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[实用新型]后段工艺线宽为0.5um的铝栅CMOS器件-CN202321176542.5有效
发明人：蔡荣怀;陈孟邦;李泉福 -专利权人： 丰原科技（平潭）有限公司
申请日： 2023-05-16 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种后段工艺线宽为0.5um的铝栅CMOS器件，所述铝栅CMOS器件中，前段工艺线宽为0.8um、即铝栅CMOS管的工艺线宽为0.8um，后段工艺使用小线宽工艺，即制备金属层、接触孔时的工艺线宽为0.5um，从而可提高铝栅CMOS器件的集成度，所述铝栅CMOS器件制备时不增加光刻次数，采用所述铝栅CMOS器件的芯片能缩小20％左右的面积，降低芯片成本。此外，所述铝栅CMOS器件中的接触孔位于介质层中的部分为锥台形，使得接触孔位于0.8um工艺线宽的铝栅CMOS管上的底部尺寸较大，可减小接触不良、防止源漏接触电阻变大。
后段工艺 0.5 um cmos 器件

[实用新型]具有三个金属层的铝栅互补金属氧化物半导体器件-CN202321176633.9有效
发明人：蔡荣怀;陈孟邦;曹进伟 -专利权人： 丰原科技（平潭）有限公司
申请日： 2023-05-16 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： H01L23/538 文献下载
摘要：本实用新型提供的具有三个金属层的铝栅CMOS器件，第二金属层、第三金属层作为缓冲层，且第三金属层还可作为压焊点，因此，采用所述铝栅CMOS器件的芯片在打线时不会损伤压焊点底下的电路，可在满足芯片集成度要求的前提下提高后段COB打线或者封装打线的可靠性，防止漏电；此外，对于采用所述铝栅CMOS器件的芯片，当电路面积较小、压焊点相对占用较大面积时能将电路放置在压焊点底下，提高芯片的集成度。最后，具有三个金属层的铝栅CMOS器件的第二通孔顶端开口收拢，在第二通孔顶端形成弯曲内表面，该弯曲内表面可在保持第三金属层缓冲性能的同时减小通电测试时第三金属层被击穿的几率。
具有三个金属互补氧化物半导体器件

[实用新型]前段工艺线宽为0.5um的硅栅CMOS器件、驱动芯片、LED灯串-CN202321176534.0有效
发明人：蔡荣怀;陈孟邦;曹进伟 -专利权人： 丰原科技（平潭）有限公司
申请日： 2023-05-16 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H01L29/08 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种前段工艺线宽为0.5um的硅栅CMOS器件、驱动芯片、LED灯串，所述前段工艺线宽为0.5um的硅栅CMOS器件中，NMOS管的源端、漏端均只由N型重掺杂区构成，PMOS管的源端、漏端均只由P型重掺杂区构成，无静态工作电流限制、漏电流较大、BV较低，在满足前段工艺线宽为0.5um的硅栅CMOS器件集成度的情况下能减少制备时的光刻次数。此外，所述前段工艺线宽为0.5um的硅栅CMOS器件中，若设定N型重掺杂区和P型重掺杂区的深度为H1、P‑肼的深度为H2、N‑肼的深度为H3，则当H1/H2、H1/H3的比值在一定范围内即0.1≤H1/H2≤0.4、0.15≤H1/H3≤0.45时，可在保证前段工艺线宽为0.5um的硅栅CMOS器件的开启灵敏度较高的同时，减小开启电压。
前段工艺 0.5 um cmos 器件驱动芯片 led 灯串

[实用新型]用于发光二极管驱动芯片的通用测试电路板-CN202320535568.8有效
发明人：蔡荣怀;陈孟邦;赵绪伟;李泉福;张耀仁;林孙宁;林雄雄 -专利权人： 丰原科技（平潭）有限公司
申请日： 2023-03-20 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： G01R31/28 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于发光二极管驱动芯片的通用测试电路板，所述通用测试电路板包括电源管脚、地管脚、第1～第6LED输出管脚、测试管脚、按键触发管脚、第1～第6可调电阻、11个继电器，电源管脚由测试机的第1电源通道供电，地管脚由测试机的第2电源通道供电。所述通用测试电路板可用于具有至少一个电源管脚、至少一个地管脚、晶圆衬底可为N型衬底或者P型衬底的LED驱动芯片。所述通用测试电路板能满足多种LED驱动芯片的测试需求，开发时可省去测试电路设计、测试电路板焊接、测试电路板调试等环节，能节省大量的开发时间，简化测试电路板的管理，提高开发效率。
用于发光二极管驱动芯片通用测试电路板