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[发明专利]摄像元件和电子设备-CN201980036012.0在审
发明人： 久保井信行;永广侯治 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2019-05-23 - 公布日： 2021-01-08 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本技术涉及：能够增大电荷累积容量的摄像元件和电子设备。该摄像元件包括：基板；第一像素，其包括设置在基板中的第一光电转换区域；第二像素，其包括与第一光电转换区域相邻地设置在基板中的第二光电转换区域；第一分离部，其在第一光电转换区域与第二光电转换区域之间设置于基板中；以及第二分离部，其将彼此相邻的像素组分离，所述像素组至少包括第一像素和第二像素。在第一光电转换区域和第二光电转换区域中的至少一个光电转换区域中，存在有第一分离部的至少一个凸部。在所述凸部的侧面上层叠有p型杂质区域和n型杂质区域。本发明例如能够应用于图像传感器。
摄像元件电子设备

[发明专利]固态摄像元件、制造方法以及电子设备-CN201410675351.2有效
发明人： 久保井信行 -专利权人：索尼公司
申请日： 2014-11-21 - 公布日： 2019-05-10 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明提供了一种固态摄像元件、制造方法以及电子设备。该固态摄像元件包括：半导体基板，其中多个光电二极管以平面布置；分离部，其用于分离所述光电二极管，其中，所述分离部具有通过将具有高光吸收系数和高量子效率的材料填充至形成于所述半导体基板中的沟槽中而形成的光电转换部。本发明能够获取具有更好图像质量的图像。
固态摄像元件半导体基板光电二极管电子设备分离部图像高量子效率光电转换部材料填充平面布置吸收系数高光制造

[发明专利]固态成像装置，固态成像装置的驱动方法以及电子设备-CN201410089943.6有效
发明人： 久保井信行 -专利权人：索尼公司
申请日： 2014-03-12 - 公布日： 2018-03-27 - 主分类号： H04N5/3745 文献下载
摘要：本发明的实施例公开固态成像装置，固态成像装置的驱动方法以及电子设备。所公开的固态成像装置包括多个像素，每个像素包括光电转换元件；以及透射率控制元件，设置在多个像素的至少一部分的光电转换元件的光入射侧并且构造为通过外部输入而改变入射光的透射率。
固态成像装置驱动方法以及电子设备

[发明专利]成像装置、电子装置、光电池和制造成像装置的方法-CN201110419442.6有效
发明人： 久保井信行;本乡一泰 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2011-12-15 - 公布日： 2016-11-23 - 主分类号： H01L27/16 文献下载
摘要：在此提供成像装置、电子装置、光电池和制造成像装置的方法。所述成像装置包含：成像单元，其中接收光接收面上的入射光的多个像素布置在衬底的成像区域中，所述像素包括热电偶器件组，其中多个热电偶沿着光接收面对齐，在所述热电偶器件组中，多个热电偶布置为彼此分离，以使得光接收面具有格栅结构，并且所述热电偶器件组布置为使得入射光入射至格栅结构，从而使得在光接收面上发生等离子体共振，并且由于发生等离子体共振的热电偶器件组的一部分的温度的变化而在多个热电偶的每一个中产生电动势。
成像装置电子光电池制造方法

[发明专利]模拟方法及程序、模拟器、加工设备和制造半导体装置的方法-CN201310507750.3无效
发明人： 久保井信行;木下隆 -专利权人：索尼公司
申请日： 2013-10-24 - 公布日： 2014-05-21 - 主分类号： G05B17/02 文献下载
摘要：本发明涉及模拟方法及程序、模拟器、加工设备、和制造半导体装置的方法。所述模拟方法包括：对入射于工件表面上的任意位置上的第一通量从所述位置进行反向追踪，所述工件作为加工处理的对象；在因第一通量的反向追踪结果而使第一通量撞击所述工件的表面上的另一位置的情形中，计算第二通量并从所述另一位置对第二通量进行反向追踪，该第二通量是第一通量通过在所述另一位置处散射而形成；以及通过重复所述计算及对通量的反向追踪，当反向追踪的通量不再撞击所述工件表面时，将该通量与入射于所述工件上的通量的角分布进行比较，且当该当前通量处于所述角分布内时，求出对于从第一通量至该当前通量的通量群组而言发生了所述散射的通量的量。
模拟方法程序模拟器加工设备制造半导体装置

[发明专利]模拟方法、计算机可读介质、处理装置及模拟器-CN201310247610.7无效
发明人： 久保井信行;木下隆 -专利权人：索尼公司
申请日： 2013-06-20 - 公布日： 2014-01-15 - 主分类号： G06F17/50 文献下载
摘要：本发明提供具有良好的计算精确度并能够以小的计算负荷进行处理预测的使信息处理装置执行计算的模拟方法、计算机可读介质、处理装置及模拟器，所述计算包括：将多个入射通量中的每一者分解成在相互正交的各个单位向量方向上的通量分量，所述多个入射通量在任意位置处进入处理目标的表面，所述处理目标是预定处理的目标；在所述多个单位向量方向的每一者上对所述通量分量求和；以及将多个通量分量合成为一个向量，所述多个通量分量是在所述各个单位向量方向上的求和且相互正交，从而计算出所述处理目标的所述表面上的所述任意位置处的法向量。
模拟方法计算机可读介质处理装置模拟器

