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[发明专利]等离子体处理方法以及等离子体处理装置-CN201980003452.6在审
发明人：高木优汰;广田侯然;井上喜晴;宫地正和 -专利权人：株式会社日立高新技术
申请日： 2019-02-27 - 公布日： 2020-10-30 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：在短时间内除去腔室内的残留卤素等，改善吞吐量的等离子体处理方法具有：蚀刻工序，在腔室内蚀刻晶片；等离子体清洁工序，通过向腔室内导入包含卤素元素的气体，从而除去所述腔室的内壁的异物；以及残留卤素除去工序，通过在所述腔室内交替地反复含有氧的等离子体的导通状态和截止状态，从而除去在所述等离子体清洁工序中残留在所述腔室内的卤素元素。
等离子体处理方法以及装置

[发明专利]等离子处理方法-CN201110239141.5有效
发明人： 井上喜晴;森本未知数;松本刚;小野哲郎;金清任光;药师寺守;宫地正和 -专利权人：株式会社日立高新技术
申请日： 2011-08-19 - 公布日： 2013-01-02 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本发明提供一种能够在使用堆积性气体的等离子处理中，抑制被处理体的处理枚数的增加所产生的异物的等离子处理方法。本发明提供一种等离子处理方法，从被导入到处理室内的堆积性气体生成等离子体，通过使载置于该处理室内所设置的试料台上的被处理体以施加了高频电力的状态暴露于上述等离子体中来进行上述被处理体的蚀刻，该等离子处理方法的特征在于：通过重复将上述被处理体暴露于上述等离子体中的第一期间和将上述被处理体暴露于上述等离子体中且针对上述被处理体的蚀刻速率低于该第一期间的第二期间，在向上述处理室内壁面的堆积膜成为非结晶的蚀刻条件下蚀刻上述被处理体。
等离子处理方法