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[发明专利]一种收发集成BOSA双向光组件和光模块-CN202111570079.8在审
发明人：张玲艳 -专利权人： 中兴光电子技术有限公司
申请日： 2021-12-21 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： G02B6/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种收发集成BOSA双向光组件，本发明可广泛应用于电子设备技术领域。本发明实施例中的收发集成BOSA双向光组件包括PLC合分波器、光纤接口、激光器组件和探测器芯片；所述光纤接口与所述PLC合分波器的第一侧端面耦合；所述激光器组件与所述平面光波导合分波器的第二侧端面耦合；所述探测器组件与所述平面光波导合分波器的第二侧端面耦合；所述第一侧端面和第二侧端面为相对的两个端面。本发明采用PLC合分波器集成技术，无需对激光器组件和探测器芯片单独封装，省掉了45°滤波片，降低了制造成本。
一种收发集成 bosa 双向组件模块

[发明专利]一种半导体结构的形成方法和半导体结构-CN202111518495.3在审
发明人：张志鹏 -专利权人：苏州洛合镭信光电科技有限公司;中兴光电子技术有限公司
申请日： 2021-12-13 - 公布日： 2023-06-16 - 主分类号： H01L21/48 文献下载
摘要：本申请公开了一种半导体结构的形成方法及半导体结构，本申请可广泛应用于半导体制造技术领域。本申请实施例中的半导体结构的形成方法，通过在提供的衬底表面形成第一介质膜，在所述衬底上形成一个或多个贯穿所述衬底的槽孔，然后去除所述第一介质膜，再在所述衬底的表面形成第二介质膜，在所述衬底上表面的所述第二介质膜上形成第一金属层；在所述衬底下表面的所述第二介质膜上形成第二金属层；其中第一金属层和/或第二金属层覆盖槽孔侧壁使得所述第一金属层和所述第二金属层在所述槽孔处连接。本申请简化了制作工艺的同时提高了产品的良率，侧壁质量可通过常规显微镜更加清晰的进行评估，可有效提升后续金属镀膜的覆盖质量。
一种半导体结构形成方法

[发明专利]一种波导绘制方法、系统、存储介质和终端-CN201910869906.X有效
发明人：周扬;华士跃 -专利权人： 中兴光电子技术有限公司
申请日： 2019-09-16 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： G06F30/392 文献下载
摘要：一种波导绘制方法、系统、存储介质和终端，其中，所述方法包括：从设置于复平面的波导起始中心点开始，按照波导的行进方向进行绘制，得到所述波导在其行进方向上的下一个中心点；所述波导的行进方向包括：直线行进或弯曲行进；当下一个中心点不是终止中心点时，从所述下一个中心点开始，按照波导的行进方向进行绘制，继续得到下一个中心点，直至波导绘制结束；将所有中心点开始按照指定的宽度进行对称展宽，得到所需波导。本发明实施例能避免波导拼接出现断点的可能性。
一种波导绘制方法系统存储介质终端

[发明专利]偏振旋转分束器和光子集成芯片-CN202110979865.7在审
发明人：王希琪 -专利权人： 中兴光电子技术有限公司
申请日： 2021-08-25 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： G02B6/125 文献下载
摘要：本发明提供了一种偏振旋转分束器和光子集成芯片，包括偏振旋转区和偏振分束区，其中，偏振旋转区的第一脊波导处于第一平板波导之上，偏振分束区的第二脊波导和第三脊波导分别处于第三平板波导之上，第三平板波导处于第二平板波导之上，而第一平板波导和第二平板波导相接且高度相等。本发明实施例的偏振旋转区的第一脊波导的脊高大于偏振旋转区的第二脊波导和第三脊波导的脊高，也即本发明实施例采用了不同刻蚀深度的脊波导作为偏振旋转区的波导和偏振分束区的波导，其中，偏振旋转区采用深刻蚀脊波导，能够使偏振旋转区具有更高的偏振旋转效率；偏振分束区采用浅刻蚀脊波导，能够使偏振分束区具有更高的耦合效率。
偏振旋转分束器光子集成芯片

