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[发明专利]通过离子注入晶片检测外延炉台温场温度的方法及校正外延炉台温场方法-CN201310513112.2有效
发明人：王浩;邹崇生 -专利权人： 上海晶盟硅材料有限公司
申请日： 2013-10-25 - 公布日： 2017-01-04 - 主分类号： G05D23/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种通过离子注入晶片检测外延炉台温场温度的方法，其特征在于，包括步骤，A、提供一离子注入晶片；B、将离子注入晶片升高至指定温度T1，然后降温至常温；C、检测离子注入晶片多个点的电阻率ρ；D、根据电阻率与温度的换算关系确定外延炉台多个点的温度值。本发明可以直接表征实际长晶时基板片上每一点的温度，当出现均匀性差时可根据点的位置重新改善炉台内温场的分布，避免了大量的温度感应测量装置需要被设置在炉台内的问题，节约了机台内部的空间。
通过离子注入晶片检测外延炉台温度方法校正

[实用新型]外延生产用取片器-CN201520558794.3有效
发明人：楼琦江 -专利权人： 上海晶盟硅材料有限公司
申请日： 2015-07-29 - 公布日： 2016-01-13 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种外延生产用取片器，其特征在于，包括吸盘；所述吸盘设有第一抽真空孔；所述第一抽真空孔在所述吸盘的一个面设有第一开口；所述第一抽真空孔内抽真空，可使硅片吸附于所述吸盘上设有所述第一开口的面；还包括支撑臂；所述吸盘可移动地设置在所述支撑臂上；所述吸盘移动，可使所述吸盘上设有所述第一开口的面与硅片的表面贴合。本实用新型的外延生产用取片器，包括支撑臂和吸盘。吸盘可移动地设置在支撑臂上，且吸盘移动可使吸盘上用于吸附硅片的面与水平面的夹角改变，即本实用新型的外延生产用取片器可根据待拿取硅片的表面倾斜角度调整吸盘上用于吸附硅片的面的倾斜角度，使吸盘用于吸附硅片的面与硅片的表面贴合，避免硅片被撞伤甚至报废。采用本实用新型的外延生产用取片器拿取硅片，可将硅片的良品率提高至85％以上。
外延生产用取片器

[实用新型]外延片清洗机-CN201520204927.7有效
发明人：吴勇 -专利权人： 上海晶盟硅材料有限公司
申请日： 2015-04-03 - 公布日： 2015-08-26 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种外延片清洗机，包括驱动装置和清洗盒，所述的清洗盒内设有支撑架，所述的支撑架能够在清洗盒内上升和下降，所述的驱动装置驱动支撑架上升和下降，所述的支撑架上端设有若干支撑柱，所述的支撑柱上端面用于支撑外延片，所述的支撑柱上端面为圆弧面，使液体无法停留在支撑柱上端面。本实用新型支撑架在清洗盒内上升和下降，支撑硅片在清洗盒内清洗；支撑柱端面为圆弧面，清洗结束后清洗液无法停留在支撑柱上端面，不会使硅片发生腐蚀。
外延清洗

[实用新型]外延片取片器-CN201520201121.2有效
发明人：楼琦江 -专利权人： 上海晶盟硅材料有限公司
申请日： 2015-04-03 - 公布日： 2015-08-26 - 主分类号： C30B25/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种外延片取片器，包括吸盘，所述的吸盘上具有容腔，所述的容腔具有开口，所述的容腔内开设有至少一个第一气孔，所述吸盘拿取外延片时容腔开口边缘贴靠在外延片上，且外延片密封容腔，所述的容腔开口边缘尺寸大于外延片且均覆盖外延片。本实用新型吸盘边缘均覆盖外延片且尺寸大于外延片，拿取时覆盖外延片四周，边缘较硬的部分不会接触外延片，保证了外延片不会受伤害。
外延片取片器

[实用新型]外延片生产设备-CN201520207987.4有效
发明人：张健 -专利权人： 上海晶盟硅材料有限公司
申请日： 2015-04-08 - 公布日： 2015-08-26 - 主分类号： C30B25/10 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种外延片生产设备，包括反应腔室以及加热装置，所述的反应腔室具有进气口和出气口，所述的反应腔室内设有托盘，所述的反应腔室内还安装有吸热装置，所述的吸热装置位于托盘与出气口之间，所述的加热装置用于加热反应腔室。本实用新型延长了反应腔室的使用寿命，节约了蚀刻原料，为生产节约了成本，同时还提升了外延片的优良率，提高了生产效率。
外延生产设备

