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[发明专利]晶片的加工方法-CN201910593706.6有效
发明人：原田成规;松泽稔;木内逸人;淀良彰;荒川太朗;上里昌充;河村慧美子;藤井祐介;宫井俊辉;大前卷子 -专利权人：株式会社迪思科
申请日： 2019-07-03 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：提供晶片的加工方法，在不降低品质的情况下形成器件芯片。该晶片的加工方法将在由分割预定线划分的正面的各区域内形成有多个器件的晶片分割成各个器件芯片，其中，该晶片的加工方法具有如下的工序：聚酯系片配设工序，将晶片定位于具有对晶片进行收纳的开口的框架的该开口内，将聚酯系片配设在晶片的背面和框架的外周上；一体化工序，对该聚酯系片进行加热，通过热压接使晶片和该框架借助该聚酯系片而一体化；分割工序，使用具有切削刀具并且该切削刀具能够旋转的切削装置，沿着分割预定线对该晶片进行切削而将该晶片分割成各个器件芯片；以及拾取工序，对该聚酯系片进行加热，将器件芯片上推，拾取该器件芯片。
晶片加工方法

[发明专利]晶片的加工方法-CN201710820996.4有效
发明人： 上里昌充;万德公丈 -专利权人：株式会社迪思科
申请日： 2017-09-13 - 公布日： 2023-04-14 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：提供晶片的加工方法，抑制缺陷或多余的裂纹的产生并将晶片分割成芯片。一种晶片的加工方法，晶片具有正面，在该正面上，在由交叉的多条间隔道划分的各区域内分别形成有器件，该方法具有如下步骤：正面保护部件粘贴步骤，在晶片的该正面上粘贴具有高刚性基材的正面保护部件；改质层形成步骤，在实施了该正面保护部件粘贴步骤之后，沿着该间隔道从晶片的背面侧照射对于晶片具有透过性的波长的激光束而在晶片的内部形成改质层；以及磨削步骤，在实施了该改质层形成步骤之后，从该背面侧对晶片进行磨削而薄化，在该改质层形成步骤或磨削步骤中，形成从该改质层到该晶片的正面的裂纹，在该磨削步骤中，以该裂纹为边界对晶片进行分割而形成各个芯片。
晶片加工方法

[发明专利]基板的分割方法-CN202210904459.9在审
发明人： 上里昌充;李宰荣;三谷修三;北野孝之 -专利权人：株式会社迪思科
申请日： 2022-07-29 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： H01L21/78 文献下载
摘要：本发明提供基板的分割方法，能够通过扩展带的扩展而可靠地分割基板。在基板的分割方法中，准备沿着分割预定线形成有分割起点且在一个面上粘贴有保护片的基板，使辊在基板的另一个面上滚动而粘贴扩展带。接着，解除保持工作台的吸引，在使微小的间隙形成于保持工作台的保持面与保护片之间的状态下使辊与扩展带接触而滚动，一边以分割起点为起点而隔着保护片使基板向间隙下沉，一边使从分割起点延伸的裂纹伸长，将扩展带进行扩展，以分割起点为起点而将芯片间隔扩大。
分割方法

[发明专利]晶片的加工方法-CN201710821076.4有效
发明人： 上里昌充;裵泰羽 -专利权人：株式会社迪思科
申请日： 2017-09-13 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：提供晶片的加工方法，抑制缺陷或裂纹的产生并将晶片分割成芯片。该晶片具有正面，在该正面上，在由交叉的多条间隔道划分的各区域内分别形成有器件，该方法具有如下步骤：正面保护带粘贴步骤，在晶片的正面上粘贴正面保护带；改质层形成步骤，在实施了正面保护带粘贴步骤之后，沿着间隔道从晶片背面侧照射对于晶片具有透过性的波长的激光束而在晶片的内部形成改质层；以及磨削步骤，在实施了改质层形成步骤之后，从背面侧对晶片进行磨削而薄化，在正面保护带粘贴步骤中，一边对正面保护带进行加热一边进行粘贴，在改质层形成步骤或磨削步骤中，形成从改质层到晶片的正面的裂纹，在磨削步骤中，以裂纹为边界对晶片进行分割而形成各个芯片。
晶片加工方法

