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专利名称
农业 化学；冶金 建筑 机械工程 区域搜索
主分类
A 农业
B 作业；运输
C 化学；冶金
D 纺织；造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]快闪存储器-CN200510065564.4有效
  • 田中智晴;柴田昇;丹沢徹 - 株式会社东芝
  • 2000-06-28 - 2005-10-12 - G11C16/06
  • 一种快闪存储器，可内部自动校正错误，与现有产品具有互换性。它包括：存储器段；指令接口3，接受外部指令产生控制信号；电路7，由写入指令信号激活，产生控制信号；错误校正电路11，由写入数据输入指令信号激活，与外部输入的第一信号同步，接受外部输入的写入数据，由写入指令激活，与控制信号同步，产生检查数据；电路17，相对各个存储器单元设置，将写入数据或检查数据取入暂存；写入电路13～15，由写入指令激活，将存储的写入数据和检查数据写入存储器段。
  • 闪存
  • [发明专利]非易失性半导体存储器件及其不良补救方法-CN02141618.4无效
  • 田浦忠行;渥美滋;丹沢徹 - 株式会社东芝
  • 2002-09-06 - 2003-03-26 - H01L27/115
  • 披露一种非易失性半导体存储器件，它包括具有可电重写的存储单元的第一存储单元阵列；具有可电重写数据的冗余存储单元的第二存储单元阵列；可存储规定代码的第一存储部件；对所选代码与规定代码进行比较以产生激活信号的第一比较器；不良地址锁存电路，由激活信号进行激活和可被控制以暂时锁存对应于不良的不良地址；存储不良地址锁存电路锁存的不良地址的第二存储部件；第二比较器，对输入地址与不良地址进行比较，当输入地址与不良地址一致时产生置换控制信号；和置换电路，用第二存储单元阵列的输出来置换第一存储单元阵列的输出。
  • 非易失性半导体存储器件及其不良补救方法
  •  1 
  • 共 5 条
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