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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]插柱和穿透互连方式-CN201210359588.0有效
发明人：约翰·特雷扎;约翰·卡拉汉;格雷戈里·杜多夫 -专利权人： 丘费尔资产股份有限公司
申请日： 2006-06-14 - 公布日： 2013-10-09 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：本发明公开了插柱和穿透互连方式。一种物理地和电气地互连两个芯片的方法，包括：将第一芯片上的导电触点与第二芯片上对应的导电触点对准，该第一芯片的导电触点为刚性材料，该第二芯片的导电触点为与该刚性材料相对的韧性材料；使对准的该第一芯片上的导电触点与该第二芯片上相应的导电触点接触；将该第一和第二芯片的触点提高至低于至少该刚性材料的液化温度，同时向该第一和第二芯片施加足够的压力，以使该刚性材料穿透该韧性材料从而形成两者之间的导电连接；以及在形成导电连接之后，冷却该第一和第二芯片的触点至环境温度。
穿透互连方式

[发明专利]芯片连接方法-CN201310019765.5有效
发明人：约翰·特雷扎;约翰·卡拉汉;格雷戈里·杜多夫 -专利权人： 丘费尔资产股份有限公司
申请日： 2006-06-14 - 公布日： 2013-06-26 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：一种将第一晶片上的第一接触点与第二晶片上的第二接触点电连接的方法，第一接触点包括刚性材料，第二接触点包括相对于该刚性材料为韧性的材料，因此当叠在一起时刚性材料将穿进韧性材料，该刚性和韧性材料都是导电材料，所述方法涉及使刚性材料与韧性材料接触，向第一接触点或第二接触点中的一个接触点施加力从而使刚性材料穿进韧性材料，加热刚性和韧性材料从而使韧性材料软化，和将韧性材料限制到预定区域内。
芯片连接方法

[发明专利]对电连接中具有高迁移率的组分的束缚-CN201210560975.0无效
发明人：约翰·特雷扎 -专利权人： 丘费尔资产股份有限公司
申请日： 2008-06-05 - 公布日： 2013-04-17 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：一种制造电触点的方法，涉及：在电连接的位置设置阻隔材料，在阻隔材料上设置导电的接合金属，导电的接合金属具有扩散的可动成分，选择阻隔材料的体积和扩散的可动成分的体积，使得阻隔材料的体积至少是阻隔材料的体积和扩散的可动成分的体积的组合体积的20％。电连接在两个触点之间具有导电的接合金属，设置于导电的接合金属至少一侧的阻隔材料，以及位于在阻隔材料和导电的接合金属之间的交界面的合金。合金包括至少一些阻隔材料，至少一些接合金属和可动材料。
连接具有迁移率组分束缚

[发明专利]镀柱封装形成-CN201210518335.3无效
发明人：约翰·特雷扎 -专利权人： 丘费尔资产股份有限公司
申请日： 2008-02-14 - 公布日： 2013-04-17 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种方法包括：从位于衬底上的籽晶层向上镀导电材料的柱，以充填材料包围所述柱，以致柱和充填材料共同限定第一封装，并且从第一封装去除衬底。
封装形成

[发明专利]芯片连接方法-CN200680029328.X有效
发明人：约翰·特雷扎;约翰·卡拉汉;格雷戈里·杜多夫 -专利权人： 丘费尔资产股份有限公司
申请日： 2006-06-14 - 公布日： 2010-08-04 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：一种将第一晶片上的第一接触点与第二晶片上的第二接触点电连接的方法，第一接触点包括刚性材料，第二接触点包括相对于该刚性材料为韧性的材料，因此当叠在一起时刚性材料将穿进韧性材料，该刚性和韧性材料都是导电材料，所述方法涉及使刚性材料与韧性材料接触，向第一接触点或第二接触点中的一个接触点施加力从而使刚性材料穿进韧性材料，加热刚性和韧性材料从而使韧性材料软化，和将韧性材料限制到预定区域内。
芯片连接方法

