专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种具有凹陷沟槽的场效应晶体管-CN202110219297.0在审
  • 柴力 - 中之半导体科技(东莞)有限公司
  • 2021-02-26 - 2021-06-25 - H01L29/78
  • 本发明系提供一种具有凹陷沟槽的场效应晶体管,包括衬底,衬底上层叠有外延层、沟道掺杂层、源极层和源极金属层,衬底下设有漏极金属层,外延层中设有贯穿沟道掺杂层、源极层和源极金属层的凹槽;凹槽的底部设有位于外延层中的保护层,保护层呈U形包裹于凹槽的底部;凹槽中填充有栅极电介质层,栅极电介质层中设有栅极沉积层,栅极沉积层的底部设有抗击层,栅极沉积层中设有栅极金属层,栅极金属层、栅极沉积层和栅极电介质层的顶面共面。本发明栅极区域对导电沟道的调节迅速且可靠,具有低介电常数的抗击层具有良好的强电场抵抗能力,保护层与外延层之间形成的PN结可削弱抗击层处形成的电场,整体结构耐压性能好。
  • 一种具有凹陷沟槽场效应晶体管
  • [发明专利]一种封装有集成电路的场效应晶体管-CN202110139393.4在审
  • 柴力 - 中之半导体科技(东莞)有限公司
  • 2021-02-01 - 2021-06-25 - H01L27/02
  • 本发明系提供一种封装有集成电路的场效应晶体管,N型基板的两侧设有N型主体和漏极金属层,N型主体一侧设有源极金属层;N型主体的顶部设有间隔的第一P型掺杂区和第二P型掺杂区,第一P型掺杂区的顶部设有第一N型掺杂区,第二P型掺杂区的顶部设有第二N型掺杂区,N型主体的顶部还设有若干P型注入区;源极金属层的底部设有第一绝缘层和第二绝缘层,第一绝缘层上设有第一栅极层,第二绝缘层上设有第二栅极层,第一栅极层外设有第一介电区,第二栅极层外设有第二介电区,第一介电区和第二介电区之间的源极金属层与N型主体之间形成肖特基接触。本发明将肖特基二极管集成到场效应晶体管中,开启电压低、阻抗低、损耗低。
  • 一种装有集成电路场效应晶体管
  • [发明专利]一种具有栅极填充结构的MOSFET管-CN202110219802.1在审
  • 焦庆 - 中之半导体科技(东莞)有限公司
  • 2021-02-26 - 2021-06-22 - H01L29/78
  • 本发明系提供一种具有栅极填充结构的MOSFET管,包括衬底,衬底上层叠有n个沟道模块,沟道模块两侧分别设有源极层和漏极层,顶部的沟道模块上设有第二功函数金属层,第二功函数金属层的两侧设有第二阻隔层,第二功函数金属层包覆有第二栅极介电层,第二功函数金属层上设有栅极金属层,栅极金属层的电阻小于第二功函数金属层的电阻,栅极金属层的顶部和两侧填充有间隔层;沟道模块包括第一功函数金属层、第一阻隔层和通道层,第一阻隔层设于第一功函数金属层的两侧,通道层位于第一功函数金属层和第一阻隔层的上方,第一功函数金属层包覆有第一栅极介电层。本发明具有优良的电特性,能够有效降低MOSFET管的栅极电阻。
  • 一种具有栅极填充结构mosfet
  • [实用新型]一种改良型三极管浸锡治具-CN202020894680.7有效
  • 柴力 - 中之半导体科技(东莞)有限公司
  • 2020-05-25 - 2021-04-06 - B05C3/02
  • 本实用新型提供一种改良型三极管浸锡治具,包括提起结构和治具本体,所述提起结构和所述治具本体活动连接;所述提起结构包括两相对设置的横杆、分别对应连接设置在两所述横杆两侧的支架、若干横跨设置在两所述支架之间的提杆;所述治具本体包括矩形外框、若干横跨设置在所述矩形外框相对两侧的托料梳板、横跨设置在所述矩形外框相对两侧并且与所述托料梳板对应的压料架。本实用新型的有益效果是:提升工作效率,并且便于操作。
  • 一种改良三极管浸锡治具
  • [实用新型]一种震盘进料结构-CN202020894713.8有效
  • 覃荣俊 - 中之半导体科技(东莞)有限公司
  • 2020-05-25 - 2021-02-02 - B65G47/14
