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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]半导体装置的控制电路及其方法-CN201510688261.1有效
发明人： 伊藤伸彦 -专利权人：力晶积成电子制造股份有限公司
申请日： 2015-10-22 - 公布日： 2019-12-31 - 主分类号： G11C16/08 文献下载
摘要：在半导体装置中，有别于传统技术，当重置指令(reset command)被输入时，该重置指令可以借助一简单的方法以及电路在短期间内执行。半导体装置的控制电路(control circuit)适用于控制时钟产生器(clock generator)，以产生可变频的系统时钟(system clock)。其中，在正常操作模式的半导体装置，是由控制电路根据重置指令改变系统时钟的频率，由第一频率改变为第二频率，其中第二频率高于第一频率，并且对半导体装置执行中断程序(interrupt process)，以从正常操作模式(normal operating)进入重置时序模式(reset sequence mode)。
半导体装置控制电路及其方法

[发明专利]负基准电压产生电路及负基准电压产生系统-CN201510024620.3有效
发明人：前田辉彰;伊藤伸彦 -专利权人：力晶积成电子制造股份有限公司
申请日： 2015-01-19 - 公布日： 2019-10-11 - 主分类号： G11C16/30 文献下载
摘要：本发明提出一种负基准电压产生电路及负基准电压产生系统。该负基准电压产生电路，包括：箝位型基准电压电路及差动放大器。箝位型基准电压电路连接于比接地电压或该接地电压更低的第一负电压的节点与比该第一负电压更低的预定的第二负电压的节点之间。箝位型基准电压电路是由第一电路与第二电路并联而成。差动放大器，将第一电路内的一节点电压与第二电路内的一节点电压之间的电压差放大，输出负基准电压。
基准电压产生电路系统

[发明专利]内部电源电压辅助电路、半导体存储装置及半导体装置-CN201510360047.3有效
发明人：小川晓;伊藤伸彦 -专利权人：力晶积成电子制造股份有限公司
申请日： 2015-06-26 - 公布日： 2019-10-11 - 主分类号： G11C16/30 文献下载
摘要：本发明提供一种内部电源电压辅助电路，用于内部电源电压产生电路，内部电源电压产生电路包括：差动放大器，将供给至负载电路的内部电源电压与规定的基准电压进行比较，并从输出端子输出控制电压；及驱动晶体管，根据控制电压来驱动外部电源电压。内部电源电压辅助电路包括：时序检测电路，检测数据信号的变化，产生并输出检测信号；及内部电源电压辅助供给电路，基于检测信号，辅助性地供给针对负载电路的电流。因此，可稳定地输出内部电源电压，而消耗电力不会大幅增大。本发明亦提供一种半导体存储装置及半导体装置。
内部电源电压辅助电路半导体存储装置

[发明专利]金属氧化物金属电容器电路及其半导体装置-CN201610010155.2有效
发明人：河端正藏;伊藤伸彦 -专利权人：力晶科技股份有限公司
申请日： 2016-01-07 - 公布日： 2019-03-08 - 主分类号： H01L23/64 文献下载
摘要：本发明涉及一种使用形成于基板上的金属电极通过多个电容器形成的电容器电路，以使得与现有技术相比可以更精确地调整电容器的电容。MOM电容器包含分别通过透过基板上的绝缘薄膜面向彼此的多对金属电极形成的多个MOM(金属氧化物金属)电容器。MOM电容器电路是以MOM电容器的金属电极对中的每一者经由连接导体连接至第一端子及第二端子的方式并通过至少一个电容器组件形成；以及至少一个开关组件，其连接至所述多个金属电极以及第一端子及第二端子中的至少一者，其中所述MOM电容器电路的电容是通过接通/断开所述开关组件而进行调整。
金属氧化物电容器电路及其半导体装置