[发明专利]镀柱封装形成-CN200880005012.6无效
发明人：约翰·特雷扎 -专利权人： 丘费尔资产股份有限公司
申请日： 2008-02-14 - 公布日： 2010-05-26 - 主分类号： H01L21/48 文献下载
摘要：一种方法包括：从位于衬底上的籽晶层向上镀导电材料的柱，以充填材料包围所述柱，以致柱和充填材料共同限定第一封装，并且从第一封装去除衬底。
封装形成

[发明专利]侧堆叠设备和方法-CN200880009023.1无效
发明人：约翰·特雷扎 -专利权人： 丘费尔资产股份有限公司
申请日： 2008-05-19 - 公布日： 2010-03-31 - 主分类号： H01L25/065 文献下载
摘要：模块(100)具有至少两个彼此连接以使得它们处于不同的平面并被配置成IC的第一堆叠的IC(102、104、106、108)，第三IC(200)被连接到该至少两个IC中的至少一个，其中该第三IC相对于该至少两个IC两者离面。
堆叠设备方法

[发明专利]对电连接中具有高迁移率的组分的束缚-CN200880016621.1有效
发明人：约翰·特雷扎 -专利权人： 丘费尔资产股份有限公司
申请日： 2008-06-05 - 公布日： 2010-03-24 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：一种制造电触点的方法，涉及：在电连接的位置设置阻隔材料，在阻隔材料上设置导电的接合金属，导电的接合金属具有扩散的可动成分，选择阻隔材料的体积和扩散的可动成分的体积，使得阻隔材料的体积至少是阻隔材料的体积和扩散的可动成分的体积的组合体积的20％。电连接在两个触点之间具有导电的接合金属，设置于导电的接合金属至少一侧的阻隔材料，以及位于在阻隔材料和导电的接合金属之间的交界面的合金。合金包括至少一些阻隔材料，至少一些接合金属和可动材料。
连接具有迁移率组分束缚

[发明专利]具有直通芯片连接的前端处理晶片-CN200780047912.2有效
发明人：约翰·特雷扎 -专利权人： 丘费尔资产股份有限公司
申请日： 2007-12-28 - 公布日： 2010-03-03 - 主分类号： H01L21/4763 文献下载
摘要：一种方法，包括在装置支承半导体晶片中形成过孔，使装置支承半导体晶片中的至少一些过孔导电，以及对装置支承半导体晶片进行后端处理，以便在导电过孔和金属化层之间建立电连接。一种替换的方法，包括在装置支承半导体晶片中形成过孔，使装置支承半导体晶片中的至少一些过孔导电，以及处理装置支承半导体晶片，以便在导电过孔和传导半导体层之间建立电连接。
具有直通芯片连接前端处理晶片

[发明专利]超薄堆叠的芯片封装-CN200880012983.3有效
发明人：约翰·特雷扎 -专利权人： 丘费尔资产股份有限公司
申请日： 2008-06-20 - 公布日： 2010-03-03 - 主分类号： H01L21/98 文献下载
摘要：一种封装方法包含将第一芯片(1002)附接至稳定的基底(600)，在稳定的基底上的多个位置形成触点焊盘(902)，在稳定的基底上施加平坦化介质(1102)以便它使得第一芯片的侧面电绝缘，在介质上形成电通路(1302，1304)，将第二芯片(1402)附接至第一芯片以形成组件，以及将稳定的基底移除。一种封装具有至少两个彼此电连接的芯片，至少一个触点焊盘，从触点焊盘向芯片的至少一个上的触点延伸的导电通路，平坦化介质和平坦化介质上的涂层材料(1502)。
超薄堆叠芯片封装

