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[发明专利]用于生成工具路径的方法以及装置-CN201980015369.0有效
发明人： 中本圭一;桥本真由;高野和雅;武井胜彦;猪狩真二 -专利权人：株式会社牧野铣床制作所
申请日： 2019-02-14 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： B23Q15/00 文献下载
摘要：本方法具备进行机器学习的工序以及生成新的工具路径的工序。进行机器学习的工序包括：关于多个已知的加工物的各个，得到形状数据；得到多个加工面各自的几何信息；从多个工具路径模式中，得到针对多个加工面的各个选择的工具路径模式；以及使用多个已知的加工物的几何信息及工具路径模式，进行输入是加工面的几何信息且输出是加工面的工具路径模式的机器学习。生成新的工具路径的工序包括：得到对象加工物的形状数据；得到对象加工物的多个加工面各自的几何信息；以及使用对象加工物的几何信息，根据机器学习的结果，关于对象加工物的多个加工面的各个，生成工具路径模式。
用于生成工具路径方法以及装置

[发明专利]用于决定加工条件的方法及装置-CN202080056682.1在审
发明人： 中本圭一;桥本真由;小川隆司;猪狩真二 -专利权人：株式会社牧野铣床制作所
申请日： 2020-07-22 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： G05B19/4097 文献下载
摘要：一种用于决定加工条件的方法及装置，该方法具备对多个已知的被加工物的每一个都将形状数据(51)变换为多个立体像素(55)的工序；对多个已知的被加工物的每一个都相对于构成加工面的立体像素(55)设定加工条件的工序；使用多个已知的被加工物的立体像素(55)及加工条件，进行输入为立体像素(55)、输出为加工条件的机械学习的工序；将对象被加工物的形状数据(52)变换为多个立体像素(56)的工序；基于机械学习的结果，相对于对象被加工物的构成加工面的立体像素(56)设定加工条件的工序；和相对于对象被加工物的加工面的各个决定加工条件，将相对于在1个加工面之中最多的立体像素(56)设定的加工条件作为该加工面的加工条件来决定的工序。
用于决定加工条件方法装置

[发明专利]刀具选定方法及装置，以及刀具路径生成方法-CN202080014232.6在审
发明人： 中本圭一;井元理爱;武井胜彦;猪狩真二 -专利权人：株式会社牧野铣床制作所
申请日： 2020-02-03 - 公布日： 2021-09-21 - 主分类号： G05B19/4093 文献下载
摘要：一种刀具选定方法及装置，以及刀具路径生成方法，刀具选定方法具备如下的步骤：对多个已知的加工物的各个算出基于多个加工面的形状的特征量，对多个已知的加工物的各个分配从包括多个刀具在内的刀具列表之中预先选定为适合于对多个加工面进行加工的1个主要刀具的步骤；对多个已知的工件，将特征量作为输入并将主要刀具作为输出执行机械学习的步骤；相对于对象加工物算出特征量的步骤；和将对象加工物的特征量作为输入使用，基于机械学习的结果从刀具列表之中相对于对象加工物选定主要刀具的步骤。
刀具选定方法装置以及路径生成

[发明专利]半导体装置-CN201210249289.1有效
发明人：佐佐木雄一朗;冈下胜己;中本圭一;金田久隆;水野文二 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2008-02-22 - 公布日： 2012-10-10 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体装置及其制造方法，在鳍形半导体区域的半导体装置中能够获得所要的特性。使栅极绝缘膜(62)形成为跨过在上部具有杂质区域(61a)和在侧部具有杂质区域(61b)的鳍形半导体区域(61)。在位于栅极绝缘膜(62)外侧部分的鳍形半导体区域(61)的上部角的曲率半径r’大于位于栅极绝缘膜(62)下侧部分的鳍形半导体区域(61)的上部角的曲率半径r、并且为2r以下。
半导体装置

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN200880002383.9有效
发明人：佐佐木雄一朗;冈下胜己;中本圭一;伊藤裕之;水野文二 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2008-01-11 - 公布日： 2009-12-09 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体装置及其制造方法。在支撑衬底(11)上形成有具有上面及侧面的鳍式半导体区域(13a-13d)。在各个鳍式半导体区域(13a-13d)的上部形成有第一杂质区域(17a)，在各个鳍式半导体区域(13a-13d)的侧部形成有第二杂质区域(17b)。第二杂质区域(17b)的比电阻小于或等于第一杂质区域(17a)的比电阻。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN200880000598.7有效
发明人：佐佐木雄一朗;冈下胜己;中本圭一;金田久隆;水野文二 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2008-02-22 - 公布日： 2009-09-23 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体装置及其制造方法，在鳍形半导体区域的半导体装置中能够获得所要的特性。使栅极绝缘膜(62)形成为跨过在上部具有杂质区域(61a)和在侧部具有杂质区域(61b)的鳍形半导体区域(61)。在位于栅极绝缘膜(62)外侧部分的鳍形半导体区域(61)的上部角的曲率半径r′大于位于栅极绝缘膜(62)下侧部分的鳍形半导体区域(61)的上部角的曲率半径r、并且为2r以下。
半导体装置及其制造方法