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[发明专利]弹性波装置-CN202280019895.6在审
发明人：木村哲也;久保新太郎 -专利权人：株式会社村田制作所
申请日： 2022-02-08 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H03H9/25 文献下载
摘要：本发明提供一种能够抑制压电层的厚度的偏差的弹性波装置。弹性波装置(10)具备：支承构件(13)，具有支承基板；压电层(14)，设置在支承构件(13)上；以及激励电极，设置在压电层(14)上。在支承构件(13)设置有空洞部(13c)。在俯视下，激励电极的至少一部分与空洞部(13c)重叠。压电层(14)中的在俯视下与空洞部(13c)重叠的部分为薄膜部(15)。薄膜部(15)具有第1方向(w1)和与第1方向(w1)正交的第2方向(w2)。薄膜部(15)具有位于第1方向(w1)上的中央的中央部(15c)和在第1方向(w1)上夹着中央部(15c)相互对置的第1部分(15a)和第2部分(15b)，并且具有外周缘。薄膜部(15)的第1部分(15a)以及第2部分(15b)中的外周缘的至少一部分位于比中央部(15c)中的外周缘靠第2方向(w2)上的外侧。
弹性装置

[发明专利]弹性波装置-CN202180075944.3在审
发明人： 久保新太郎 -专利权人：株式会社村田制作所
申请日： 2021-11-09 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： H03H9/25 文献下载
摘要：本发明提供一种能够提高散热性的弹性波装置。本发明涉及的弹性波装置(10)具备：支承构件(13)，包含支承基板；压电层(14)，设置在支承构件(13)上；以及IDT电极(11)(激励电极)，设置在压电层(14)上。在支承构件(13)设置有空洞部(13c)。空洞部(13c)在俯视下与IDT电极(11)的至少一部分重叠。支承构件(13)具有：开口部(13a)，在压电层(14)侧开口；以及内壁面(13b)，与开口部(13a)连接，且面向空洞部(13c)。还具备：功能膜(15)，设置在内壁面(13b)的至少一部分，在波长为0.2μm以上且1.2μm以下的范围具有电磁波的吸收能力。
弹性装置

[发明专利]弹性波装置-CN202180071572.7在审
发明人：木村哲也;久保新太郎;岸本谕卓;大村正志;山田一 -专利权人：株式会社村田制作所
申请日： 2021-10-15 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： H03H9/25 文献下载
摘要：提供一种弹性波装置，能够抑制在电介质膜产生裂纹及压电体层粘贴于电介质膜。弹性波装置(10)具备支承基板(12)、电介质膜(13)、压电层(14)和IDT电极(15)(激励电极)。压电层(14)具有第1、第2主面(14a、14b)。第2主面(14b)位于电介质膜(13)侧。在电介质膜(13)设置有空洞部(11a)。空洞部(11a)在俯视下与IDT电极(15)的至少一部分重叠。电介质膜(13)具有面向空洞部(11a)的侧壁面(13a)。侧壁面(13a)具有倾斜为越远离压电层(14)则空洞部(11a)的宽度变得越窄的倾斜部(13c)。倾斜部(13c)至少包括侧壁面(13c)中的压电层(14)侧的端部。在将倾斜部(13c)和压电层(14)的第2主面(14b)所成的角度设为倾斜角度α时，倾斜角度α为40°以上且80°以下。
弹性装置

[发明专利]弹性波装置-CN202180075645.X在审
发明人：井上和则;久保新太郎 -专利权人：株式会社村田制作所
申请日： 2021-10-28 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： G01H11/08 文献下载
摘要：本发明提供一种散热性优异的弹性波装置。弹性波装置(10)具备：支承构件，包含支承基板(14)；压电层(16)，设置在支承构件上；以及IDT电极(11)，设置在压电层(16)的第1主面(16a)，在支承构件设置有在压电层(16)侧开口的气隙部(14c)，支承构件(14)具有面向气隙部(14c)的内侧壁(14e)，高热传导膜(17)直接或间接地层叠在压电层(16)的第2主面(16b)的至少一部分，并且到达支承构件(14)的内侧壁(14e)。
弹性装置