[发明专利]滤波器、激光器以及通信设备-CN202110940894.2在审
发明人：周换颖 -专利权人： 中兴光电子技术有限公司
申请日： 2021-08-17 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： G02B6/293 文献下载
摘要：本发明公开了一种滤波器、激光器以及通信设备，其中滤波器包括设置有第一定向耦合器的微环滤波模块和设置有第二定向耦合器的环形反射镜模块，微环滤波模块包括设置在第一定向耦合器上的第一端口和第二端口，微环滤波模块为分光比与激光波长相关性为正的光器件，环形反射镜模块为分光比与激光波长相关性为负的光器件；由于微环滤波模块和环形反射镜模块的分光比与激光波长相关性相反，所以相同功率、不同波长的第一激光经过微环滤波模块和环形反射镜模块处理后所生成的不同波长的第四激光的功率差异值小，即该滤波器具有波长相关性均衡的特性，能够满足激光器的波长均衡性需求。
滤波器激光器以及通信设备

[发明专利]一种抗反射激光器及其制备方法、集成光子芯片和通信设备-CN202110961116.1在审
发明人：朱瑞;张思;李玮淳 -专利权人： 中兴光电子技术有限公司;苏州洛合镭信光电科技有限公司
申请日： 2021-08-20 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： H01S5/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种抗反射激光器及其制备方法、集成光子芯片和通信设备，抗反射激光器包括衬底层、光栅、光栅覆盖层、波导层及空间层；其中，衬底层包括沿水平方向依次设置的分布式反馈激光器区、电吸收调制器区及无源波导区；光栅均匀分布于分布式反馈激光器区的表面；光栅覆盖层位于衬底层及光栅的表面；波导层位于光栅覆盖层的表面；空间层位于波导层的表面；对应于无源波导区的光栅覆盖层的表面、对应于无源波导区的波导层及对应于无源波导区的空间层均呈竖直弯曲状，竖直弯曲状表示同一竖直平面内的弧形结构。根据本发明实施例的方案可以提高抗反射效果，且对激光器的输出光功率影响小，可以提高通信质量，广泛应用于半导体激光器技术领域。
一种反射激光器及其制备方法集成光子芯片通信设备

[发明专利]模斑转换器及光学器件-CN202110962663.1在审
发明人：朱海卿;杨旻岳;沈百林;邵永波 -专利权人： 中兴光电子技术有限公司
申请日： 2021-08-20 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： G02B6/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种模斑转换器及光学器件，模斑转换器包括：硅波导芯区，用于传输光信号；第一平板区，与硅波导芯区连接；第二平板区，与硅波导芯区连接，第二平板区与第一平板区设置于硅波导芯区的两侧并镜像对称；P型掺杂区，与第一平板区连接；N型掺杂区，与第二平板区连接，N型掺杂区与P型掺杂区电连接。本发明中的模斑转换器，由于设置了相互电连接的P型掺杂区和N型掺杂区，因此P型掺杂区和N型掺杂区能够形成短路PN结，而短路PN结能够形成可以吸收自由载流子的电场，从而能够降低波导内自由载流子的寿命，进而能够降低由于自由载流子吸收效应所产生的热量而导致的额外波导损耗，降低了高光功率入射下的损坏风险，提高了入光功率。
转换器光学器件

[发明专利]光器件设计方法、设备、计算机可读存储介质-CN202110941660.X在审
发明人：杨旻岳 -专利权人： 中兴光电子技术有限公司
申请日： 2021-08-17 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： G06F30/27 文献下载
摘要：本发明提供了一种光器件设计方法、设备、计算机可读存储介质。其中，光器件设计方法包括：根据多个波导参数点生成第一设计路径，波导参数点携带有针对目标波导的波导间距值和波导宽度值，设计路径满足预设绝热条件；根据第一设计路径确定第一路径参数；根据第一路径参数和第二路径参数确定用于设计光器件的目标设计路径，第二路径参数由第一路径参数确定。本发明实施例中，根据第一路径参数和第二路径参数确定的目标设计路径所对应的绝热长度小于第一设计路径所对应的绝热长度，因此减小了按照目标设计路径进行设计的耦合器或转换器的长度，从而提高了光子集成芯片的集成度。
器件设计方法设备计算机可读存储介质

