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- [发明专利]原子层沉积装置-CN201380033069.8有效
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丁寅权
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MTS纳米科技株式会社
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2013-06-19
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2018-05-18
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H01L21/205
- 原子层沉积装置的喷头往复移动装置使喷头往复移动，供气控制装置是将通过喷头同时喷射源前体和吹扫用气体的阶段以及同时喷射反应物前体和吹扫用气体的阶段反复实施，进而在基板上交替涂覆第一反应层和第二反应层。喷射的前体和吹扫用气体则通过喷头被喷射即排出。本发明因不同时进行源前体喷射和反应物前体喷射而防止源前体和反应物前体混在一起，且同时进行前体喷射、吹扫用气体喷射和排气而提高产能率，并最大限度减少喷头往复移动距离而适用于大型基板的同时可缩小装备的大小。而且，本发明可只在基板上的特定部位选择性地沉积原子层。
- 原子沉积装置
- [发明专利]研磨半导体晶圆的设备及方法-CN200480002944.7无效
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丁寅权
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丁寅权
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2004-01-27
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2006-03-01
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B24B1/00
- 本发明是有关于一种研磨半导体晶圆的设备及方法，该用以研磨物件(例如：半导体晶圆)的设备及方法使用一个或多个可枢转装载/卸载盘，以将上述物件转运至一个或多个物件载具及/或从上述一个或多个物件载具转运上述物件，以研磨上述物件。每一可枢转装载/卸载盘可配置成用以将上述物件转运至一单一物件载具及/或从上述单一物件载具转运上述物件。在另一情况中，每一可枢转装载/卸载盘可配置成用以将上述物件转运至两个物件载具及/或从上述两个物件载具转运上述物件。上述可枢转装载/卸载盘可配置成以至少一研磨表面(例如：一研磨垫表面)上方的一个或多个枢转点为中心来枢转。
- 研磨半导体设备方法
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