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[发明专利]一种具有低续流损耗的功率半导体器件及其制造方法-CN202310914496.2在审
发明人：刘斯扬;孙佳萌;隗兆祥;魏家行;孙伟锋;时龙兴 -专利权人：东南大学;东南大学—无锡集成电路技术研究所
申请日： 2023-07-25 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种具有低续流损耗的功率半导体器件及其制造方法。器件包括金属、重掺杂第一导电类型衬底及外延层、第二导电类型体区、第一导电类型增强源区和重掺杂第二导电类型体接触区，第一导电类型半导体区，增强源区之下且贯穿体区的第一导电类型半导体层、介质层一、栅电极、介质层二、金属。方法：在重掺杂衬底上制得第一导电类型外延层；在外延层上形成第二导电类型体区；在体区上形成增强源区；在增强源区下方形成第一导电类型半导体层且贯穿体区；在体区上形成体接触区；在体区中形成第一导电类型半导体区；退火激活杂质；器件上表面生长介质层一、多晶硅、介质层二、栅电极；在增强源区和接触区生成金属，背面淀积金属。
一种具有低续流损耗功率半导体器件及其制造方法

[发明专利]一种多路输出的隔离式谐振栅极驱动电路-CN202310685994.4在审
发明人：钱钦松;周子焱;骆强;王宇帆;孙越飞;孙伟锋;时龙兴 -专利权人：东南大学;东南大学—无锡集成电路技术研究所
申请日： 2023-06-12 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H02M1/08 文献下载
摘要：本发明提供一种多路输出的隔离式谐振栅极驱动电路，该驱动电路包括PWM发生器、MOS驱动网络、多绕组隔离变压器、钳位电路；其中，MOS驱动网络中作为驱动管的第一PMOS管、第二PMOS管的栅极控制信号分别由第一PWM发生器、第二PWM发生器和后接第一栅极驱动器、第二栅极驱动器提供，MOS驱动网络的输出经过多绕组隔离变压器输出给钳位电路，钳位电路的输出信号作为LLC‑DCX原边开关管和副边同步整流管的栅驱动信号，驱动LLC‑DCX的原边开关管和副边同步整流管。利用隔离式谐振栅极驱动电路中多绕组隔离变压器的励磁电感和LLC‑DCX初级侧功率开关管、次级侧整流管的栅极电容产生谐振，恢复存储在功率开关管和整流管栅极电容的能量，从而降低栅极驱动电路的损耗。
一种输出隔离谐振栅极驱动电路

[发明专利]一种基于氮化镓工艺的高可靠高速电平移位电路-CN202310676953.9在审
发明人：郑逸飞;宋德源;李博宇;孙伟锋;时龙兴 -专利权人：东南大学;东南大学—无锡集成电路技术研究所
申请日： 2023-06-08 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： H03K17/04 文献下载
摘要：本发明提供一种基于氮化镓工艺的高可靠高速电平移位电路，包括电平转换模块、锁存模块、电压偏置模块、电流镜模块、加速上拉模块、抗dVSW/dt模块、输出级模块，可以克服传统氮化镓电平移位电路延时大和功耗高的问题。
一种基于氮化工艺可靠高速电平移位电路

[发明专利]基于金属氧化物半导体薄膜晶体管的基准电压源电路结构及其制备方法-CN202310607008.3在审
发明人：吴汪然;张宇振;俞祚旭;孙伟锋;时龙兴 -专利权人：东南大学;东南大学—无锡集成电路技术研究所
申请日： 2023-05-26 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明提供一种基于金属氧化物半导体薄膜晶体管的基准电压源电路结构及其制备方法。制备方案包括：获取衬底；在所述衬底上形成栅电极层；在所述栅电极层上形成栅极介电层；在所述栅极介电层上形成IGZO有源层；在所述栅极介电层上形成ITO有源层；在所述栅极介电层上形成通孔；在所述IGZO/ITO有源层上形成源极、漏极。本发明还提供了一种基于金属氧化物半导体薄膜晶体管的基准电压源结构，包括增强型IGZO薄膜晶体管(M1)、耗尽型ITO薄膜晶体管(M2)。创新地利用增强型IGZO薄膜晶体管、耗尽型ITO薄膜晶体管提供了一种柔性基准电压源电路的方案和思想。
基于金属氧化物半导体薄膜晶体管基准电压电路结构及其制备方法