[发明专利]晶片的加工方法-CN201711103076.7有效
发明人：中村胜;上里昌充 -专利权人：株式会社迪思科
申请日： 2017-11-10 - 公布日： 2021-09-14 - 主分类号： H01L21/78 文献下载
摘要：提供晶片的加工方法，在组合了激光加工方法和磨削方法合而成的晶片的加工方法中，按照使芯片角在磨削时不产生亏缺的方式分割晶片。一种晶片(W)的加工方法，该晶片(W)具有正面(Wa)，在该正面上的由多条间隔道划分的各区域内分别形成有器件(D)，该晶片(W)的加工方法包含如下的步骤：在晶片正面(Wa)上粘贴正面保护带(T)；在实施了正面保护带粘贴步骤之后对正面保护带(T)和晶片(W)进行加热；在实施了加热步骤之后，沿着间隔道向晶片背面(Wb)照射对于晶片(W)具有透过性的波长的激光束而在晶片(W)的内部形成改质层；以及在实施了改质层形成步骤之后，对晶片背面(Wb)进行磨削而将晶片(W)薄化至规定的厚度并且以改质层为起点将晶片(W)分割成各个芯片(C)的磨削步骤。
晶片加工方法

[发明专利]晶片的加工方法-CN202011214260.0在审
发明人：原田成规;松泽稔;木内逸人;淀良彰;荒川太朗;上里昌充;河村慧美子;藤井祐介;宫井俊辉;大前卷子 -专利权人：株式会社迪思科
申请日： 2020-11-04 - 公布日： 2021-05-25 - 主分类号： H01L21/78 文献下载
摘要：本发明提供晶片的加工方法，不降低品质而形成器件芯片。该晶片的加工方法将在由分割预定线划分的正面的各区域内形成有多个器件的晶片分割成各个器件芯片，其中，该晶片的加工方法具有如下的工序：聚酯系片配设工序，将晶片定位于具有对晶片进行收纳的开口的框架的该开口内，将聚酯系片配设在晶片的背面或正面上以及框架的外周上；一体化工序，对该聚酯系片进行加热，通过热压接使晶片与该框架借助该聚酯系片而一体化；分割工序，沿着该分割预定线对该晶片照射对于该晶片具有透过性的波长的激光束，在该晶片中形成盾构隧道，将该晶片分割成各个器件芯片；以及拾取工序，对该聚酯系片赋予超声波，将器件芯片顶起，拾取该器件芯片。
晶片加工方法

[发明专利]晶片的加工方法-CN202011214261.5在审
发明人：原田成规;松泽稔;木内逸人;淀良彰;荒川太朗;上里昌充;河村慧美子;藤井祐介;宫井俊辉;大前卷子 -专利权人：株式会社迪思科
申请日： 2020-11-04 - 公布日： 2021-05-25 - 主分类号： H01L21/78 文献下载
摘要：本发明提供晶片的加工方法，不降低品质而形成器件芯片。该晶片的加工方法将在由分割预定线划分的正面的各区域内形成有多个器件的晶片分割成各个器件芯片，其中，该晶片的加工方法具有如下的工序：聚烯烃系片配设工序，将晶片定位于具有对晶片进行收纳的开口的框架的该开口内，将聚烯烃系片配设在晶片的背面或正面上以及框架的外周上；一体化工序，对该聚烯烃系片进行加热，通过热压接使晶片与该框架借助该聚烯烃系片而一体化；分割工序，沿着该分割预定线对该晶片照射对于该晶片具有透过性的波长的激光束，在该晶片中形成盾构隧道，将该晶片分割成各个器件芯片；以及拾取工序，对该聚烯烃系片赋予超声波，将器件芯片顶起，拾取该器件芯片。
晶片加工方法

[发明专利]晶片的加工方法-CN202011013365.X在审
发明人：原田成规;松泽稔;木内逸人;淀良彰;荒川太朗;上里昌充;河村慧美子;藤井祐介;宫井俊辉;大前卷子 -专利权人：株式会社迪思科
申请日： 2020-09-24 - 公布日： 2021-04-20 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：本发明提供晶片的加工方法，不降低品质而形成器件芯片。该晶片的加工方法将在由分割预定线划分的正面的各区域内形成有多个器件的晶片分割成各个器件芯片，其中，该晶片的加工方法具有如下的工序：聚酯系片配设工序，将晶片定位于具有对晶片进行收纳的开口的框架的该开口内，将聚酯系片配设在晶片的背面或正面上以及框架的外周上；一体化工序，对该聚酯系片进行加热，通过热压接使晶片与该框架借助该聚酯系片而一体化；分割工序，沿着该分割预定线对该晶片照射对于该晶片具有透过性的波长的激光束，在该晶片中形成盾构隧道，将该晶片分割成各个器件芯片；以及拾取工序，对该聚酯系片进行冷却，将器件芯片顶起，拾取该器件芯片。
晶片加工方法