[发明专利]外延片生产设备-CN201510162054.2在审
发明人：张健 -专利权人： 上海晶盟硅材料有限公司
申请日： 2015-04-08 - 公布日： 2015-08-05 - 主分类号： C30B25/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种外延片生产设备，包括反应腔室以及加热装置，所述的反应腔室具有进气口和出气口，所述的反应腔室内设有托盘，所述的反应腔室内还安装有吸热装置，所述的吸热装置位于托盘与出气口之间，所述的加热装置用于加热反应腔室。本发明延长了反应腔室的使用寿命，节约了蚀刻原料，为生产节约了成本，同时还提升了外延片的优良率，提高了生产效率。
外延生产设备

[实用新型]双极栅低电压功率器件用外延片-CN201420047837.7有效
发明人：邹崇生 -专利权人： 上海晶盟硅材料有限公司
申请日： 2014-01-24 - 公布日： 2014-07-30 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本实用新型提供一种双极栅低电压功率器件用外延片，所述双极栅低电压功率器件用外延片的材质为硅，所述双极栅低电压功率器件用外延片为层状结构，自下至上依次为基板、第一外延层和第二外延层。该双极栅低电压功率器件用外延片成功的克服了基板的自掺杂效应导致外延层的电阻率均匀性变差以及基板-外延过渡区变宽的缺陷，实现了外延层和衬底的低能耗。
双极栅低电压功率器件外延

[实用新型]外延片生产用氮气干燥箱-CN201420047835.8有效
发明人：邹崇生;金秋联;顾广安 -专利权人： 上海晶盟硅材料有限公司
申请日： 2014-01-24 - 公布日： 2014-07-30 - 主分类号： F26B9/06 文献下载
摘要：本实用新型提供一种外延片生产用氮气干燥箱，包括带有盖的箱体，所述箱体为中空结构，所述箱体侧壁上设有一个与气源相连接的进气口，所述箱体侧壁上还设有一个与排气装置相连接的排气口。该外延片生产用氮气干燥箱及时将干燥箱内多余的的气体回收，避免氮气直接进入空气中，造成工作环境缺氧发生危险，并且在排出多余气体的同时带动了空气流动，提高了干燥效率。
外延生产氮气干燥箱

[实用新型]一种外延炉尾气处理器-CN201420047833.9有效
发明人：谢芳吉 -专利权人： 上海晶盟硅材料有限公司
申请日： 2014-01-24 - 公布日： 2014-07-30 - 主分类号： F27D17/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种外延炉尾气处理器，其特征在于，包括封闭容腔和排气管；所述排气管包括第一排气管和第二排气管；所述容腔与所述第一排气管的进气口连通；所述第一排气管的出气口与所述第二排气管的进气口连通；所述第一排气管与所述第二排气管之间的夹角α大于0度且小于180度；所述容腔内的气体通过所述第一排气管和所述第二排气管排出。本实用新型提供的外延炉尾气处理器，较传统的外延炉尾气处理器，排气结构简单、无需额外的排气盖即可防止雨水入侵。
一种外延尾气处理器

[发明专利]电阻率梯度分布的外延片及其生产方法-CN201210311196.7在审
发明人：姚桢;钟旻远;林志鑫 -专利权人： 上海晶盟硅材料有限公司
申请日： 2012-08-28 - 公布日： 2014-03-12 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：发明公开了一种电阻率梯度分布的外延片，包括外延层，其特征在于，所述外延层电阻率梯度分布。本发明中的电阻率梯度分布的外延片，沿厚度方向的电流受梯度电阻的影响而梯度分布的电阻会沿着电流方向慢慢增大，能有效防止崩溃。其能更好地承受反向偏压的冲击，在大功率器件上能够更好地体现这种优点。相对于电阻率不变的外延层，本发明中的外延片可将崩溃电压提高50V以上。
电阻率梯度分布外延及其生产方法