[发明专利]一种静电释放保护电路、保护单元以及芯片和装置-CN202111092240.5在审
发明人：周扬;沈百林;李蒙 -专利权人： 中兴光电子技术有限公司
申请日： 2021-09-17 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本申请公开了一种静电释放保护电路、保护单元以及芯片和装置，该静电释放保护电路用于与有源器件并联，所述静电释放保护电路包括第一二极管组件和第二二极管组件；所述第一二极管组件与所述第二极管组件反向串联；或者所述静电释放保护电路包括第三二极管组件和第四二极管组件；所述第三二极管组件与所述第四二极管组件的反向并联。本电路通过若干个二极管组件的连接，可以降低硅光芯片的有源器件遭到静电损坏的风险，提高硅光芯片的品质；而且该保护电路结构简单，可以提高芯片集成度的同时降低封装成本。本申请可广泛应用于硅基光电子技术领域内。
一种静电释放保护电路单元以及芯片装置

[发明专利]波长锁定器、可调激光器及波长锁定控制方法-CN202111066834.9在审
发明人：周换颖 -专利权人： 中兴光电子技术有限公司
申请日： 2021-09-13 - 公布日： 2023-03-17 - 主分类号： H01S5/065 文献下载
摘要：本发明公开了一种波长锁定器、可调激光器及波长锁定控制方法，该波长锁定器包括环形谐振腔、光输入端、第一光电探测器、第二光电探测器和相位调制器；光输入端设置有第一连接端和第二连接端；环形谐振腔与第二连接端连接，包括环形波导绕线，以及分别与环形波导绕线连接的第一分束器和第二分束器；第一光电探测器与第一连接端连接；第二光电探测器与第一分束器连接；相位调制器设置于环形波导绕线上。在本发明实施例中，无需采用外置标准具、光栅或滤波器阵列大型元件就能够实现波长锁定和调节功能，能够减少对激光器件光源产生的噪声干扰，提高调节精度，节省结构空间，降低封装工艺复杂度，缩小产品尺寸。
波长锁定可调激光器控制方法

[发明专利]光纤阵列、耦合测试方法及装置、光器件、存储介质-CN202211554911.X在审
发明人：陆木子;顾凯;邵永波;张琦 -专利权人： 中兴光电子技术有限公司
申请日： 2022-12-06 - 公布日： 2023-03-10 - 主分类号： G02B6/04 文献下载
摘要：本申请公开了一种光纤阵列、光器件、耦合测试方法及装置、存储介质，其中的光纤阵列包括至少两条单模光纤，至少两条单模光纤的模场直径不完全相同。由于光纤阵列包括至少两条单模光纤，并且至少两条单模光纤的模场直径不完全相同，因此可以根据实际应用场景而组合不同模场直径或相同模场直径的单模光纤，以适应于不同模斑尺寸的模斑转换器的耦合测试，也就是说，在整个耦合测试的过程无需更换光纤阵列即可满足测试需求，既能够保证测试环境的一致性，避免因光纤阵列改变而导致的环境变化影响到测试性能，以便于提高测试精度，也省去了再次调节光纤阵列角度、位置等操作流程，能够提高测试效率。
光纤阵列耦合测试方法装置器件存储介质