[发明专利]晶片的加工方法-CN202011015035.4在审
发明人：原田成规;松泽稔;木内逸人;淀良彰;荒川太朗;上里昌充;河村慧美子;藤井祐介;宫井俊辉;大前卷子 -专利权人：株式会社迪思科
申请日： 2020-09-24 - 公布日： 2021-04-20 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：本发明提供晶片的加工方法，不降低品质而形成器件芯片。该晶片的加工方法将在由分割预定线划分的正面的各区域内形成有多个器件的晶片分割成各个器件芯片，其中，该晶片的加工方法具有如下的工序：聚烯烃系片配设工序，将晶片定位于具有对晶片进行收纳的开口的框架的该开口内，将聚烯烃系片配设在晶片的背面或正面上以及框架的外周上；一体化工序，对该聚烯烃系片进行加热，通过热压接使晶片与该框架借助该聚烯烃系片而一体化；分割工序，沿着该分割预定线对该晶片照射对于该晶片具有透过性的波长的激光束，在该晶片中形成盾构隧道，将该晶片分割成各个器件芯片；以及拾取工序，对该聚烯烃系片进行冷却，将器件芯片顶起，拾取该器件芯片。
晶片加工方法

[发明专利]晶片的加工方法-CN202010994196.6在审
发明人：原田成规;松泽稔;木内逸人;淀良彰;荒川太朗;上里昌充;河村慧美子;藤井祐介;宫井俊辉;大前卷子 -专利权人：株式会社迪思科
申请日： 2020-09-21 - 公布日： 2021-04-13 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：本发明提供晶片的加工方法，不降低品质而形成器件芯片。该晶片的加工方法将在由分割预定线划分的正面的各区域内形成有多个器件的晶片分割成各个器件芯片，其中，该晶片的加工方法具有如下的工序：聚酯系片配设工序，将晶片定位于具有对晶片进行收纳的开口的框架的该开口内，将聚酯系片配设在晶片的背面或正面上以及框架的外周上；一体化工序，对该聚酯系片进行加热，通过热压接使晶片与该框架借助该聚酯系片而一体化；分割工序，沿着该分割预定线对该晶片照射对于该晶片具有透过性的波长的激光束，在该晶片中形成盾构隧道，将该晶片分割成各个器件芯片；以及拾取工序，对该聚酯系片进行加热，将器件芯片顶起，拾取该器件芯片。
晶片加工方法

[发明专利]晶片的加工方法-CN202010994199.X在审
发明人：原田成规;松泽稔;木内逸人;淀良彰;荒川太朗;上里昌充;河村慧美子;藤井祐介;宫井俊辉;大前卷子 -专利权人：株式会社迪思科
申请日： 2020-09-21 - 公布日： 2021-04-13 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：本发明提供晶片的加工方法，不降低品质而形成器件芯片。该晶片的加工方法将在由分割预定线划分的正面的各区域内形成有多个器件的晶片分割成各个器件芯片，其中，该晶片的加工方法具有如下的工序：聚烯烃系片配设工序，将晶片定位于具有对晶片进行收纳的开口的框架的该开口内，将聚烯烃系片配设在晶片的背面或正面上以及框架的外周上；一体化工序，对该聚烯烃系片进行加热，通过热压接使晶片与该框架借助该聚烯烃系片而一体化；分割工序，沿着该分割预定线对该晶片照射对于该晶片具有透过性的波长的激光束，在该晶片中形成盾构隧道，将该晶片分割成各个器件芯片；以及拾取工序，对该聚烯烃系片进行加热，将器件芯片顶起，拾取该器件芯片。
晶片加工方法

