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[实用新型]晶圆的清洗装置-CN202321370293.3有效
发明人：吴勇;吴平;顾广安 -专利权人： 上海晶盟硅材料有限公司
申请日： 2023-05-31 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本实用新型涉及晶圆的清洗装置，包括供酸装置、无尘室、中转装置和的晶圆清洗机台，其中，所述的中转装置和晶圆清洗机台设置于无尘室中，供酸装置设置于无尘室外，所述的中转装置包括中转容器，所述的供酸装置、中转容器和晶圆清洗机台依次通过管道连接，所述的管道上设置有阀门，所述的中转装置还包括负压腔体，所述的中转容器和阀门均位于所述的负压腔体内，负压腔体与负压管道连通，负压管道的出口设置于无尘室外，所述的负压管道上设置有抽气装置，所述的抽气装置向负压腔体抽气以在负压腔体内形成负压。本实用新型能够有效的防止酸液外泄，从而降低晶圆生产的废品率。
清洗装置

[实用新型]一种减少液体滴落的晶片夹取装置-CN202320765867.0有效
发明人：王康锋;张晓艳;吴勇;顾广安 -专利权人： 上海晶盟硅材料有限公司
申请日： 2023-04-10 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H01L21/687 文献下载
摘要：本实用新型涉及晶片加工技术领域，具体地说是一种减少液体滴落的晶片夹取装置。一种减少液体滴落的晶片夹取装置，包括片盒，所述的片盒中部设有供承载台穿过的通孔，承载台下端连接升降机构，承载台上侧设有夹爪，位于片盒上部的左右两端分布设有自动门，自动门内侧设有密封条。同现有技术相比，当晶片被顶起时，自动门关闭，使机械手臂上的水滴不会落入在下方的片盒上，使此片盒可继续循环使用，提高了生产效率，降低了操作复杂性。
一种减少液体滴落晶片装置

[实用新型]晶片取片器-CN202321229063.5有效
发明人：何航;张文;顾广安 -专利权人： 上海晶盟硅材料有限公司
申请日： 2023-05-19 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： H01L21/687 文献下载
摘要：本实用新型属于晶片生产用辅助结构技术领域，具体的说是晶片取片器，包括组接件，所述组接件对称连接有两个支架，每个所述支架分别连接有一个取片器，每个所述取片器均为向外倾斜状设置，两个所述取片器之间夹持有晶片；通过组接件将两个支架稳固连接，两个支架分别对其所连接的取片器进行平稳支撑，均为向外倾斜状设置的两个取片器对晶片进行稳定夹持，晶片传送到反应腔时，晶片会一瞬间会从取片器上放下，有效解决没有改装取片器的角度时容易导致晶片卡在取片器上，带出晶片后出现碎片现象，碎片问题大大降低。
晶片取片器

[实用新型]一种应用于工厂氢气装置的降温冷却结构-CN202320809811.0有效
发明人：吴平;薛文斌 -专利权人： 上海晶盟硅材料有限公司
申请日： 2023-04-12 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： F28D9/00 文献下载
摘要：本实用新型提供一种应用于工厂氢气装置的降温冷却结构，包括氢气装置主体，控制器，出口接管，水冷板式散热板组件，移动式风力散热架组件，入口接管，第一回流管，第二回流管，循环泵，第一温度计和第二温度计，所述的控制器螺钉连接在氢气装置主体的前部右下侧。本实用新型氢气装置主体的冷却方式上，增加一个水冷板式散热板组件，将传统的风扇换热改为冷冻水换热，由于冷冻水温度和流量不会受到环境温度对换热效果的影响，因而工厂的产能和效率夏天不会下降；保留目前散热扇的设计，一旦新增加水冷板式散热板组件有异常，可以通过控制器随时切换到散热扇运行，该实用新型温度控制稳定，效率提升；无噪音产生；降低能耗。
一种应用于工厂氢气装置降温冷却结构

[实用新型]碎片持取器-CN202320549362.0有效
发明人：章瑜;高璇;顾广安 -专利权人： 上海晶盟硅材料有限公司
申请日： 2023-03-21 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： B65D25/02 文献下载
摘要：本实用新型涉及持取器技术领域，具体为碎片持取器，包括底仓，所述底仓的上表面固定连接有盖板，所述盖板的上表面均匀开设有若干个抽孔，所述底仓的圆弧面开设有侧孔，所述底仓的圆弧面固定连接有转动架，所述转动架的表面转动连接有挡板，所述底仓的圆弧面固定连接有螺杆，所述螺杆的圆弧面螺纹连接有挤压块，所述挤压块的圆弧面与挡板滑动连接，所述挤压块的一侧固定连接有转杆，所述转杆的截面呈“U”形，所述挡板的一侧固定连接有密封垫，所述密封垫的一侧底仓相抵接，所述密封垫位于侧孔一侧。本实用新型，解决了持取器一般是以中间开大孔的方式进行吸片，只能持取完整的晶片，晶片破裂后持取器吸力就会破真空无法吸起破碎的晶片的问题。
碎片持取器