  • 本实用新型提供一种震盘进料结构,包括震桥本体、第一安装板、第二安装板、支架结构、固定支架、顶起结构、定位结构;第一安装板设置在震桥本体进料方向的末端,第一安装板上设置有与震桥本体对应的第三安装板;支架结构的下部和固定支架连接;支架的上部与第三安装板连接;第二安装板设置在第一安装板的下方并且与支架结构连接;震桥本体上设置有料槽A,第三安装板上设置有与料槽A对应的料槽B。顶起结构包括伺服马达、动力输出轴、轴承A、轴承B、顶针;定位结构包括真空吸块、对射传感器A、对射传感器B。本实用新型的有益效果是:通过设置定位结构和顶起结构,从而确保取料结构能够准确完成取料动作,提升生产效率。
  • 一种进料结构
  • [实用新型]一种二极管翻正结构-CN202020895853.7有效
  • 覃荣俊 - 中之半导体科技(东莞)有限公司
  • 2020-05-25 - 2021-02-02 - B65G47/248
  • 本实用新型提供一种二极管翻正结构,包括座体、第一导板、第二导板,所述座体、第一导板、第二导板均设置为半圆形,所述座体的一侧面延其弧线方向设置有围板从而形成安装空间,所述座体围绕轴心的附近凸设有弧形定位凸柱;所述第一导板和所述第二导板从内至外依次嵌合设置在所述安装空间内;所述围板的内弧面设置有凸条,所述第一导板的外弧面形成有阶梯状凸台,所述凸条、阶梯状凸台、第二导板形成二极管弧形滑轨槽,所述二极管弧形滑轨槽的上部设置为入料口,所述二极管弧形滑轨槽的下部设置为出料口,所述入料口和所述出料口处于同一垂直面上。本实用新型的有益效果是:实现二极管的自动180°的翻转动作,结构简单,成本较低。
  • 一种二极管结构
  • [实用新型]一种二极管吸咀结构-CN202020895868.3有效
  • 覃荣俊 - 中之半导体科技(东莞)有限公司
  • 2020-05-25 - 2021-02-02 - B65G47/90
  • 本实用新型提供一种二极管吸咀结构,包括吸咀本体,所述吸咀本体从上至下依次包括抓取部、连接部、吸取部,所述连接部的一端与所述抓取部连接,所述连接部的另一端与所述吸取部连接,所述抓取部贯穿设置有第一气腔,所述连接部贯穿设置有第二气腔,所述吸取部贯穿设置有第三气腔,所述第一气腔、第二气腔、第三气腔相互连通;所述吸取部远离所述连接部的一端开设有与二极管形状对应的让位槽。本实用新型的有益效果是:当吸咀本体对二极管进行吸取动作时,二极管的上部正好嵌合在让位槽内,从而实现对二极管的限位固定,有效防止二极管在吸附时的转动。
  • 一种二极管结构
  • [实用新型]一种二极管磁性定位座结构-CN202020894669.0有效
  • 覃荣俊 - 中之半导体科技(东莞)有限公司
  • 2020-05-25 - 2021-01-15 - B25B11/00
  • 本实用新型提供一种二极管磁性定位座结构,包括座体、第一限位块、第二限位块、磁铁,所述第一限位块和所述第二限位块均设置在所述座体上;所述座体的上表面开设有导轨槽,所述第一限位块的下表面开设有与所述导轨槽对应的让位槽,所述第一限位块的一侧与所述让位槽对应的位置开设有凹位,所述第二限位块设置在所述导轨槽的上方,所述第二限位块的一侧延伸至所述凹位处,所述凹位、第二限位块形成定位空间;所述座体内位于所述定位空间的下方设置有磁铁。本实用新型的有益效果是:对二极管进行准确、快速的定位。
  • 一种二极管磁性定位结构
  • [实用新型]一种带锁紧机构的料斗-CN202020894671.8有效
  • 覃荣俊 - 中之半导体科技(东莞)有限公司
  • 2020-05-25 - 2021-01-15 - F26B5/08
  • 本实用新型提供一种带锁紧机构的料斗,包括料斗和锁紧机构,锁紧机构包括料斗安装支架、锁杆、压缩弹簧、锁头、两锁紧螺丝,料斗的一侧面设置有盖子;料斗安装支架内设置有料斗收纳槽,锁杆的一侧设置有压缩弹簧收纳槽,压缩弹簧设置在压缩弹簧收纳槽内,锁头的一端延伸至压缩弹簧收纳槽内并且与压缩弹簧相抵设置;料斗安装支架的相对两侧开设有插孔A,锁杆远离压缩弹簧收纳槽的一端插设在一插孔A内,锁头远离压缩弹簧的一端插设在另一插孔A内;一锁紧螺丝贯穿锁杆与料斗连接,一锁紧螺丝贯穿锁杆和锁头与料斗连接。本实用新型的有益效果是:提升料斗关闭的紧密度。