[实用新型]高压功率器件用极厚外延片-CN201320347279.1有效
发明人：王浩;邹崇生 -专利权人： 上海晶盟硅材料有限公司
申请日： 2013-06-17 - 公布日： 2014-01-01 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种高压功率器件用极厚外延片，包括衬底和外延层，其特征在于，所述衬底为6寸以上，所述外延层厚度为100μm以上。本实用新型可以有效的解决在大量的工业连续生产过程中大尺寸极厚外延在外延后晶片碎裂、边缘压痕、长晶大缺陷、厚度均匀性和电阻率均匀性差的问题，以满足器件设计后道对外延片边缘和晶片表面的需求，并且，本实用新型所涉及的极厚外延片可以被广泛应用于高压功率器件，所承受的电压可以高达1900V，目前，在国内，此极厚外延及所承受的高电压属于零的突破。按照本实用新型中的制造方法生产的用于高压功率器件的极厚外延片，厚度非均匀性可降低至2.03%。电阻率非均匀性可降低至4.24%。
高压功率器件用极厚外延

[发明专利]用于校正汞探针电阻率量测仪的标准片及校正汞探针电阻率量测仪的方法-CN201310239592.8有效
发明人：王浩;邹崇生 -专利权人： 上海晶盟硅材料有限公司
申请日： 2013-06-17 - 公布日： 2013-11-27 - 主分类号： G01R35/00 文献下载
摘要：用于校正汞探针电阻率量测仪的标准片及校正汞探针电阻率量测仪的方法。本发明公开了一种用于校正汞探针电阻率量测仪的标准片，利用经过校准的四探针电阻率量测仪测量N/P结构外延片；利用汞探针电阻率量测仪测量N/N结构外延片，并根据统计数据建立线性对应关系，实现利用四探针电阻率量测仪的测量值作为标准表征汞探针电阻率量测仪的测量值。本发明提供了用于校正汞探针电阻率量测仪的标准片，该标准片电阻率值可以与国际标准值接轨，寿命长、且可重复生长，成本低、可长时间使用。
用于校正探针电阻率量测仪标准方法

[发明专利]高压功率器件用极厚外延片及其制造方法-CN201310240216.0有效
发明人：王浩;邹崇生 -专利权人： 上海晶盟硅材料有限公司
申请日： 2013-06-17 - 公布日： 2013-10-16 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种高压功率器件用极厚外延片，包括衬底和外延层，其特征在于，所述衬底为6寸以上，所述外延层厚度为100μm以上。本发明可以有效的解决在大量的工业连续生产过程中大尺寸极厚外延在外延后晶片碎裂、边缘压痕、长晶大缺陷、厚度均匀性和电阻率均匀性差的问题，以满足器件设计后道对外延片边缘和晶片表面的需求，并且，本发明所涉及的极厚外延片可以被广泛应用于高压功率器件，所承受的电压可以高达1900V，目前，在国内，此极厚外延及所承受的高电压属于零的突破。按照本发明中的制造方法生产的用于高压功率器件的极厚外延片，厚度非均匀性可降低至2.03%。电阻率非均匀性可降低至4.24%。
高压功率器件用极厚外延及其制造方法

[实用新型]电阻率梯度分布的外延片-CN201220432530.X有效
发明人：姚桢;钟旻远;林志鑫 -专利权人： 上海晶盟硅材料有限公司
申请日： 2012-08-28 - 公布日： 2013-03-27 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种电阻率梯度分布的外延片，包括外延层，其特征在于，所述外延层电阻率梯度分布。本实用新型中的电阻率梯度分布的外延片，沿厚度方向的电流受梯度电阻的影响而梯度分布的电阻会沿着电流方向慢慢增大，能有效防止崩溃。其能更好地承受反向偏压的冲击，在大功率器件上能够更好地体现这种优点。相对于电阻率不变的外延层，本实用新型中的外延片可将崩溃电压提高50V以上。
电阻率梯度分布外延

[实用新型]外延片及超结功率器件-CN201220432539.0有效
发明人：林志鑫;钟旻远;姚桢 -专利权人： 上海晶盟硅材料有限公司
申请日： 2012-08-28 - 公布日： 2013-03-27 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种外延片，其特征在于，包括衬底和电阻率呈同心圆状分布的第一外延层。本实用新型中的外延片，电阻率呈同心圆状分布。在沟槽蚀刻并填充外延材料后，电荷分布均匀，不会产生电性失效的问题。使用本实用新型中的外延片，可以提高超结功率器件的崩溃电压。采用本实用新型中的外延片，可将超结功率器件的崩溃电压提高50伏特以上。采用非同心圆状分布的外延片生产的超结功率器件的崩溃电压为580伏特；采用本实用新型中的外延片生产的超结功率器件崩溃电压可增加到630伏特。
外延功率器件