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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]抗蚀图增厚材料、抗蚀图及其形成工艺以及半导体器件及其制造工艺-CN200710005436.X有效
发明人：小泽美和;野崎耕司;並木崇久;今纯一;矢野映 -专利权人：富士通株式会社
申请日： 2002-11-27 - 公布日： 2007-09-12 - 主分类号： G03F7/00 文献下载
摘要：抗蚀图增厚材料含有树脂、交联剂和具有环状结构的化合物或部分具有环状结构的树脂。抗蚀图包括在要增厚的抗蚀图上的表面层，在相同条件下，要增厚的抗蚀图与表面层的腐蚀率(nm/s)之比(要增厚的抗蚀图/表面层)为1.1或更大，或包括在要增厚的抗蚀图上的表面层。形成抗蚀图的工艺包括在形成要增厚的抗蚀图之后在表面涂覆抗蚀图增厚材料。半导体器件包括由抗蚀图形成的图形。半导体器件的制造工艺包括在底层上形成要增厚的抗蚀图之后，在图形的表面涂覆增厚材料来增厚，并通过采用图形作为掩模进行腐蚀以构图底层。
抗蚀图增厚材料抗蚀图及其形成工艺以及半导体器件制造

[发明专利]光刻胶图案增厚材料、包含它的光刻胶图案及其应用-CN03149913.9有效
发明人：小泽美和;野崎耕司;並木崇久;今纯一 -专利权人：富士通株式会社
申请日： 2003-07-29 - 公布日： 2004-02-25 - 主分类号： G03F7/038 文献下载
摘要：本发明提供一种光刻胶图案增厚材料，此光刻胶图案增厚材料可以增厚待增厚光刻胶图案以形成精细的中空图案，超过了现有光源的曝光极限，而不管待增厚光刻胶图案的材料或其尺寸如何。所述的光刻胶图案增厚材料包含：树脂；交联剂；以及含氮化合物。在本发明的用于形成光刻胶图案的工艺中，光刻胶图案增厚材料被施加到待增厚光刻胶图案的表面，由此形成光刻胶图案。本发明的用于制造半导体器件的工艺包括：将增厚材料施加到已形成于下层之上的待增厚光刻胶图案的表面，以增厚待增厚光刻胶图案并形成光刻胶图案；以及通过利用光刻胶图案刻蚀而对下层进行制图。
光刻图案材料包含及其应用

[发明专利]生物可降解树脂复合物、及其填料与模塑制品-CN03149911.2有效
发明人：野崎耕司;並木崇久 -专利权人：富士通株式会社
申请日： 2003-07-29 - 公布日： 2004-02-18 - 主分类号： C08L67/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种生物可降解树脂复合物，其中生物可降解树脂复合物具有优异的物理性能，如强度、耐水性、成型可加工性、耐热性，并适合于用于各种电器产品的模塑制品。本发明的生物可降解树脂复合物包含生物可降解树脂和用生物可降解包覆树脂包覆的填料，其中将用生物可降解包覆树脂包覆的填料包含在生物可降解树脂之中。优选的方案为：填料是云母、滑石和蒙脱土中的至少一种；生物可降解树脂的填料含量在质量含量5％至50％的范围中；填料的平均直径在0.01μm至200μm的范围中；以及生物可降解树脂是聚乳酸。
生物降解树脂复合物及其填料制品

[发明专利]抗蚀剂图形增厚材料、抗蚀剂图形及其形成方法以及半导体器件及其制造方法-CN02124689.0无效
发明人：野崎耕司;小澤美和;並木崇久;今纯一;矢野映 -专利权人：富士通株式会社
申请日： 2002-03-29 - 公布日： 2003-06-04 - 主分类号： G03F7/038 文献下载
摘要：抗蚀剂图形增厚材料含有树脂、交联剂和水溶性芳香化合物。抗蚀剂图形包括在下层抗蚀剂图形上的上层，下层抗蚀剂图形与上层的腐蚀率(/s)的比(下层抗蚀剂图形/上层)为1.1或更高，或包括在下层抗蚀剂图形上的含有芳香化合物的上层。形成抗蚀剂图形的方法包括在形成下层抗蚀剂图形之后在图形的表面涂覆抗蚀剂图形增厚材料。半导体器件包括由抗蚀剂图形形成的图形。半导体器件的制造方法包括在底层上形成下层抗蚀剂图形之后，在图形的表面涂覆抗蚀剂图形增厚材料以增厚图形，并通过采用图形作为掩模进行腐蚀以构图底层。
抗蚀剂图形材料及其形成方法以及半导体器件制造

[发明专利]制造磁致电阻磁头的方法-CN96117959.7无效
发明人：渡部庆二;野崎耕司;五十岚美和;仓光庸子;矢野映;並木崇久;白泷博;大塚庆太;金峰理明;上源裕二 -专利权人：富士通株式会社
申请日： 1996-12-25 - 公布日： 2001-07-25 - 主分类号： G11B5/39 文献下载
摘要：本发明的制造磁致电阻磁头的方法包括在构成磁致电阻器件的多层薄膜上形成有机薄膜、在有机薄膜上形成由抗蚀剂或无机薄膜组成的上面的薄膜、制作有机薄膜和上面的薄膜的图形，使有机薄膜图形的边缘从上面的薄膜图形的边缘向内凹入，从而使在上面的薄膜和多层薄膜上形成的薄的薄膜的颗粒不与有机薄膜图形的侧面部分接触的步骤。$＃!
制造致电磁头方法

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