[发明专利]负基准电压产生电路及负基准电压产生系统-CN201510317824.6有效
发明人：荒川秀贵;伊藤伸彦;前田辉彰 -专利权人：力晶科技股份有限公司
申请日： 2015-06-11 - 公布日： 2018-03-06 - 主分类号： G05F1/56 文献下载
摘要：本发明提供一种负基准电压产生电路及负基准电压产生系统。所述负基准电压产生电路包括差分放大器，具有非反相输入端子、反相输入端子及输出端子且是以正侧电源电压与负侧电源电压所驱动的差分放大器，从所述输出端子经由第一电阻连接所述非反相输入端子，并从所述输出端子经由第二电阻连接所述反相输入端子；第一二极管，具有连接所述差分放大器的非反相输入端子的阴极及接地的阳极；多个第二二极管，分别具有连接规定连接点的阴极与接地的阳极，且彼此并联连接；以及第三电阻，连接在所述连接点与所述差分放大器的反相输入端子之间。
基准电压产生电路系统

[发明专利]非易失性半导体存储装置及其读出方法-CN201310006293.X有效
发明人：大石正幸;伊藤伸彦 -专利权人：力晶科技股份有限公司
申请日： 2013-01-08 - 公布日： 2014-02-12 - 主分类号： G11C16/26 文献下载
摘要：本发明提供一种可防止通道升压、防止电流从位线流至源极线且缩短数据读取所需的感测时间的非易失性半导体装置及其读出方法。此非易失性半导体装置包括：多个存储器串，由分别连接至各字线的多个存储单元串连而成，每个存储器串通过第一及第二选择门晶体管连接于位线与源极线之间；控制电路，控制第一及第二选择门晶体管，使得当字线的电压上升至既定的电平用以读出存储单元中的数据时，第一选择门晶体管导通且第二选择门晶体管关闭的第一状态以及第一选择门晶体管关闭且第二选择门晶体管导通的第二状态交互产生。
非易失性半导体存储装置及其读出方法

[发明专利]半导体存储装置-CN200410068663.3有效
发明人：上田直树;伊藤伸彦;山内祥光 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2004-09-03 - 公布日： 2005-03-09 - 主分类号： G11C16/24 文献下载
摘要：一种半导体存储装置，经由位线的至少一部分来连接多个存储元件，并经该位线对该多个存储元件的至少任意一个进行存储动作，该半导体存储装置具有负荷电阻调整电路，用于改变电阻值以缓和或消除随该存储元件的配置位置而产生的位线负荷电阻的差异。
半导体存储装置

[发明专利]带有选碟功能的光碟装置-CN03107326.3无效
发明人： 伊藤伸彦 -专利权人：株式会社理光
申请日： 2003-03-20 - 公布日： 2003-10-08 - 主分类号： G11B19/12 文献下载
摘要：一种由光碟装置的控制计算机使用的程序产品。该装置可访问多种光碟。控制计算机根据该程序基于包括以往所使用的光碟类型的历史信息，从多种光碟类型里识别出一种光碟类型。然后，控制计算机判断即定光碟的类型与所识别的光碟类型是否一致。
带有功能光碟装置

[发明专利]位线控制译码器电路，半导体贮存器件及其数据读出方法-CN02143905.2无效
发明人：山本薰;伊藤伸彦 -专利权人：夏普公司
申请日： 2002-09-27 - 公布日： 2003-04-16 - 主分类号： G11C16/00 文献下载
摘要：提供了虚拟地型非易失性半导体贮存器件，它能够有效地抑制流到相邻单元的泄漏电流，由此达到高速度读出。在读出期间，把地电位GND加到被连接到要被读出的一个存储器单元晶体管NC04的源极区域的位线SBL5。而且，读漏极偏置电位Vread被加到连接到该存储器单元晶体管MC04的漏极区域的位线SBL4。被连接到第一相邻存储器单元晶体管MC03的漏极区域的位线被设置成浮置状态。等于读漏极偏置电位Vread的电位Vdb被加到连接到第二相邻存储器单元晶体管MC02的漏极区域的位线SBL2。
控制译码器电路半导体贮存器件及其数据读出方法

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