[发明专利]晶片的加工方法-CN202010932696.7在审
发明人：原田成规;松泽稔;木内逸人;淀良彰;荒川太朗;上里昌充;河村慧美子;藤井祐介;宫井俊辉;大前卷子 -专利权人：株式会社迪思科
申请日： 2020-09-08 - 公布日： 2021-03-12 - 主分类号： H01L21/78 文献下载
摘要：本发明提供晶片的加工方法，不降低品质而形成器件芯片。该晶片的加工方法将在由分割预定线划分的正面的各区域内形成有多个器件的晶片分割成各个器件芯片，其中，该晶片的加工方法具有如下的工序：聚烯烃系片配设工序，将晶片定位于具有对晶片进行收纳的开口的框架的该开口内，将聚烯烃系片配设在晶片的背面或正面上以及框架的外周上；一体化工序，对该聚烯烃系片进行加热，通过热压接使晶片与该框架借助该聚烯烃系片而一体化；分割工序，沿着该分割预定线对该晶片照射对于该晶片具有透过性的波长的激光束，在该晶片中形成盾构隧道，将该晶片分割成各个器件芯片；以及拾取工序，吹送空气而将器件芯片顶起，从该聚烯烃系片拾取各个该器件芯片。
晶片加工方法

[发明专利]晶片的加工方法-CN202010933662.X在审
发明人：原田成规;松泽稔;木内逸人;淀良彰;荒川太朗;上里昌充;河村慧美子;藤井祐介;宫井俊辉;大前卷子 -专利权人：株式会社迪思科
申请日： 2020-09-08 - 公布日： 2021-03-12 - 主分类号： H01L21/78 文献下载
摘要：本发明提供晶片的加工方法，不降低品质而形成器件芯片。该晶片的加工方法将在由分割预定线划分的正面的各区域内形成有多个器件的晶片分割成各个器件芯片，其中，该晶片的加工方法具有如下的工序：聚酯系片配设工序，将晶片定位于具有对晶片进行收纳的开口的框架的该开口内，将聚酯系片配设在晶片的背面或正面上以及框架的外周上；一体化工序，对该聚酯系片进行加热，通过热压接使晶片与该框架借助该聚酯系片而一体化；分割工序，沿着该分割预定线对该晶片照射对于该晶片具有透过性的波长的激光束，在该晶片中形成盾构隧道，将该晶片分割成各个器件芯片；以及拾取工序，吹送空气而将器件芯片顶起，从该聚酯系片拾取各个该器件芯片。
晶片加工方法

[发明专利]晶片的加工方法-CN202010766118.0在审
发明人：原田成规;松泽稔;木内逸人;淀良彰;荒川太朗;上里昌充;河村慧美子;藤井祐介;宫井俊辉;大前卷子 -专利权人：株式会社迪思科
申请日： 2020-08-03 - 公布日： 2021-03-02 - 主分类号： H01L21/78 文献下载
摘要：提供晶片的加工方法，不降低品质而形成器件芯片。该晶片的加工方法将在由分割预定线划分的正面的各区域内形成有多个器件的晶片分割成各个器件芯片，其中，该晶片的加工方法具有如下的工序：聚酯系片配设工序，将晶片定位于具有对晶片进行收纳的开口的框架的该开口内，将聚酯系片配设在晶片的背面或正面上以及框架的外周上；一体化工序，对该聚酯系片进行加热，通过热压接使晶片与该框架借助该聚酯系片而一体化；分割工序，沿着该分割预定线对该晶片照射对于该晶片具有透过性的波长的激光束，在该晶片中形成盾构隧道，将该晶片分割成各个器件芯片；以及拾取工序，从该聚酯系片拾取各个该器件芯片。
晶片加工方法

[发明专利]晶片的加工方法-CN202010766592.3在审
发明人：原田成规;松泽稔;木内逸人;淀良彰;荒川太朗;上里昌充;河村慧美子;藤井祐介;宫井俊辉;大前卷子 -专利权人：株式会社迪思科
申请日： 2020-08-03 - 公布日： 2021-03-02 - 主分类号： H01L21/78 文献下载
摘要：提供晶片的加工方法，不降低品质而形成器件芯片。该晶片的加工方法将在由分割预定线划分的正面的各区域内形成有多个器件的晶片分割成各个器件芯片，其中，该晶片的加工方法具有如下的工序：聚烯烃系片配设工序，将晶片定位于具有对晶片进行收纳的开口的框架的该开口内，将聚烯烃系片配设在晶片的背面或正面上以及框架的外周上；一体化工序，对该聚烯烃系片进行加热，通过热压接使晶片与该框架借助该聚烯烃系片而一体化；分割工序，沿着该分割预定线对该晶片照射对于该晶片具有透过性的波长的激光束，在该晶片中形成盾构隧道，将该晶片分割成各个器件芯片；以及拾取工序，从该聚烯烃系片拾取各个该器件芯片。
晶片加工方法

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