[发明专利]一种集成Y电容的平面变压器结构-CN202111202503.3有效
发明人：钱钦松;徐诗云;许胜有;孙伟锋;时龙兴 -专利权人：东南大学;东南大学—无锡集成电路技术研究所
申请日： 2021-10-15 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H01F27/33 文献下载
摘要：本发明公开了一种集成Y电容的平面变压器，涉及电磁兼容和磁性元器件设计领域。一次侧绕组与二次侧绕组交错排列，其寄生电容改善了二次侧整流二极管的噪声传导路径。辅助绕组一端与原边地相连，另一端悬空，与二次侧绕组形成集成Y电容(CY)，改善了一次侧开关管和二次侧整流二极管的噪声传导路径。本发明在保持完全交叉换位结构平面变压器低漏感、高效率优点的前提下，利用了一次侧绕组与二次侧绕组之间的寄生电容，使其成为了引导噪声的低阻抗路径，几乎消除了级间电容带来的不利影响，可以有效减小开关电源对外的传导噪声干扰。同时通过将Y电容集成，可以进一步减小开关电源的面积，有利于开关电源的小型化，提高了开关电源的功率密度。
一种集成电容平面变压器结构

[发明专利]基于自激式降压变换器的高功率密度辅助电源-CN202111439240.8有效
发明人：钱钦松;董天昊;谷诚;郑德军;孙伟锋;时龙兴 -专利权人：东南大学;东南大学—无锡集成电路技术研究所
申请日： 2021-11-30 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H02M3/158 文献下载
摘要：本发明公开了一种高功率密度的自激式降压变换器辅助电源电路。该辅助电源包括：降压主回路(1)、复位驱动电路(2)、限流保护电路(3)、稳压电路(4)；其中，降压主回路(1)的输入端接限流保护电路(3)，降压主回路(1)的输出端接稳压电路(4)，稳压电路(4)的输出端即输出电压(Vout)接负载(Load)，限流保护电路(3)的输入端接输入电压(Vin2)；复位驱动电路(2)的一端接限流保护电路(3)，另一端接输出电压(Vout)。本发明解决了现有自激式降压变换器功率密度低、接受输入电压不够宽泛、工作频率不够高、输出纹波高、噪声高的问题，同时也实现了过压保护和过流保护以及自适应软启动的功能。
基于降压变换器功率密度辅助电源

[发明专利]一种加速软件trace信息提取的采样方法-CN201910922145.X有效
发明人：凌明;高小洁;申山;王学香 -专利权人：东南大学;东南大学—无锡集成电路技术研究所
申请日： 2019-09-27 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： G06F11/34 文献下载
摘要：本发明提出一种加速软件trace信息提取的采样方法，涉及计算机体系结构与建模技术领域。本发明提出的采样方法，实现对软件trace信息进行两级采样，包括：第一级为区间采样，包括程序特征向量的采集和归一化处理、在线阶段分类、以及采用指数变化步长的采样方法；第二级为区间内采样，包括采样区间内trace信息的采集和存储。该采样方法面向处理器解析模型所需的trace信息提取，通过采集trace信息中具有代表性片段的软件特征信息，提升trace信息的分析统计速度，减少利用二进制分析工具提取trace信息的耗时，有效提高采用解析模型进行处理器性能分析的效率。通过合理配置两级采样的各类参数，可以保证较高的性能评估准确度，并可降低10倍左右的trace信息分析统计时间开销。
一种加速软件 trace 信息提取采样方法