[发明专利]模拟方法、模拟程序和半导体制造装置-CN201210483320.8在审
发明人： 久保井信行;辰巳哲也;深泽正永 -专利权人：索尼公司
申请日： 2012-11-23 - 公布日： 2013-06-05 - 主分类号： G06F17/50 文献下载
摘要：本发明公开了模拟方法、模拟程序和半导体制造装置。一种模拟方法用于预测在制造半导体器件时由于紫外线造成的损伤量。该方法包括：通过基于粒子密度的微分方程执行模拟来计算粒子密度；基于计算的粒子密度来计算可见光波长区中的每个波长的发射强度；通过参照目标制造工艺中的发射种类和发射波长的信息将计算的可见光波长区中的每个波长的发射强度与实际检测的可见光波长区中的发射光谱相比较来获得电子能量分布函数；通过使用电子能量分布函数和有关发射种类的反应截面积来预测紫外线波长区中的发射光谱；并且基于预测的紫外线波长区中的发射光谱来预测由于紫外线造成的损伤量。
模拟方法程序半导体制造装置

[发明专利]等离子体处理方法、处理装置及半导体装置的制造方法-CN201210229382.6无效
发明人： 久保井信行;深沢正永 -专利权人：索尼公司
申请日： 2012-07-03 - 公布日： 2013-01-16 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明涉及等离子体处理方法、等离子体处理装置及半导体装置的制造方法。所述等离子体处理方法包括以下步骤：由含有碳和氮的混合气体产生等离子体以生成CN活性物质，并且，利用所述CN活性物质处理半导体基体的表面。本发明能够提供减少晶体缺陷和金属污染的半导体基体处理方法。
等离子体处理方法装置半导体制造

[发明专利]成像元件及其制造方法、像素设计方法和电子设备-CN201210035073.5有效
发明人： 久保井信行 -专利权人：索尼公司
申请日： 2012-02-16 - 公布日： 2012-08-22 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：提供了成像元件及其制造方法、像素设计方法和电子设备。该成像元件包括：多个像素，以二维排列，并且每个像素都具有包括光电转换元件的光接收部分和采集向着光接收部分的入射光的光采集部分。多个像素中的每个光采集部分都包括在表面上具有取决于像素位置的凸凹结构的光功能层。
成像元件及其制造方法像素设计电子设备

[发明专利]固体摄像装置、其制造方法以及电子设备-CN201110237287.6无效
发明人： 久保井信行 -专利权人：索尼公司
申请日： 2011-08-18 - 公布日： 2012-03-21 - 主分类号： H01L27/30 文献下载
摘要：本发明提供了一种固体摄像装置、其制造方法以及包括该固体摄像装置的电子设备。所述固体摄像装置包括像素，每个所述像素包括混合型光电转换部和像素晶体管，其中，所述混合型光电转换部包括：半导体层，其具有pn结；多个柱状或中空圆筒状有机材料层，它们布置于半导体层中；以及一对电极，它们布置于半导体层和有机材料层的上方和下方，其中，在有机材料层中通过光电转换而产生的电荷在半导体层内部移动以便被导入电荷累积区，并且，固体摄像装置配置为背照射型，其中，光从与其上形成像素晶体管的表面相反的表面而入射。本发明的固体摄像装置提高了灵敏度并可实现高速且稳定的驱动。
固体摄像装置制造方法以及电子设备

[发明专利]半导体制造装置、半导体器件制造方法及仿真装置和程序-CN201010593711.6无效
发明人： 久保井信行;辰巳哲也 -专利权人：索尼公司
申请日： 2010-12-17 - 公布日： 2011-07-27 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体制造装置、半导体器件制造方法、仿真装置和仿真程序。所述半导体制造装置包括腔室、传感器、粘附概率计算部、作用部和控制部。在所述腔室中能够布置晶片。传感器检测表示所述腔室内的状态的指标值。粘附概率计算部被构造为根据检测出的所述指标值的值计算粒子粘附到所述腔室的腔室壁上的粘附概率的值。作用部能够改变所述腔室中的粘附概率。控制部被构造为控制所述作用部，使得由所述粘附概率计算部计算出的粘附概率为预定值。因此，通过控制粘附概率，可以将腔室壁维持在所需状态下并使蚀刻速率稳定，因而能够稳定地制造质量良好的半导体器件。
半导体制造装置半导体器件方法仿真程序

[发明专利]离子辐射损伤预测方法和仿真器以及离子辐射设备和方法-CN201010151515.3无效
发明人： 久保井信行;小林正治 -专利权人：索尼公司
申请日： 2010-03-23 - 公布日： 2010-10-06 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：公开了离子辐射损伤预测方法和仿真器以及离子辐射设备和方法。所述离子辐射损伤预测方法包括参数计算步骤，其通过考虑轰击制造目标的入射离子的传输路径，以及通过采用将入射离子的通量、入射能量和角度的分布作为输入参数的蒙特卡罗方法，来计算所述离子的碰撞位置和入射角度；以及缺陷分布计算步骤，其用于：通过参考在所述参数计算步骤得到的信息以及预先创建的数据库，来针对数据进行检索，其中所述数据库用于存储对所述制造目标具有影响的晶体缺陷量的分布、离子反射概率的分布以及离子穿透深度的分布；基于在检索操作中得到的所述数据以及入射离子的入射能量和角度，得到入射离子的穿透深度和位置；以及根据穿透深度和位置，计算制造目标中缺陷的分布。
离子辐射损伤预测方法仿真器以及辐射设备

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