[发明专利]光电变换装置以及光电变换模块-CN201580042051.3有效
发明人：二宫寿一;久保新太郎;仲山彻 -专利权人：京瓷株式会社
申请日： 2015-09-18 - 公布日： 2018-11-06 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本发明提供一种载流子的收集能力高且由此能够提高短路电流密度的光电变换装置以及光电变换模块。本发明具备：量子点集聚部(1)；基部层(3)，被配置在量子点集聚部(1)中的至少一个主面并具有集电性；以及多个载流子收集部(5)，从该基部层(3)延伸到量子点集聚部(1)内，具有开放端且呈柱状，该载流子收集部(5)以金属氧化物为主体，在开放端的附近部(5a)中，氧相对于金属的摩尔比高于该开放端的附近部(5a)以外的主体部(5b)。载流子收集部(5)作为副成分包含选自Li、Na、K、Ga、B以及Al的组的一种，其含量为1～5原子％。
光电变换装置以及模块

[发明专利]量子点太阳能电池-CN201580035036.6有效
发明人： 久保新太郎;仲山彻;二宫寿一;村本和也;藤田浩平 -专利权人：京瓷株式会社
申请日： 2015-07-30 - 公布日： 2018-07-27 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本发明提供一种光吸收系数高的量子点太阳能电池。量子点太阳能电池具备集聚了多个量子点(1)的量子点层(3)，其中，量子点层(3)具有：第一量子点层(3A)，在将量子点(1)的平均粒径设为x并将所述量子点的标准偏差设为σ时，表示粒径的偏差度的指标σ/x为5％以上。量子点层(3)在第一量子点层(3A)的光的入射面(3b)侧和/或出射面(3c)侧具备平均粒径以及σ/x比第一量子点层(3A)小的第二量子点层(3B)。
量子太阳能电池

[发明专利]光电转换装置-CN201280003826.2有效
发明人： 久保新太郎;菊池通真;浅尾英章;牛尾绅之介 -专利权人：京瓷株式会社
申请日： 2012-03-15 - 公布日： 2013-07-31 - 主分类号： H01L31/04 文献下载
摘要：本发明的目的在于提高光电转换装置的光电转换效率。本发明的光电转换装置(11)将结合多个半导体粒子(3a)而得的多晶半导体层用作光吸收层(3)，其中，所述半导体粒子(3a)含有I-III-VI族化合物，并且I-B族元素相对于III-B族元素的组成比PI在表面部比在中心部更高。
光电转换装置

[发明专利]光电转换装置-CN201180018806.8无效
发明人： 久保新太郎;中泽秀司;鎌田塁;小栗诚司;牛尾绅之介;笠井修一;稻井诚一郎 -专利权人：京瓷株式会社
申请日： 2011-04-22 - 公布日： 2013-01-23 - 主分类号： H01L31/04 文献下载
摘要：本发明提供一种光电转换装置，该光电转换装置通过提高光吸收层与电极层之间的粘接性来提高可靠性并且光电转换效率高。本发明的光电转换装置具有电极层（2）和设置于该电极层（2）上的含有化合物半导体的光吸收层（3），该光吸收层（3）具有位于电极层（2）侧的第一层（3A）以及设置于该第一层（3A）上的第二层（3B），并且第一层（3A）的空隙率小于第二层（3B）的空隙率。
光电转换装置

[发明专利]光电转换装置-CN201080007927.8有效
发明人：镰田垒;中泽秀司;堀内伸起;久保新太郎;宫道祐介 -专利权人：京瓷株式会社
申请日： 2010-09-17 - 公布日： 2012-01-11 - 主分类号： H01L31/04 文献下载
摘要：本发明提供一种光电转换装置，在该光电转换装置中，光吸收层和电极层之间的密接性高且光电转换效率高。为了实现上述目的，光电转换装置具有第一层和设置于该第一层之上的第二层。在该光电转换装置中，第一层包含电极层，第二层包含具有I-III-VI族化合物半导体的光吸收层。该光吸收层包含第一区域和相比第一区域远离第一层的第二区域。第二区域中的晶粒的平均粒径比第一区域中的晶粒的平均粒径大。
光电转换装置

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