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[发明专利]一种低温相锗酸钡晶体的制备方法及其应用-CN201810038032.9有效
发明人： 万松明;张树杰;姚亚楠 -专利权人：中国科学院合肥物质科学研究院
申请日： 2018-01-16 - 公布日： 2020-12-25 - 主分类号： C30B9/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种低温相锗酸钡晶体的制备方法及其应用。该晶体采用高温溶液法生长制备，选择助熔剂种类包括：碱金属钼酸盐、碱金属钨酸盐、碱金属硼酸盐、Bi2O3和PbO，助熔剂在晶体生长原料中的比例为15‑50 mol%，采用铂金坩埚为容器，晶体生长过程中的降温速率为1‑3℃/天，晶体旋转速度为1‑10转/分钟。该晶体的受激Raman散射活性振动模式位于799 cm–1，振动峰的半高宽为4.5 cm–1，其红外透过截止边位于5.8μm。该晶体可用做受激Raman散射晶体，在中红外波段实现激光变频，输出3‑5.8μm波长范围的中红外激光。
一种低温相锗酸钡晶体制备方法及其应用

[实用新型]一种刷树设备-CN201720580945.4有效
发明人： 万松明 -专利权人：重庆市云阳职业教育中心
申请日： 2017-05-24 - 公布日： 2018-05-01 - 主分类号： A01G13/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种刷树设备，其特征在于包括第一刷把以及第二刷把，所述第一、第二刷把尾部通过一支撑杆铰接，在第一、第二刷把的尾部之间设置有弹簧，同时在第一、第二刷把尾部还设置有拉索，所述拉索通过支撑杆上设置的孔与安装在支撑杆内的主拉索连接，主拉索上端延伸到支撑杆端部与安装在支撑杆端部的旋转筒连接，在所述旋转筒内顶壁设置有拉索缠绕盘；该结构使用操作方便且效率快捷，有利于减小劳动强度。
一种设备

[发明专利]掺Pb2+离子高温相偏硼酸钡晶体及其生长方法和用途-CN201410820085.8在审
发明人： 万松明;冯德玄;唐小路;张波 -专利权人：中国科学院合肥物质科学研究院
申请日： 2014-12-24 - 公布日： 2015-04-22 - 主分类号： C30B29/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种掺Pb2+离子高温相偏硼酸钡晶体及其生长方法和用途。这种晶体化学式为PbxBa1-xB2O4，其中x为Pb2+离子替代Ba2+离子的比例，取值范围为0.005≦x≦0.05。这种晶体可采用提拉法、泡生法和布里奇曼法等熔体法生长，晶体生长原料为PbxBa1-xB2O4或过量B2O3不超过10mol%的PbxBa1-xB2O4。这种晶体的物化性能稳定、机械加工性能好、透光波段宽、光损伤阈值大、双折射率大，受激Raman散射（SRS）活性振动模式的频率在635cm–1附近。该晶体可制作格兰型棱镜、渥拉斯顿棱镜、萨那芒特棱镜、洛匈棱镜等光束分离偏振器件，以及相位延迟和光学补偿器件；并可用做SRS晶体在紫外－可见－近红外波段对激光进行变频。
pb2 离子高温硼酸晶体及其生长方法用途

[发明专利]一类包含硼氧六元环的拉曼晶体及其生长方法、用途-CN201210041564.0有效
发明人： 万松明;吕宪顺;孙玉龙;唐小路 -专利权人：中国科学院安徽光学精密机械研究所
申请日： 2012-02-23 - 公布日： 2012-07-18 - 主分类号： C30B29/22 文献下载
摘要：本发明公开了一类包含硼氧六元环的拉曼晶体及其生长方法、用途，该类晶体的化学式为Ba₂M(B₃O₆)₂(M=Mg、Ca)，属于三方晶系，R空间群，这类晶体可以采用泡生法或提拉法进行生长，该类晶体无色透明，物化性能稳定，机械性能好，易于切割、抛光，制备成晶体器件，该类晶体的紫外吸收边位于180nm附近，拉曼频移在640cm^-1附近，可用于紫外波段，黄光波段和人眼安全波段的激光变频，获得新波段的激光输出，以满足对于晶体拉曼变频多元化的要求。
一类包含硼氧六元环晶体及其生长方法用途

[发明专利]一种硫钒铜矿结构的多晶体材料及其应用-CN201010508505.0无效
发明人： 万松明;吕宪顺;苗凤秀;邓赞红;顾桂新;张庆礼;殷绍唐 -专利权人：中国科学院安徽光学精密机械研究所
申请日： 2010-10-15 - 公布日： 2011-04-27 - 主分类号： C30B29/46 文献下载
摘要：本发明公开了一种硫钒铜矿结构的多晶体材料及其应用。通过真空固相合成法可制备这类材料的多晶体粉体，通过脉冲激光沉积技术可制备这类材料的多晶体薄膜。这类半导体材料属于立方晶系，空间群，具有硫钒铜矿结构。这类材料是p型半导体，具有各向同性的优点，有较大的光吸收系数，易于合成和制备成多晶薄膜，且部分材料的价格低廉，可以用做太阳能光伏电池的吸收层材料。
一种铜矿结构多晶体材料及其应用

