专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]光半导体装置的制造方法以及光半导体装置-CN202080067471.8在审
  • 丸山司;新木隆司;宫地岳广 - 同和电子科技有限公司
  • 2020-09-18 - 2022-05-10 - H01L33/48
  • 本发明的目的在于:提供在高温工作下光半导体芯片长期维持高可靠性的光半导体装置及其制造方法。本发明是光半导体装置的制造方法,其具有:安装工序,在由陶瓷构成的封装基板上设置光半导体芯片;保管工序,在第1干燥气氛下保管所述安装工序后的封装基板;载置工序,将所述保管工序后的所述封装基板上的光半导体芯片的周围设为第2干燥气氛下,将透光性窗材借助接合材载置在所述封装基板的接合部;密封工序,在氧浓度1vol%以下的低氧浓度气氛中利用所述接合材将所述接合部和所述透光性窗材接合,从而将所述光半导体芯片封入到由所述封装基板和所述透光性窗材形成的封闭空间内,将所述密封工序后的所述封闭空间的水分浓度设为1000ppm以下、将氧浓度设为3vol%以下。
  • 半导体装置制造方法以及
  • [发明专利]防反射膜及深紫外发光器件-CN201780081401.6有效
  • 丸山司 - 同和电子科技有限公司
  • 2017-12-22 - 2021-04-13 - G02B1/115
  • 提供一种适用于深紫外发光器件的用途的防反射膜,其具有优异的耐湿性,并且即使对于深紫外光的斜入射而言反射率也较小。本发明的防反射膜具备:设置于窗构件上的、具有第1折射率的第1层;具有第2折射率的第2层;和具有第3折射率的第3层,在波长280nm下,所述第1折射率为1.6以上且2.0以下,所述第2折射率为2.0以上且2.7以下、并且大于所述第1折射率,所述第3折射率为1.3以上且1.6以下、并且小于所述第1折射率,构成所述第1折射率、所述第2折射率和所述第3折射率的材料由互不相同的氧化物构成。
  • 反射深紫发光器件

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