[发明专利]导电通孔的形成-CN200880012984.8无效
发明人：约翰·特雷扎 -专利权人： 丘费尔资产股份有限公司
申请日： 2008-06-19 - 公布日： 2010-03-03 - 主分类号： C23C18/16 文献下载
摘要：一种方法涉及使用沉积技术将第一导电材料沉积到在材料中形成的通孔中，该通孔在该材料的表面处具有比大约10μm小的直径和比大约50μm大的深度，以在通孔内形成籽晶层，然后通过用第二导电材料电镀敷该籽晶层而无需在形成该通孔和产生该增厚层之间在该通孔内执行任何活化处理，在该籽晶层的顶部产生增厚层，并且然后将导电金属电镀到该增厚层上直到在该通孔内被该增厚层所限定的体积被盖导电金属填充。
导电形成

[发明专利]可循环热连接-CN200880011004.2有效
发明人：约翰·特雷扎 -专利权人： 丘费尔资产股份有限公司
申请日： 2008-06-05 - 公布日： 2010-02-17 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：一种建立电连接的方法，包括：在两个不同的芯片(802，804)中的每一个上设置触点对(808，810)中的一个触点，所述触点对限定它们之间的体积，所述体积容纳至少两个各自具有熔点的成分，所述成分已被选择使得加热到第一温度将在所述至少两个成分中的至少一个成分中引起改变，所述改变将产生新成分，该新成分具有第二温度的新成分熔点，所述新成分熔点高于所述第一温度和所述至少两个成分中的至少第一个成分的熔点；以及将所述触点对和所述至少两个成分加热到所述第一温度。该方法在芯片堆叠的制造中是很有用的，在堆叠的制造中保持焊料的层次是很重要的，该方法允许用于接合芯片触点的相同的成分被用在每个芯片与芯片的交界面处。
循环连接

[发明专利]柱籽晶沉积处理-CN200880004533.X有效
发明人：约翰·卡拉汉;约翰·特雷扎 -专利权人： 丘费尔资产股份有限公司
申请日： 2008-02-14 - 公布日： 2010-01-20 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种方法，涉及图形刻蚀位于晶片上的光刻胶以暴露籽晶层的部分，该晶片包括被沉积的籽晶层，镀敷晶片使得镀敷金属仅在被暴露的籽晶层上累积，直到镀敷金属已达到在籽晶层以上上升的高度至少等于籽晶层的厚度，去除固体光刻胶，并且去除通过去除固体光刻胶和被镀敷的金属而被暴露的籽晶层，直到全部被暴露的籽晶层都已被去除。
籽晶沉积处理

[发明专利]弯曲的晶片混合补偿-CN200880005011.1有效
发明人：约翰·特雷扎 -专利权人： 丘费尔资产股份有限公司
申请日： 2008-02-14 - 公布日： 2010-01-20 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：一种在非平面的晶片上运用的平面化方法，包括：形成穿过能被去除的材料延伸的导电的柱，每个柱具有的长度使得每个柱的顶部位于限定晶片的最大偏差点的平面之上，同时使材料和柱变平滑，以形成实质上平面的表面；以及去除材料。一种设备，包括：在其上具有触点的非平面的晶片，晶片具有偏离平面的偏差，偏差量大于晶片上的至少一个触点的高度，以及远离晶片的表面延伸的一组导电的柱，每个柱都具有末端，所述柱的所述末端共同限定实质上平坦的平面。
弯曲晶片混合补偿

[发明专利]晶片通孔形成-CN200780037549.6有效
发明人：约翰·特雷扎 -专利权人： 丘费尔资产股份有限公司
申请日： 2007-10-15 - 公布日： 2009-10-07 - 主分类号： H01L21/30 文献下载
摘要：在完全处理的晶片中的导电通孔形成的方法包括：在所述完全处理的晶片的后侧上限定至少一个沟道区域，在所述沟道区域之内形成至少一个沟道到总深度，其将允许在所述沟道之内形成的通孔遍及它的整体长度被引晶，在进入所述完全处理的晶片之内的沟道之内形成所述通孔到预定深度，沉积籽晶层遍及所述通孔的整体长度，以及电镀所述籽晶层以用导电金属填充所述通孔。
晶片形成

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