“习艳军”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果5个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]接触孔的金属连接结构及其制造方法-CN201711102829.2有效
发明人：韩朋刚;习艳军;贺可强;杨渝书 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2017-11-10 - 公布日： 2020-09-01 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开了一种接触孔的金属连接结构，包括：接触孔，形成于接触孔层介质膜中；接触孔层介质膜表面依次形成有自对准层介质膜和金属层介质膜；在自对准层介质膜的表面形成有打开定义金属连接通孔的形成区域的结构；金属层的形成区域由对金属层介质膜进行介质膜刻蚀形成，金属连接通孔的形成区域的自对准层介质膜在对金属层介质膜进行介质膜刻蚀的过程中被同时刻蚀去除，使金属连接通孔和金属层的形成区域呈自对准的一体化金属连接结构。本发明还公开了一种接触孔的金属连接结构的制造方法。本发明能使金属连接结构的通孔和正面金属层的形成区域呈自对准的一体化结构，从而有利于金属填充，降低工艺复杂度和工艺成本。
接触金属连接结构及其制造方法

[发明专利]一种分裂栅的栅极形成方法-CN201710884971.0有效
发明人：许鹏凯;习艳军;杨渝书 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2017-09-26 - 公布日： 2020-02-21 - 主分类号： H01L27/11531 文献下载
摘要：本发明提出一种分裂栅的栅极形成方法，改善了分裂栅的栅极形成工艺，在分裂栅结构下同时获得了垂直形貌的选择栅极和控制栅极。相对于现有工艺中采用多晶硅侧墙刻蚀来形成控制栅极的方法来说，本发明采用两次成型以及自对准的方法，使得在分裂栅结构下能够较为容易的获得同时满足尺寸和形貌工艺要求的控制栅极。这种工艺流程降低了原有工艺流程中栅极刻蚀的难度，同时也使得工艺开发中诸如膜层生长厚度等条件也变得更加容易确定。
一种分裂栅极形成方法

[发明专利]一种形成不同深度接触孔的刻蚀方法-CN201711219182.1有效
发明人：韩朋刚;习艳军;贺可强;杨渝书 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2017-11-28 - 公布日： 2020-01-21 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：一种形成不同深度接触孔的刻蚀方法，本发明通过对部分刻蚀的接触孔结构进行回填，利用深度较大的接触孔部位的离子注入光罩进行二次光刻并进行一定深度的刻蚀，随后再一起进行刻蚀。这种方法可以避免不同深度接触孔同步刻蚀条件下，深度较浅的接触孔过刻蚀量偏大导致的接触孔失效问题。
一种形成不同深度接触刻蚀方法

[发明专利]一种刻蚀双大马士革结构的方法-CN201711015534.1在审
发明人：贺可强;习艳军;杨渝书;王向永 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2017-10-25 - 公布日： 2018-03-27 - 主分类号： H01L21/033 文献下载
摘要：本发明提供了一种刻蚀双大马士革结构的方法，其中，包括以下步骤提供半导体结构；于半导体的缓冲层表面形成一膜层，膜层具有相对介电层的高刻蚀选择比以及具有压缩应力；于膜层表面形成第一刻蚀阻挡层，并形成第一刻蚀工艺窗口；通过第一刻刻蚀工艺窗口由上至下依次刻蚀膜层、金属掩膜层以形成初始沟槽；去除第一刻蚀阻挡层，并形成一第二刻蚀阻挡层；图案化第二刻蚀阻挡层以形成第二刻蚀工艺窗口；通过第二刻蚀工艺窗口刻蚀对应的初始沟槽的底部以形成初始通孔；去除第二刻蚀阻挡层之后进行一体化刻蚀，以形成对应第二互连结构的沟槽及通孔。其技术方案的有益效果在于，可有效解决金属硬质掩模涂层厚度掌握不好，引起大马士革形貌异常的问题。
一种刻蚀大马士革结构方法

[发明专利]一种监控光刻机台稳定性的方法及系统-CN201510199044.6有效
发明人：李程;杨渝书;习艳军 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2015-04-23 - 公布日： 2017-05-10 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明提供一种监控光刻机台稳定性的方法及系统，可以实时采集光刻机台的相关光刻工艺参数，通过向量化矩阵的分析手段，准确地监控光刻机台的运行情况，保证光刻机台工作的稳定性，同时其向量化矩阵的分析结果能够较准确地预测光刻后的结果；进一步地，这些预测结果可以用于对光刻机台的对焦深失稳或剂量异常等情况进行报警处理，从而提高了数据收集效率；此外，应用本发明所获得的预测结果，能有效减少因量测机台数量和吞吐量不足对于量测能力的需要，从而直接减少量测机台的购买需要，能够节约大量资金，降低光刻机台的监控运行成本。
一种监控光刻机台稳定性方法系统