[实用新型]一种外延炉压力开关的校验装置-CN202320663669.3有效
发明人：张文;池志才;顾广安 -专利权人： 上海晶盟硅材料有限公司
申请日： 2023-03-30 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： G01L27/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及外延炉加工技术领域，具体地说是一种外延炉压力开关的校验装置。一种外延炉压力开关的校验装置，包括压力开关，其特征在于：所述的压力开关一侧的管道上设有接头一，接头一一端连接接头二一端，接头二另一端连接调压阀的出口，调压阀的入口通过卡套连接气源，位于调压阀出口一侧连接出口压力表。同现有技术相比，可以直接对压力开关进行校验，无需反复拆装，提高了生产效率，降低了成本。
一种外延压力开关校验装置

[实用新型]外延炉电磁阀模块压缩空气独立控制装置-CN202320549438.X有效
发明人：张文;何航;顾广安 -专利权人： 上海晶盟硅材料有限公司
申请日： 2023-03-21 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： F15B13/02 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种两路互不影响，能够提高维修保养效率、降低泄露风险的外延炉电磁阀模块压缩空气独立控制装置，包括：压缩空气供应管路，具有第一供应支路以及第二供应支路；气缸运动控制模块，与第一供应支路相连接，用于控制气缸运动；第一控制阀，设置在第一供应支路上，用于对该第一供应支路的开闭进行控制；气动阀控制模块，与第二供应支路相连接，用于控制气动阀的开关；以及第二控制阀，设置在第二供应支路上，用于对该第二供应支路的开闭进行控制。
外延电磁阀模块压缩空气独立控制装置

[发明专利]颗粒状态监控方法、装置、设备以及存储介质-CN202310391495.4在审
发明人：王康锋;张晓艳;吴勇;顾广安 -专利权人： 上海晶盟硅材料有限公司
申请日： 2023-04-13 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： G01N15/06 文献下载
摘要：本公开的实施例提供了一种颗粒状态监控方法、装置、设备以及存储介质，应用于半导体技术领域。该方法包括：获取环境颗粒检测设备检测的晶圆清洗环境的颗粒参数，按照预设时间步长将检测时长划分为多个时间段，根据各时间段对应的颗粒参数极差计算颗粒参数极差总和，根据各时间段对应的颗粒参数极差与颗粒参数极差总和的比值，以及各时间段内检测的颗粒参数的数量，计算各时间段对应的颗粒参数抽样数量，并基于此从各时间段内检测的颗粒参数中抽取样本颗粒参数，根据各时间段内检测的最大颗粒参数与最小颗粒参数，以及各时间段对应的样本颗粒参数，快速生成颗粒参数变化曲线，以此有效地对晶圆清洗环境进行颗粒状态监控。
颗粒状态监控方法装置设备以及存储介质

[发明专利]ASM机台热延伸板结构、使用方法及清洗方法-CN202310386358.1在审
发明人：顾广安;陈建纲;邹崇生;高璇 -专利权人： 上海晶盟硅材料有限公司
申请日： 2023-04-12 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：本发明提出了一种ASM机台热延伸板结构、使用方法及清洗方法，所述ASM机台热延伸板结构包括分别设置在石英腔体内的支架和热延伸板；所述热延伸板位于反应组件的出气口与承载盘之间。本发明在原基座位置后方加上一块热延伸板，加装的热延伸板一方面聚热，减小了反应组件输出气流的温度降低幅度，使尾端温度不会过低，使得硅不容易发生沉积现象，让原先会沉积在后基座上方的腔体的非晶硅沉积热延伸板上，并于每次做腔体刻蚀的时候，将热延伸板上的非晶硅移除，以减少非晶硅在石英腔体上后方的淀积，降低非晶硅尘粒在石英腔体内沉积的情况，减少石英腔体因尘粒增加而须拆下清洗的时间。
asm 机台延伸板结使用方法清洗方法

[实用新型]一种槽式清洗机的支撑底座-CN202320663670.6有效
发明人：吴勇;沈军;蔡爱军;顾广安 -专利权人： 上海晶盟硅材料有限公司
申请日： 2023-03-30 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： H01L21/687 文献下载
摘要：本实用新型涉及槽式清洗机技术领域，具体地说是一种槽式清洗机的支撑底座。一种槽式清洗机的支撑底座，包括相对布置的底座一、底座二，底座一与底座二之间连接若干支撑棒，位于支撑棒上端设有若干均匀布置的安装槽，支撑棒的结构为圆棒结构。同现有技术相比，将支撑棒改为圆棒式结构，在保证足够支撑的前提下，减小了与晶圆的接触面积，从而降低晶圆表面的损伤。并且将支撑棒设计为可拆卸式结构，后续更换可直接更换支撑棒，降低更换成本。
一种清洗支撑底座