[发明专利]一种单片集成式GaN基半桥电路及半桥电路-CN202310553782.0在审
发明人：张龙;盘成务;郑贵强;刘斯扬;孙伟锋;时龙兴 -专利权人：东南大学;东南大学—无锡集成电路技术研究所
申请日： 2023-05-17 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：一种单片集成式GaN基半桥电路及半桥电路。单片集成式GaN基半桥电路，在导电衬底上依次设有成核层、缓冲层、沟道层和势垒层，势垒层和沟道层由隔离层分割，设置二极管和集成电容、低侧管、高侧管、第一集成电阻器及第二集成电阻器。半桥电路包括：低侧管及高侧管，低侧管的漏极与高侧管的源极连接有输出端子Vout，低侧管衬底与高侧管衬底连接，在高侧管漏极与低侧管源极上并接一串联电阻，串联电阻由第一集成电阻器和第二集成电阻器串联构成且串联节点连接于导电衬底；在串联节点与低侧管源极上并接有集成电容；在输出端子Vout与串联节点之间连接有二极管且二极管的阳极连接于输出端子Vout、阴极连接于所述串联节点。
一种单片集成 gan 基半桥电路

[发明专利]基于IGZO薄膜晶体管的低压差线性稳压器及其制备方法-CN202310595665.0在审
发明人：吴汪然;张宇振;俞祚旭;孙伟锋;时龙兴 -专利权人：东南大学;东南大学—无锡集成电路技术研究所
申请日： 2023-05-25 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明提供一种基于IGZO薄膜晶体管的低压差线性稳压器及其制备方法。制备方案包括：获取衬底；在所述衬底上形成栅电极层；在所述栅电极层上形成栅极介电层；在所述栅极介电层上形成IGZO有源层；在所述栅极介电层上形成通孔；在所述IGZO有源层上形成源极、漏极；对部分薄膜晶体管的IGZO有源层进行局部氢等离子体处理，形成耗尽型薄膜晶体管。本发明还提供了一种基于IGZO薄膜晶体管的LDO电路，包括基准电压子电路，误差放大子电路和调整管及反馈网络。对传统CMOS拓扑结构进行了改进，创新地利用增强型、耗尽型两种工作模式的n型IGZO薄膜晶体管实现一种柔性电源管理模块的方案和思想。
基于 igzo 薄膜晶体管低压线性稳压器及其制备方法

[发明专利]一种基于Adaboost算法的人脸检测方法-CN201910279211.6有效
发明人：陆生礼;庞伟;黎健;罗几何;樊迎博;花硕硕 -专利权人：东南大学;东南大学—无锡集成电路技术研究所
申请日： 2019-04-09 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： G06V40/16 文献下载
摘要：本发明公开一种基于Adaboost算法的人脸检测方法，步骤是：对输入的视频或图像进行预处理，包括进行灰度归一化和滤波去噪；将彩色图像的RGB空间转换为YCbCr空间，然后根据肤色色度的范围，对图像进行肤色分割；对肤色分割后的图像进行形态学处理；采用Canny边缘检测算法对形态学处理后的图像进行边缘检测；利用RHT检测图像中的椭圆，将检测出似人脸的椭圆区域抠出，作为人脸候选区域；利用Adaboost算法训练级联分类器，利用训练好的级联分类器对人脸候选区域进行人脸检测，输出人脸位置。此种人脸检测方法能够在保证检测率的同时，降低计算量，提高检测速度。
一种基于 adaboost 算法检测方法

[发明专利]一种适用于谐振栅极驱动电路的自适应负载优化方法-CN202310371814.5在审
发明人：钱钦松;王宇帆;周子焱;骆强;孙伟锋;时龙兴 -专利权人：东南大学;东南大学—无锡集成电路技术研究所
申请日： 2023-04-10 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： H02M3/335 文献下载
摘要：本发明是一种适用于谐振栅极驱动电路的自适应负载优化方法，优化在不同MOSFET负载下的开关损耗、导通损耗和栅极驱动损耗；在数字信号处理芯片(DSP)中预先存储好一份数据表格，表格中有实际测试中的不同负载电流下总体损耗较低时所对应的谐振栅极驱动器电压和预充电时间；在实际应用中数模转换器端(DAC)采样到负载电流后，取与表格中最接近的负载电流值，使能数字信号处理芯片(DSP)进行查表工作，得到优化后的栅极驱动电路电压和预充电时间。解决了现有自适应负载优化方案存在的忽视功率MOSFET导通损耗、驱动电路损耗过大的技术问题。
一种适用于谐振栅极驱动电路自适应负载优化方法

