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[发明专利]半导体存储装置-CN202110776660.9在审
发明人： 中野威;柴崎谦;片冈秀之;佐藤淳一;伊达浩己 -专利权人：铠侠股份有限公司
申请日： 2021-07-09 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：本发明的一实施方式的半导体存储装置不论平面数多少，都能将编程电压均一化，由此缩短写入时间。一实施方式的半导体存储装置具备：多个平面，包含由多个存储单元、字线、及位线构成的存储单元阵列；电压产生电路，在编程期间对写入对象的选择字线供给编程电压，同时对与所述选择字线相邻的相邻字线，在所述编程期间的前半段施加第1中间电压后，在后半段施加高于所述第1中间电压的第2中间电压；放电电路，设置在所述电压产生电路与所述选择字线之间的路径上，在与对所述相邻字线施加所述第2中间电压的期间对应的期间，从所述选择字线流动放电电流；及控制电路，根据从所述电压产生电路同时供给所述编程电压的所述平面数，设定所述放电电路的放电特性。
半导体存储装置

[发明专利]存储器装置-CN201610137236.9有效
发明人：桥本寿文;中野威 -专利权人：东芝存储器株式会社
申请日： 2016-03-10 - 公布日： 2019-11-22 - 主分类号： G11C16/26 文献下载
摘要：本发明的实施方式提供一种可靠性高的存储器装置。实施方式的存储器装置包含：第1存储单元，设置在沿与半导体衬底交叉的方向延伸的半导体层的侧面上；以及控制器，控制对所述第1存储单元的写入动作；并且在第1编程动作后的第1验证动作时，在進行对所述第1存储单元的数据读取后，对所述半导体层进行充电。
存储器装置