[发明专利]一种卤化亚铜的制备和提纯方法-CN200910116459.7无效
发明人： 万松明;苗凤秀;王宜申;吕宪顺;顾桂新;张庆礼;殷绍唐 -专利权人：中国科学院安徽光学精密机械研究所
申请日： 2009-03-27 - 公布日： 2010-09-29 - 主分类号： C01G3/04 文献下载
摘要：本发明公开一种卤化亚铜的制备和提纯方法。将卤化铜放入反应容器中，加入乙二醇溶剂，在130～180℃恒温24～48小时，生成白色卤化亚铜颗粒。通过专用提纯装置对卤化亚铜进行提纯。将卤化亚铜原料放入提纯容器底部，加入乙二醇溶剂和少量相对应的碱金属卤盐至容器的填充度约90％，用有孔的塞子或盖子封闭容器口。加热并维持容器底部下隔板处的温度在170℃附近，容器顶端上隔板处的温度在150℃附近。提纯后的卤化亚铜在隔板表面沉积，将上隔板表面沉积的卤化亚铜洗涤、干燥，获得分析纯卤化亚铜。本发明具有合成与提纯的设备和工艺简单、条件温和、环境友好的特点，获得的卤化亚铜晶形完整、粒径大、纯度高、抗氧化能力强。
一种卤化制备提纯方法

[发明专利]乙二醇还原制备硒(碲)卤化亚铜-CN200910116402.7无效
发明人： 万松明;吕宪顺;王宜申;苗凤秀;顾桂新;张庆礼;殷绍唐 -专利权人：中国科学院安徽光学精密机械研究所
申请日： 2009-03-21 - 公布日： 2010-09-22 - 主分类号： C01B19/00 文献下载
摘要：本发明公开一种乙二醇还原制备硒(碲)卤化亚铜的方法。该方法是将等化学计量比的硒(碲)和卤化铜(氯化铜、溴化铜或碘化铜)，放入反应容器中，加入乙二醇溶剂溶解卤化铜，并在100～150℃条件下恒温12～24小时。利用乙二醇溶剂在高温下少量分解的乙醛作还原剂，可以合成CuClSe2、CuClTe2、CuBrSe3、CuBrTe2、CuISe3、CuITe2等六种化合物。得到的产物先用蒸馏水洗涤两次，后在60℃下干燥8小时。本发明具有：合成工艺和设备简单、环境友好、能耗低、产率高的特点，可用于多种硒(碲)卤化亚铜化合物的合成。
乙二醇还原制备卤化

[发明专利]Sm掺杂钙镁锆钆镓石榴石及其熔体法晶体生长方法-CN200910185153.7无效
发明人：张庆礼;殷绍唐;周文龙;刘文鹏;谷长江;李为民;秦青海;孙敦陆;万松明 -专利权人：中国科学院安徽光学精密机械研究所
申请日： 2009-09-30 - 公布日： 2010-03-17 - 主分类号： C30B29/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种Sm掺杂钙镁锆钆镓石榴石及其熔体法晶体生长方法，Sm掺杂钙镁锆钆镓石榴石的分子式为Sm_z:Gd_3-x-zCa_xGa_5-x-2yMg_yZr_x+yO₁₂(0＜x＜3，0＜y＜2.5，0＜z＜3，0＜x+2y＜5，0＜x+z＜3)，是将配制好的原料经充分混合、压制成形、高温煅烧或不经高温煅烧后，成为晶体生长的起始原料；生长起始原料加入坩埚经加热充分熔化后，成为熔体法晶体生长的初始熔体，然后用传统的提拉法、坩埚下降法、助熔剂法等熔体法晶体进行定向或非定向生长，获得蓝光抽运的固体激光工作物质。本发明可获得大尺寸光学质量均匀、性能优良的激光晶体，可用作蓝光抽运的固体激光工作物质，有望用于医学诊断、材料处理、高密度信息读写、监测与控制及应用于大屏幕彩色显示和高清晰度彩色电视机等领域。
sm 掺杂钙镁锆钆镓石榴石及其熔体法晶体生长方法

[发明专利]钆钇钪镓石榴石晶体GYSGG及其熔体法晶体生长方法-CN200810018480.9有效
发明人：张庆礼;殷绍唐;孙敦陆;刘文鹏;丁丽华;谷长江;李为民;秦清海;万松明 -专利权人：中国科学院安徽光学精密机械研究所
申请日： 2008-02-03 - 公布日： 2008-11-19 - 主分类号： C30B29/28 文献下载
摘要：本发明为钆钇钪镓石榴石晶体GYSGG及其熔体法晶体生长方法，它的分子式可表为Gd_3xY_3(1－x)Sc₂Ga_3(1+δ)O₁₂(x＝0～1，＝－0.2～0.2)，可用Gd₂O₃、Y₂O₃、Sc₂O₃、Ga₂O₃，或相应的钆、钇、钪、镓的其他化合物进行配料，只要能最终化合为Gd_3xY_3(1－x)Sc₂Ga_3(1+δ)O₁₂即可；配制好的原料经充分混合、压制成形、高温烧结后，成为晶体生长的起始原料；生长起始原料放入坩埚经加热充分熔化后，成为熔体法生长的初始熔体，然后可用熔体法如提拉法、坩埚下降法、温梯法及其他熔体法来进行生长；对于需用籽晶定向生长的熔体法，籽晶为GYSGG单晶、或钇钪镓石榴石YSGG单晶、或钆钪镓石榴石单晶GSGG。GYSGG单晶可用作Bi³⁺掺杂的钇铁石榴石外延薄膜的衬底材料。
钆钇钪镓石榴石晶体 gysgg 及其熔体法晶体生长方法

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