[发明专利]晶圆冲洗效果检测方法、装置、设备以及存储介质-CN202310237689.9在审
发明人：张晓艳;吴勇;王康锋;顾广安 -专利权人： 上海晶盟硅材料有限公司
申请日： 2023-03-13 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本公开的实施例提供了一种晶圆冲洗效果检测方法、装置、设备以及存储介质，应用于半导体技术领域。该方法包括：获取晶圆位于目标水槽内时目标水槽内纯水的电阻率数据，其中，目标水槽为干燥槽前最后一个水槽；根据目标水槽内纯水的电阻率数据生成纯水电阻率变化曲线；根据纯水电阻率变化曲线对晶圆进行冲洗效果检测。以此方式，可以实现对晶圆冲洗效果的检测，确定晶圆表面是否残留化学试剂，进而避免冲洗效果不佳的晶圆流至下道工序。
冲洗效果检测方法装置设备以及存储介质

[发明专利]HF-HCL混合药液的浓度监控方法、装置、设备以及存储介质-CN202310392725.9在审
发明人：王康锋;张晓艳;吴勇;顾广安 -专利权人： 上海晶盟硅材料有限公司
申请日： 2023-04-13 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本公开的实施例提供了一种HF‑HCL混合药液的浓度监控方法、装置、设备以及存储介质，应用于半导体技术领域。该方法包括：获取晶圆进入HF‑HCL混合药液之前的第一膜厚度，以及晶圆离开HF‑HCL混合药液之后的第二膜厚度；根据晶圆的第一膜厚度和第二膜厚度，计算晶圆的膜厚度减少值；根据晶圆的膜厚度减少值，确定HF‑HCL混合药液的浓度是否发生异常。以此方式，可以根据晶圆被HF‑HCL混合药液清洗前后的膜厚度计算膜厚度减少值，并根据膜厚度减少值实现对HF‑HCL混合药液的浓度的有效监控，进而及时地发现HF‑HCL混合药液的浓度是否发生异常，以便在浓度异常时快速做出相应处理，大大降低晶圆的报废风险，有利于提高晶圆清洗效果。
hf hcl 混合药液浓度监控方法装置设备以及存储介质

[实用新型]一种晶圆单片式背面清洗机-CN202221779349.6有效
发明人：吴勇;张晓艳;顾广安 -专利权人： 上海晶盟硅材料有限公司
申请日： 2022-07-11 - 公布日： 2022-12-30 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶圆单片式背面清洗机，包括转轴、卡盘以及冲洗管，卡盘安装在转轴由其带动旋转，在卡盘上设置有多个夹爪用于固定晶圆，所述冲洗管位于转轴内部，冲洗管的顶部伸出转轴，冲洗管侧壁与转轴内壁之间存在间隙，且在顶部设置有出水孔用于冲洗晶圆背面，所述冲洗管中还设置有与水路隔离的无尘气体通道，冲洗管的侧壁上设置多个气体喷射孔连通无尘气体通道，喷射孔的方向为斜向下，且喷射孔在冲洗管的侧壁圆周方向上均匀分布。当高速旋转时吸入大气空气后，氮气可将污染物向底部吹，避免污染物进入晶片背面和腔体。
一种单片背面清洗

[发明专利]超重掺红磷衬底的外延制造方法以及装置-CN202211159722.2在审
发明人：顾广安;吴勇;陈建纲;朱小波 -专利权人： 上海晶盟硅材料有限公司
申请日： 2022-09-22 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种超重掺红磷衬底的外延制造方法以及装置，涉及芯片制造技术领域，所述方法包括：获取超重掺红磷衬底，以及获取多个预设本征参数和多个预设刻蚀参数；依次基于每个预设本征参数对所述超重掺红磷衬底执行本征处理，获得对应的多个处理后衬底；对每个处理后衬底执行外延生长操作，获得多个外延生长后衬底；在每个外延生长后衬底的外延沉积之前，依次基于每个预设刻蚀参数对每个外延生长后衬底执行刻蚀操作，获得对应的多个刻蚀后衬底；获取自掺杂性能评估参数，基于所述自掺杂性能评估参数对每个刻蚀后衬底进行评估，确定最佳衬底；基于所述最佳衬底对应的本征参数和刻蚀参数生成针对所述超重掺红磷衬底的外延制造方法。
超重红磷衬底外延制造方法以及装置

[发明专利]晶圆包装的自动检测方法以及自动检测装置-CN202211062833.1在审
发明人：吴勇;蔡爱军;顾广安 -专利权人： 上海晶盟硅材料有限公司
申请日： 2022-09-01 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： G01N21/95 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种晶圆包装的自动检测方法以及自动检测装置，涉及图像处理技术领域，所述方法包括：获取针对晶圆包装的图像信息；对所述图像信息进行处理，获得处理后图像；对所述处理后图像进行晶圆放置状态识别，获得状态识别结果；基于所述状态识别结果判断是否存在碎片风险；基于判断结果生成对应的检测结果。通过采用图像识别的方式自动对晶圆包装的碎片风险进行识别，从而快速、准确地确定晶圆的碎片风险，提高了对晶圆的检测效率、检测精确性。
包装自动检测方法以及装置

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