[发明专利]冗余图形添加方法和电子设备-CN202111033604.2在审
发明人：李凡;沈百林;李蒙 -专利权人： 中兴光电子技术有限公司
申请日： 2021-09-03 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： G06F30/392 文献下载
摘要：本发明提供一种冗余图形添加方法和电子设备，所述方法包括：在设计版图上生成至少一个辅助图形，每个所述辅助图形将至少一个所述设计图形包围，所述辅助图形具有第一边界，所述辅助图形所包围的所述设计图形具有第二边界，所述第一边界与所述第二边界之间的距离大于预设的第一间距阈值，所述辅助图形的精度小于所述设计图形的精度；按照预设的设计规则，在所述设计版图上生成至少一个冗余图形单元，所述设计规则包括所述冗余图形单元与所述辅助图形不相交。本发明以粗精度的辅助图形替代高精度的设计图形作为设计规则依据，使冗余图形单元规避粗精度的辅助图形即可，从而大大减小了图形间的计算量，提高了冗余图形添加效率。
冗余图形添加方法电子设备

[发明专利]转换光模块及其光模块转接系统-CN202111026520.6在审
发明人：张涛;张帅 -专利权人： 中兴光电子技术有限公司
申请日： 2021-09-02 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： G02B6/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种转换光模块及其光模块转接系统，其中，转换光模块包括：下壳，下壳设置有锁定孔；光笼子，光笼子安装于下壳，光笼子的侧面设置有第一簧片，光笼子用于安装四通道小型可插拔QSFP光模块，第一簧片的一端与光笼子一体成型，第一簧片的另一端与QSFP光模块的限位件相抵接，第一簧片的内侧与QSFP光模块的解锁结构相抵接；锁定件，锁定件可拆卸连接于锁定孔，其中，在锁定件连接于锁定孔的状态下，锁定件抵接于第一簧片的外侧。根据本发明实施例提供的方案，通过锁定件顶住第一簧片外侧，使得解锁结构驱动第一簧片向外侧移动时被锁定件顶抵，从而限制了第一簧片的移动，使得转换光模块与QSFP光模块的锁定更加稳固。
转换模块及其转接系统

[发明专利]版图检测方法、装置和计算机可读存储介质-CN202111027231.8在审
发明人：李凡;沈百林;李蒙 -专利权人： 中兴光电子技术有限公司
申请日： 2021-09-02 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： G06F30/392 文献下载
摘要：本发明公开了一种版图检测方法、装置和计算机可读存储介质，方法包括：获取待测图形；根据待测图形得到多个图形特征；获取图形错误特点；根据图形错误特点对图形特征进行筛选，得到指定特征；将指定特征对应的版图位置标记为版图错误。在使用上述版图检测方法对待测图形进行检测，能够针对版图绘制过程中出现的一些在设计规则之外的错误类型进行检查，避免了人工检查导致的效率低以及检查错漏等问题。
版图检测方法装置计算机可读存储介质

[发明专利]双波长半导体激光器及其制备方法-CN202111028108.8在审
发明人：邓秋芳;李玮淳 -专利权人： 中兴光电子技术有限公司;苏州洛合镭信光电科技有限公司
申请日： 2021-09-02 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： H01S5/125 文献下载
摘要：本发明提供了一种双波长半导体激光器及其制备方法，双波长半导体激光器包括：第一DBR激光区，包括第一光栅区，第一光栅区设置有第一弯曲波导；第二DBR激光区，包括第二光栅区，第一光栅区设置有第一弯曲波导，第二光栅区设置有第二弯曲波导，第一夹角与第二夹角互不相同，第一光栅区的光栅和第二光栅区的光栅具有相同的光栅周期，第一夹角为第一弯曲波导与垂直第一光栅区的光栅方向所成的夹角，第二夹角为第二弯曲波导与垂直第二光栅区的光栅方向所成的夹角。根据本发明实施例提供的方案，通过光栅结合弯曲波导实现了等效啁啾光栅，利用弯曲波导与光栅的夹角不同增大了DBR激光区的反射谱范围，有效提高激光器的调谐范围和拍频实现的微波调谐范围。
波长半导体激光器及其制备方法

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