  • 一种带锁紧机构料斗
  • [实用新型]一种可调整外径的调速皮带轮结构-CN202020895866.4有效
  • 马良君 - 中之半导体科技(东莞)有限公司
  • 2020-05-25 - 2021-01-15 - F16H55/54
  • 本实用新型提供一种可调整外径的调速皮带轮结构,包括带轮板、若干带轮块、压环、紧固环、紧固螺母;带轮板上共轴心设置有螺纹凸柱,各带轮块与螺纹凸柱共轴心周向围设在螺纹凸柱的外侧面,各带轮块靠向螺纹凸柱的一侧均形成有凸台,紧固环设置在各凸台上方,各凸台靠向螺纹凸柱的一侧面均设置为上斜面;压环与螺纹凸柱螺纹连接,压环下部的外侧面环设有与各上斜面对应的下斜面,下斜面与各上斜面相抵设置;紧固螺母与螺纹凸柱螺纹连接并且设置在压环的上表面;各带轮块上均贯穿设置有腰型孔,紧固环上设置有若干螺栓,各螺栓均依次贯穿紧固环、腰型孔与带轮板连接。可因应不同的外径需要进行调整,无需更换轮子,节省资源和生产成本。
  • 一种可调整外径调速皮带轮结构
  • [实用新型]一种二极管电性测试结构-CN202020932060.8有效
  • 覃荣俊 - 中之半导体科技(东莞)有限公司
  • 2020-05-28 - 2021-01-15 - G01R31/26
  • 本实用新型提供一种二极管电性测试结构,包括测试限位板、安装板A、安装板B、第一测试片组、第二测试片组;第一测试片组包括测试片A、测试片B,测试片A和测试片B相邻设置;第二测试片组包括测试片C、测试片D,测试片C和测试片D相邻设置;安装板A安装在测试限位板的一侧形成第一测试片组的收纳空间,安装板B安装在测试限位板的另一侧形成第二测试片组的收纳空间,第一测试片组与测试限位板弹性连接并且设置在第一测试片组的收纳空间内,第二测试片组与测试限位板弹性连接并且设置在第二测试片组的收纳空间内;测试限位板的上表面设置有测试座。本实用新型的有益效果是:实现迅速、稳定的测试动作。
  • 一种二极管测试结构
  • [实用新型]一种带校正组件的测试结构-CN202020932080.5有效
  • 覃荣俊 - 中之半导体科技(东莞)有限公司
  • 2020-05-28 - 2021-01-15 - G01R31/26
  • 本实用新型提供一种带校正组件的测试结构,安装底板、测试片组A、测试片组B、校正组件、定位座安装板、定位座、测试片组A定位板、测试片组B定位板;所述校正组件包括支架、爪座A、校正爪A、爪座B、校正爪B、连接轴A、连接轴B、导向轴;所述安装底板的下表面固定设置有限位块,所述限位块与所述定位座对应的位置设置有顶针。本实用新型的有益效果是:通过设置校正组件,确保三极管测试时的位置正确,在确保测试精准度的前提下,确保测试的质量。
  • 一种校正组件测试结构
  • [实用新型]一种新型二极管入料座结构-CN202020903061.X有效
  • 覃荣俊 - 中之半导体科技(东莞)有限公司
  • 2020-05-25 - 2020-12-22 - H01L21/683
  • 本实用新型提供一种新型二极管入料座结构,包括下入料座和上入料座,所述上入料座设置在所述下入料座的上方,所述上入料座靠向进料方向的一侧上表面设置有限位凸块,所述上入料座的上表面靠向所述限位凸块的位置开设有产品让位槽,所述产品让位槽内开设有吹气孔A,所述下入料座上贯穿设置有吹气孔B,所述吹气孔A和所述吹气孔B连通;所述吹气孔B通过管道与吹气提供源连接;所述上入料座上开设有真空吸孔A,所述真空吸孔A的出气端与所述产品让位槽连通,所述下入料座开设有真空吸孔B,所述真空吸孔A的进气端与所述真空吸孔B连通,所述真空吸孔B通过管道与负压气源连接。本实用新型的有益效果是:确保二极管能够稳定升起供取料装置取料。
  • 一种新型二极管入料座结构

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