[发明专利]开关电源的数字积分模式恒定导通时间控制系统及方法-CN202310373219.5在审
发明人：徐申;李凌昀;张海青;王睿智;王欣茹;孙伟锋;时龙兴 -专利权人：东南大学;东南大学—无锡集成电路技术研究所
申请日： 2023-04-10 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： H02M3/158 文献下载
摘要：本发明公开了一种开关电源的数字积分模式恒定导通时间控制系统及方法，系统包括：通过DIMCOT控制模块在负载变化瞬态中输出的脉冲信号控制PWM产生模块的PWM波形由第一电平状态变为第二电平状态，根据第二电平状态触发恒定导通时间产生模块的计数器开始计数，并在计数值达到预设值时，生成重置信号，使得PWM产生模块的PWM波形由第二电平状态变为第一电平状态，从而得到预设占空比的方波信号，进而控制开关电源的开启或断开，实现开关电源的恒定导通时间。由此，通过在负载变化瞬态中改变开关周期来快速增大PWM占空比，没有线性控制中的惯性环节，减小了系统延时，具有更快的瞬态响应、更高的轻负载效率以及更灵活的控制策略。
开关电源数字积分模式恒定时间控制系统方法

[发明专利]一种具有死区控制功能的多路栅极驱动电路-CN202310328443.2在审
发明人：钱钦松;骆强;周子焱;王宇帆;孙伟锋;时龙兴 -专利权人：东南大学;东南大学—无锡集成电路技术研究所
申请日： 2023-03-30 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H02M1/088 文献下载
摘要：本发明是一种具有死区时间控制功能的多路栅极驱动电路，该驱动电路包括PWM发生器(1)、MOS驱动网络(2)、多绕组隔离变压器(3)、钳位电路(4)和死区时间控制电路(5)；MOS驱动网络(2)的输出经过多绕组隔离变压器(3)输出给钳位电路(4)，钳位电路(4)的输出信号作为LLC‑DCX拓扑原边的栅驱动信号；死区时间控制电路(5)用于调整死区时间，实现LLC‑DCX软开关，减少开关切换状态的能量损失。使得死区时间可控，可以提供多路栅极驱动信号，同时降低了驱动损耗，提高了系统稳定性。
一种具有死区控制功能栅极驱动电路

[发明专利]一种适用于多路驱动的四开关型谐振栅极驱动电路-CN202310309861.7在审
发明人：孙伟锋;周子焱;王宇帆;钱钦松;时龙兴 -专利权人：东南大学;东南大学—无锡集成电路技术研究所
申请日： 2023-03-28 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H02M1/088 文献下载
摘要：本发明是一种适用于多路驱动的四开关型谐振栅极驱动电路，其中，第一MOSFET和第二MOSFET构成一个半桥，半桥中点连接至变压器的原边的同名端，并且通过桥臂中点连接至主拓扑栅极驱动器第四开关管栅极；第三MOSFET和第四MOSFET同样构成一个半桥，半桥中点通过端口连接至变压器的原边的非同名端，并且连接至主拓扑栅极驱动器的第二开关管栅极；主拓扑栅极驱动器的第四开关管的栅极寄生电容视为并联在第二MOSFET的两端，主拓扑栅极驱动器的第二开关管的栅极寄生电容视为并联在第四MOSFET的两端。解决了现有谐振栅极驱动方案存在的驱动损耗高、控制复杂且死区不可控、磁性和开关元件较多、驱动电流小和无法实现多路驱动的技术问题。
一种适用于驱动开关谐振栅极电路

[发明专利]一种基于恒定导通时间控制的自激降压变换器-CN202310147248.X在审
发明人：张浩东;丁松;钱钦松;孙伟锋;时龙兴 -专利权人：东南大学;东南大学—无锡集成电路技术研究所
申请日： 2023-02-22 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H02M3/158 文献下载
摘要：本发明是一种基于恒定导通时间控制的自激降压变换器，该变换器包括降压主电路，控制电路和驱动电路；输入电源(Vin)接入控制电路的输入端即第二PNP管(Q2)的发射极，控制电路的输出端接驱动电路的输入端即第三PNP管(Q3)的基极，驱动电路的输出端接降压主电路的输入端即功率开关管(Q1)的栅极。采用此结构能够使得电路更为简单，解决电路生产成本高昂，开关频率不易调节的问题。
一种基于恒定时间控制降压变换器

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