布日： 2021-02-09 - 主分类号： G11C11/406 文献下载
摘要：本发明描述用于触发行锤击地址取样的设备及方法。一种实例设备包含经配置以提供时钟信号的振荡器电路以及滤波器电路。所述滤波器电路包含控制电路，其经配置以接收所述时钟信号的脉冲及通过对所述时钟信号的脉冲数目进行计数提供表示计数数字的输出信号且基于所述计数数字控制启用所述输出信号的概率。所述滤波器电路进一步包含逻辑门，其经配置以响应于来自所述控制电路的所述输出信号被启用而传递所述时钟信号的所述脉冲中的一者及响应于来自所述控制电路的所述输出信号未被启用而对所述脉冲中的另一者进行滤波。
用于触发行锤击地址取样设备方法

[发明专利]用于减少行锤击刷新的方法及设备-CN202010326563.5在审
发明人：何源;伊藤豊 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2020-04-23 - 公布日： 2020-10-30 - 主分类号： G11C11/406 文献下载
摘要：本申请案涉及用于减少行锤击刷新的方法及设备。可基于行地址的位(例如最低有效位)将存储器装置分段成若干区域使得连续字线属于不同区域。存储器装置可起始对应于第一字线的第一行存储器单元的刷新操作。所述存储器装置可确定所述第一行是行锤击攻击的侵略者行，且可确定与第二字线相关联的邻近行作为可能需要刷新(例如，以抵消归因于行锤击攻击的潜在数据损坏)的受害者行。存储器裸片可基于所述受害者行是否属于被掩蔽的区域确定是否对所述受害者行执行行锤击刷新操作。
用于减少行锤击刷新方法设备

[发明专利]用于刷新存储器的设备及方法-CN201880068272.1在审
发明人： 伊藤豊;何源 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2018-10-15 - 公布日： 2020-06-05 - 主分类号： G11C11/406 文献下载
摘要：描述用于执行中断刷新的设备。实例设备包含：存储器存储体；采样时序产生器电路；存储体采样电路；及命令状态信号产生器电路，其响应于命令而提供命令状态信号。每个存储器存储体包含存储中断刷新的地址的锁存器。所述采样时序产生器电路接收振荡信号及提供对所述地址进行采样的触发信号。每个存储体采样电路与对应存储器存储体相关联。每个存储体采样电路响应于对所述地址进行采样的所述触发信号而向所述对应存储器存储体中的所述锁存器提供采样信号。所述采样时序产生器电路至少部分地响应于所述命令状态信号而提供对所述地址进行采样的所述触发信号，并且所述锁存器至少部分地响应于对所述地址进行采样的所述至少一个触发信号而存储所述地址。
用于刷新存储器设备方法

[发明专利]用于刷新存储器的设备及方法-CN201880052434.2在审
发明人： 伊藤豊;何源 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2018-10-22 - 公布日： 2020-04-21 - 主分类号： G11C11/406 文献下载
摘要：本发明描述用于执行行锤刷新的设备。实例设备包含：存储体，所述存储体中的每一存储体包含存储行地址的锁存器；及基于时间的取样电路。所述基于时间的取样电路包含：取样时序生成器，其提供取样行地址的时序信号；及存储体取样电路，其中所述存储体取样电路中的每一存储体取样电路包含在所述存储体中的对应存储体中且响应于取样所述行地址的所述时序信号而将取样信号提供给所述对应存储体中的所述锁存器；及间隔测量电路，其接收振荡信号，基于所述振荡信号的循环测量行锤刷新执行的间隔，且进一步将用于调整挪用率的挪用率时序信号提供给所述取样时序生成器。
用于刷新存储器设备方法

[发明专利]半导体装置-CN200910204660.0无效
发明人：太田行俊;平野博茂;伊藤豊;小池功二 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2009-10-10 - 公布日： 2010-06-09 - 主分类号： H01L23/485 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体装置，即使将布线层变薄时也能够在电极焊盘形成区域中确实防止布线层消失，能稳定电连接布线层与电极焊盘。在半导体基板(1)上的第4层间绝缘膜(10)中形成多个接触用布线(11B)。在各接触用布线(11B)上和第4层间绝缘膜(10)上形成第1保护绝缘膜(12)，在第1保护绝缘膜(12)上形成露出各接触用布线(11B)的第1开口部(12a)。在第1开口部(12a)的内部经由壁垒金属膜(13)形成与接触用布线(11B)电连接的电极焊盘(14)。在第1开口部(12a)的下侧存在未配置接触用布线(11B)的区域。
半导体装置

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